1.本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶圆背面异常检测方法、系统及电子设备。
背景技术：2.在半导体制造过程中，晶片(晶圆)从开始加工到完成需经过诸多工艺流程及许多不同种类的工艺机台，需要借助机械手臂完成晶片在机台内从用于临时放晶片的p
od
到各工艺机台的反应腔再回到p
od
的传送。如果机械手臂位置发生偏移或反应腔内取/放高度发生变化，就有可能造成晶片正/背面刮伤，加大了晶片报废的风险。虽然在晶片整个工艺流程中设置了许多道人为目检，但前后两道目检之间存在工艺较多，如果后续目检发现晶片有刮伤，再追根溯源也是一件十分困难的事情，且无法及时侦测晶片被刮伤，便会造成后续大量晶片被刮伤的风险。
3.而在晶片清洗如晶片背面清洗是晶片制造过程中一种重要工艺过程，广泛用于闪存(flash)，功率(power)器件等多种产品流程中。湿法清洗工艺能采用一批次(lot)的多片清洗实现，也能采用单片清洗实现。本技术涉及单片湿法清洗机台的刻蚀过程中的晶圆背面异常的检测。
技术实现要素：4.本发明的目的在于提供一种晶圆背面异常检测方法、系统及电子设备，以提高晶圆背面异常区域的检测效率，并最终提供晶圆的生产效率。
5.第一方面，为解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆背面异常检测系统，基于单片湿法清洗机台进行检测，所述单片湿法清洗机台包括用于对晶圆进行湿法清洗的卡置装置、用于干燥晶圆的机械手臂和机台控制器。
6.具体的，本发明提供的晶圆背面异常检测系统包括：
7.光源，所述光源固定在所述卡置装置的卡盘的侧上方，以用于在检测控制器的控制下为成像设备的拍照过程提供拍摄照明；
8.成像设备，所述成像设备固定在所述卡置装置的卡盘的正上方，以用于在所述检测控制器的控制下，在所述晶圆背面进行湿法清洗前后对所述晶圆背面分别进行拍照；
9.传感器，所述传感器固定在所述机械手臂的原点位置处，以用于在所述晶圆背面进行湿法清洗后且在所述机械手臂的触发下，向所述检测控制器发送第一拍照指令；
10.检测控制器，所述检测控制器分别与所述机台控制器、光源、成像设备以及传感器电性连接，以用于在与所述机台控制器的触发下，控制所述光源和所述成像设备的开启与关闭。
11.进一步的，所述卡置装置的卡盘上还可以设置有多个顶针，所述顶针等间距分布在所述晶圆放置后对应的所述晶圆的边缘上，以用于夹紧所述晶圆。
12.进一步的，在所述顶针夹紧所述晶圆后，所述卡置装置还可以用于向与其电性连
接的所述机台控制器发送第二拍照指令，以在所述机台控制器的触发下，控制所述光源和所述成像设备对湿法清洗前的所述晶圆背面进行拍照。
13.第二方面，基于相同的发明构思，本发明在所述晶圆背面异常检测方系统的基础上提供了一种晶圆背面异常检测方法。
14.具体的，本发明提供的所述晶圆背面异常检测方法可以包括如下步骤：
15.步骤s1，接收第二拍照指令，根据所述第二拍照指令开启所述光源和所述成像设备，并利用所述光源和所述成像设备对固定在所述卡盘上的所述晶圆背面进行第一次拍照，以得到第一图像；
16.步骤s2，接收第一拍照指令，根据所述第一拍照指令开启所述光源和所述成像设备，并利用所述光源和所述成像设备对湿法清洗后的晶圆背面进行第二次拍照，以得到第二图像。
17.进一步的，所述步骤s1中的所述晶圆在进行第一次拍照之前，至少经过一次半导体工艺处理，以使所述晶圆上形成有半导体结构。
18.进一步的，在所述步骤s1中根据所述第二拍照指令开启所述光源和所述成像设备的步骤，可以包括：
19.将所述晶圆放置到所述单片湿法清洗机台的卡置装置上，所述晶圆的边缘与所述卡置装置上的顶针接触，以使所述卡置装置在所述顶针夹紧所述晶圆后向所述机台控制器发送第二拍照指令；
20.所述检测控制器根据所述机台控制器发送的所述第二拍照指令，向所述光源和所述成像设备分别发送开启指令。
21.进一步的，在所述步骤s1之后且在所述步骤s2之前，所述检测方法还可以包括：
22.判断所述第一图像上是否存在异常区域；
23.若判断结果为是，则对所述第一图像进行灰阶变化计算，以确定出所述异常区域的长度或面积，并判断所述异常区域的长度或面积是否大于预设阈值；
24.若判断结果为是，则确定在本次湿法清洗之前所述晶圆背面已存在异常问题，并向所述机台控制器发生报警信号。
25.进一步的，在所述步骤s2之后，所述检测方法还可以包括：
26.将所述第一图像和所述第二图像进行比较，并将所述第二图像不同于所述第一图像的区域确定为所述第二图像的异常区域；
27.对所述第二图像的异常区域进行灰阶变化计算，以确定出所述第二图像的异常区域的长度或面积，并判断所述第二图像的异常区域的长度或面积是否大于所述预设阈值；
28.若判断结果为是，则确定本次湿法清洗过程对所述晶圆背面造成异常问题，并向所述机台控制器发生报警信号。
29.第三方面，本发明还提供了一种电子设备，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信。
30.存储器，用于存放计算机程序。
31.处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现如上所述的晶圆背面异常检测方法步骤。
32.第四方面，本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存
储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一晶圆背面异常检测方法步骤。
33.与现有技术相比，本发明的技术方案至少具有以下有益效果之一：
34.在本发明提供的晶圆背面异常检测系统中，其首次提出将具有对晶圆背面异常具有检测功能的检测设备与单片湿法清洗机台进行融合，从而得到可以在晶圆背面进行湿法清洗前后分别对该晶圆背面进行拍照的单片湿法清洗机台。并且，根据湿法清洗前后分别对该晶圆背面进行拍照，得到的第一图像和第二图像的定性分析，确定出该晶圆背面是否存在异常问题以及是在哪次半导体工艺设备中造成的异常问题(划痕或水渍)。
附图说明
35.图1为本发明一实施例中提供的晶圆背面异常检测系统的结构示意图。
36.图2为本发明一实施例中提供的晶圆背面异常检测方法的流程示意图。
37.图3为本发明一实施例中提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
38.下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
39.承如背景技术所述，由于在半导体制造过程中，晶片(晶圆)从开始加工到完成需经过诸多工艺流程及许多不同种类的工艺机台，需要借助机械手臂完成晶片在机台内从用于临时放晶片的p
od
到各工艺机台的反应腔再回到p
od
的传送。如果机械手臂位置发生偏移或反应腔内取/放高度发生变化，就有可能造成晶片正/背面刮伤，加大了晶片报废的风险。虽然在晶片整个工艺流程中设置了许多道人为目检，但前后两道目检之间存在工艺较多，如果后续目检发现晶片有刮伤，再追根溯源也是一件十分困难的事情，且无法及时侦测晶片被刮伤，便会造成后续大量晶片被刮伤的风险。
40.而在晶片清洗如晶片背面清洗是晶片制造过程中一种重要工艺过程，广泛用于闪存(flash)，功率(power)器件等多种产品流程中。湿法清洗工艺能采用一批次(lot)的多片清洗实现，也能采用单片清洗实现。本技术涉及单片湿法清洗机台的刻蚀过程中的晶圆背面异常的检测。
41.为此，本发明提供了一种晶圆背面异常检测方法、系统及电子设备，以提高晶圆背面异常区域的检测效率，并最终提供晶圆的生产效率。
42.参考图1，图1为本发明提供的一种晶圆背面异常检测系统的结构示意图，如图1所示，本发明提供的一种晶圆背面异常检测系统是基于单片湿法清洗机台进行检测的，而所述单片湿法清洗机台包括用于对晶圆进行湿法清洗的卡置装置10、用于干燥晶圆的机械手臂20和机台控制器30。
43.而本发明提供的晶圆背面异常检测系统具体可以包括光源100、成像设备200、触感器300和检测控制器400。其中，
44.所述光源100固定在所述卡置装置10的卡盘(未图示)的侧上方，以用于在检测控制器400的控制下为成像设备200的拍照过程提供拍摄照明。
45.所述成像设备200固定在所述卡置装置10的卡盘(未图示)的正上方，以用于在所述检测控制器400的控制下，在所述晶圆背面进行湿法清洗前后对所述晶圆背面分别进行拍照。
46.所述传感器300固定在所述机械手臂20的原点位置处，以用于在所述晶圆背面进行湿法清洗后且在所述机械手臂20的触发下，向所述检测控制器400发送第一拍照指令。
47.所述检测控制器400分别与所述机台控制器30、所述光源100、所述成像设备200以及所述传感器300电性连接，以用于在与所述机台控制器30的触发下，控制所述光源100和所述成像设备200的开启与关闭。
48.进一步的，所述卡置装置10的卡盘上还设置有多个顶针(未图示)，所述顶针等间距分布在所述晶圆放置后对应的所述晶圆的边缘上，以用于夹紧所述晶圆。
49.进一步的，在所述顶针夹紧所述晶圆后，所述卡置装置10还用于向与其电性连接的所述机台控制器30发送第二拍照指令，以在所述机台控制器30的触发下，控制所述光源100和所述成像设备200对湿法清洗前的所述晶圆背面进行拍照。
50.在本实施例中，所述单片湿法清洗机台是用于对单个晶片(晶圆)进行湿法刻蚀的半导体工艺设备，因此，在所述单片湿法清洗机台中其本来就具有用于对晶圆进行湿法清洗的卡置装置10，而所述卡置装置10上还可以包括用于承载待进行湿法清洗的晶圆的卡盘，而所述卡盘上还对称设有至少两个顶针，以用于将所述晶圆牢固的固定在所述卡盘上。并且，所述单片湿法清洗机台还包括至少一可以来回移动的机械手臂20，以用于对清洗后的晶圆进行干燥处理。而本发明提供的晶圆背面异常检测系统其是，首次提出将具有对晶圆背面异常具有检测功能的检测设备(光源100、成像设备200、触感器300和检测控制器400)与单片湿法清洗机台进行融合，从而得到可以在晶圆背面进行湿法清洗前后分别对该晶圆背面进行拍照的单片湿法清洗机台。
51.下面将通过附图和实施例的方式介绍本发明提供的晶圆背面异常检测系统是如何对晶圆的背面进行异常检测的。
52.参考图2，图2为本发明提供的一种晶圆背面异常检测方法的流程示意图，其中，该方法可以包括如下步骤：
53.步骤s1，接收第二拍照指令，根据所述第二拍照指令开启所述光源和所述成像设备，并利用所述光源和所述成像设备对固定在所述卡盘上的所述晶圆背面进行第一次拍照，以得到第一图像。
54.其中，所述步骤s1中的所述晶圆在进行第一次拍照之前，至少经过一次半导体工艺处理，以使所述晶圆上形成有半导体结构。
55.通常，由于在半导体器件的制造过程中，其每个工艺步骤之后都需要进行湿法清洗以避免上步工艺在晶圆表面上遗留的残留物和杂质(异常问题)导致后续工艺的失效。基于此，本发明研究人员提出可以将本发明提出的所述晶圆背面异常检测系统作为半导体器件的制造过程中每步工艺后的清洗工艺的清洗设备，从而可以避免未能及时发现晶圆表面上的异常问题而导致最终形成的半导体器件报废，以及浪费半导体器件的制造成本的问题。
56.作为一种示例，在所述步骤s1中根据所述第二拍照指令开启所述光源和所述成像设备的步骤，可以包括：
57.步骤s1.1，将所述晶圆放置到所述单片湿法清洗机台的卡置装置上，所述晶圆的边缘与所述卡置装置上的顶针接触，以使所述卡置装置在所述顶针夹紧所述晶圆后向所述机台控制器发送第二拍照指令；
58.步骤s1.2，所述检测控制器根据所述机台控制器发送的所述第二拍照指令，向所述光源和所述成像设备分别发送开启指令。
59.在本实施例中，可以将经过上步半导体工艺的晶圆固定在所述卡置装置10的卡盘上，并调整卡盘上的顶针，以使位于该晶圆边缘上的顶针夹紧该晶圆，并在顶针夹紧所述晶圆之后，所述卡置装置10向与其电性连接的所述机台控制器30发送一个第二拍照指令，所述机台控制器30在接收到所述第二拍照指令后便启动所述晶圆背面异常检测系统中的检测设备，以实现在对该晶圆进行湿法清洗之前进行的第一次拍照，以用于确定该晶圆在上步半导体工艺的过程中是否存在晶圆表面(通常为背面)被刮伤以及从残留其他杂质的异常问题。具体的，所述机台控制器30可以将所述第二拍照指令发送给所述检测控制器400，所述检测控制器400在接收到该第二拍照指令便向所述光源100和所述成像设备200发送开启指令，之后，所述成像设备200在所述光源100提供可根据实际情况调整的拍摄照明的情况下对固定在所述卡盘上的晶圆进行第一次拍照，以得到第一图像。
60.进一步的，在所述步骤s1利用所述光源100和所述成像设备200对固定在所述卡盘上的所述晶圆背面进行第一次拍照，以得到第一图像之后，所述检测方法还可以包括：
61.步骤s1.3，判断所述第一图像上是否存在异常区域；
62.步骤s1.4，若判断结果为是，则对所述第一图像进行灰阶变化计算，以确定出所述异常区域的长度或面积，并判断所述异常区域的长度或面积是否大于预设阈值；
63.步骤s1.5，若判断结果为是，则确定在本次湿法清洗之前所述晶圆背面已存在异常问题，并向所述机台控制器发生报警信号。
64.在本实施例中，在所述步骤s1第一图像之后，所述检测控制器400可以利用预设的图像处理方式(例如，图像灰阶变化计算)对该第一图像进行处理，以确定该第一图像对应的晶圆背面上是否存在异常问题，若存在则说明该晶圆在进入本发明提供的晶圆背面异常检测系统中的单片湿法清洗机台之前，其表面已存在异常问题，例如，划痕。因此，需要先暂停本次湿法清洗工艺，具体对上步半导体工艺设备的不当操作进行调整，以提高半导体器件的制造效率。并根据该晶圆背面上存在的异常问题的严重性确定该晶圆是否进行后续工艺流程，对此可以根据实际要求对其调整，本发明不做具体限定。
65.步骤s2，接收第一拍照指令，根据所述第一拍照指令开启所述光源和所述成像设备，并利用所述光源和所述成像设备对湿法清洗后的晶圆背面进行第二次拍照，以得到第二图像。
66.在本实施例中，当所述步骤s1中获取的晶圆的第一图像经过图像分析后确定其表面未存在异常问题，或者其存在的异常问题不影响后续工艺后续，则可以利用卡置装置10的卡盘带动固定在其上的晶圆进行湿法清洗工艺，并在湿法清洗烘干后且所述机械手臂20回到其原点位置处后，触发所述传感器300向所述检测控制器400发送一个第一拍照指令，以实现所述检测控制器400在接收到所述第一拍照指令后开启所述光源100和所述成像设备200，以完成对清洗后的所述晶圆进行第二次拍照，并得到第二图像。
67.之后，在所述步骤s2完成对清洗后的所述晶圆进行第二次拍照，并得到第二图像
之后，所述检测方法还可以包括如下步骤：
68.步骤s2.1，将所述第一图像和所述第二图像进行比较，并将所述第二图像不同于所述第一图像的区域确定为所述第二图像的异常区域；
69.步骤s2.2，对所述第二图像的异常区域进行灰阶变化计算，以确定出所述第二图像的异常区域的长度或面积，并判断所述第二图像的异常区域的长度或面积是否大于所述预设阈值；
70.步骤s2.3，若判断结果为是，则确定本次湿法清洗过程对所述晶圆背面造成异常问题，并向所述机台控制器发生报警信号。
71.在本实施例中，可以通过对比湿法清洗前后分别对该晶圆背面进行拍照得到的第一图像和第二图像，从而根据二张图像的差异性，确定出在本次湿法清洗工艺过程中是否对该晶圆的背面造成划痕、残留水渍以及其他异常问题，并根据该晶圆背面上存在的异常问题的严重性确定该晶圆是否进行后续工艺流程，对此可以根据实际要求对其调整，本发明不做具体限定。
72.综上所述，在本发明提供的晶圆背面异常检测系统中，其首次提出将具有对晶圆背面异常具有检测功能的检测设备与单片湿法清洗机台进行融合，从而得到可以在晶圆背面进行湿法清洗前后分别对该晶圆背面进行拍照的单片湿法清洗机台。并且，根据湿法清洗前后分别对该晶圆背面进行拍照，得到的第一图像和第二图像的定性分析，确定出该晶圆背面是否存在异常问题以及是在哪次半导体工艺设备中造成的异常问题(划痕或水渍)。
73.此外，本发明实施例还提供了一种电子设备，包括处理器301、通信接口302、存储器303和通信总线304，其中，处理器301，通信接口302，存储器303通过通信总线304完成相互间的通信，
74.存储器303，用于存放计算机程序；
75.处理器301，用于执行存储器上所存放的程序时，实现本发明实施例提供的一种晶圆背面异常检测方法。
76.具体的，上述一种晶圆背面异常检测方法，包括：
77.步骤s1，接收第二拍照指令，根据所述第二拍照指令开启所述光源和所述成像设备，并利用所述光源和所述成像设备对固定在所述卡盘上的所述晶圆背面进行第一次拍照，以得到第一图像；
78.步骤s2，接收第一拍照指令，根据所述第一拍照指令开启所述光源和所述成像设备，并利用所述光源和所述成像设备对湿法清洗后的晶圆背面进行第二次拍照，以得到第二图像。
79.关于该方法各个步骤的具体实现以及相关解释内容可以参见上述图2所示的方法实施例，在此不做赘述。
80.另外，处理器301执行存储器上所存放的程序而实现的一种晶圆背面异常检测方法的其他实现方式，与前述方法实施例部分所提及的实现方式相同，这里也不再赘述。
81.上述电子设备提到的通信总线304可以是外设部件互连标准(peripher al component interconnect，pci)总线或扩展工业标准结构(extended in dustry standard architecture，eisa)总线等。该通信总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图中仅用一条粗线表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。
82.通信接口用于上述电子设备与其他设备之间的通信。
83.存储器303可以包括随机存取存储器(randomaccess memory，ram)，也可以包括非易失性存储器(non-volatile memory，nvm)，例如至少一个磁盘存储器。可选的，存储器303还可以是至少一个位于远离前述处理器的存储装置。
84.上述的处理器301可以是通用处理器，包括中央处理器(central proc essing unit，cpu)、网络处理器(network processor，np)等；还可以是数字信号处理器(digital signal processing，dsp)、专用集成电路(a pplication specific integrated circuit，asic)、现场可编程门阵列(field-programmable gate array，fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。
85.在本发明提供的又一实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述实施例中任一所述的晶圆背面异常检测方法。
86.在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本发明实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(dsl))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，dvd)、或者半导体介质(例如固态硬盘solid state disk(ssd))等。
87.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
88.本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置、电子设备以及计算机可读存储介质实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
89.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。
技术特征：1.一种晶圆背面异常检测系统，基于单片湿法清洗机台进行检测，所述单片湿法清洗机台包括用于对晶圆进行湿法清洗的卡置装置、用于干燥晶圆的机械手臂和机台控制器，其特征在于，所述晶圆背面异常检测系统包括：光源，所述光源固定在所述卡置装置的卡盘的侧上方，以用于在检测控制器的控制下为成像设备的拍照过程提供拍摄照明；成像设备，所述成像设备固定在所述卡置装置的卡盘的正上方，以用于在所述检测控制器的控制下，在所述晶圆背面进行湿法清洗前后对所述晶圆背面分别进行拍照；传感器，所述传感器固定在所述机械手臂的原点位置处，以用于在所述晶圆背面进行湿法清洗后且在所述机械手臂的触发下，向所述检测控制器发送第一拍照指令；检测控制器，所述检测控制器分别与所述机台控制器、光源、成像设备以及传感器电性连接，以用于在与所述机台控制器的触发下，控制所述光源和所述成像设备的开启与关闭。2.如权利要求1所述的晶圆背面异常检测系统，其特征在于，所述卡置装置的卡盘上还设置有多个顶针，所述顶针等间距分布在所述晶圆放置后对应的所述晶圆的边缘上，以用于夹紧所述晶圆。3.如权利要求2所述的晶圆背面异常检测系统，其特征在于，在所述顶针夹紧所述晶圆后，所述卡置装置还用于向与其电性连接的所述机台控制器发送第二拍照指令，以在所述机台控制器的触发下，控制所述光源和所述成像设备对湿法清洗前的所述晶圆背面进行拍照。4.一种基于如权利要求1-3任一项所述的晶圆背面异常检测方系统的晶圆背面异常检测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤s1，接收第二拍照指令，根据所述第二拍照指令开启所述光源和所述成像设备，并利用所述光源和所述成像设备对固定在所述卡盘上的所述晶圆背面进行第一次拍照，以得到第一图像；步骤s2，接收第一拍照指令，根据所述第一拍照指令开启所述光源和所述成像设备，并利用所述光源和所述成像设备对湿法清洗后的晶圆背面进行第二次拍照，以得到第二图像。5.如权利要求4所述的晶圆背面异常检测方法，其特征在于，所述步骤s1中的所述晶圆在进行第一次拍照之前，至少经过一次半导体工艺处理，以使所述晶圆上形成有半导体结构。6.如权利要求4所述的晶圆背面异常检测方法，其特征在于，在所述步骤s1中根据所述第二拍照指令开启所述光源和所述成像设备的步骤，包括：将所述晶圆放置到所述单片湿法清洗机台的卡置装置上，所述晶圆的边缘与所述卡置装置上的顶针接触，以使所述卡置装置在所述顶针夹紧所述晶圆后向所述机台控制器发送第二拍照指令；所述检测控制器根据所述机台控制器发送的所述第二拍照指令，向所述光源和所述成像设备分别发送开启指令。7.如权利要求4所述的晶圆背面异常检测方法，其特征在于，在所述步骤s1之后且在所述步骤s2之前，所述检测方法还包括：判断所述第一图像上是否存在异常区域；
若判断结果为是，则对所述第一图像进行灰阶变化计算，以确定出所述异常区域的长度或面积，并判断所述异常区域的长度或面积是否大于预设阈值；若判断结果为是，则确定在本次湿法清洗之前所述晶圆背面已存在异常问题，并向所述机台控制器发生报警信号。8.如权利要求7所述的晶圆背面异常检测方法，其特征在于，在所述步骤s2之后，所述检测方法还包括：将所述第一图像和所述第二图像进行比较，并将所述第二图像不同于所述第一图像的区域确定为所述第二图像的异常区域；对所述第二图像的异常区域进行灰阶变化计算，以确定出所述第二图像的异常区域的长度或面积，并判断所述第二图像的异常区域的长度或面积是否大于所述预设阈值；若判断结果为是，则确定本次湿法清洗过程对所述晶圆背面造成异常问题，并向所述机台控制器发生报警信号。9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信；存储器，用于存放计算机程序；处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现权利要求4-8任一所述的晶圆背面异常检测方法步骤。
技术总结本发明提供了一种晶圆背面异常检测方法、系统及电子设备，涉及半导体技术领域。在本发明提供的晶圆背面异常检测系统中，其首次提出将具有对晶圆背面异常具有检测功能的检测设备与单片湿法清洗机台进行融合，从而得到可以在晶圆背面进行湿法清洗前后分别对该晶圆背面进行拍照的单片湿法清洗机台。并且，根据湿法清洗前后分别对该晶圆背面进行拍照，得到的第一图像和第二图像的定性分析，确定出该晶圆背面是否存在异常问题以及是在哪次半导体工艺设备中造成的异常问题(划痕或水渍)。艺设备中造成的异常问题(划痕或水渍)。艺设备中造成的异常问题(划痕或水渍)。
技术研发人员：赵若云 施海铭 包中诚 曹玖明
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2022.03.28
技术公布日：2022/7/5
