1.本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶圆翘曲度优化方法、晶圆翘曲度优化装置和机台。
背景技术：2.在半导体制造过程中，随着晶圆表面堆叠各种材料层以及各种半导体器件，会对晶圆表面产生各种应力，使晶圆发生翘曲。翘曲，是指晶圆发生形变而不平整的现象。在晶圆生产过程中，由于晶圆所受应力的不均匀性，会形成各种不对称形状的翘曲，翘曲会导致诸多的问题，例如，氮氧堆叠层脱落，晶圆破裂，版图对准性能不稳定，光刻精度变差；此外，在部分的工艺制程中，需要使用吸附工具固定住晶圆，若晶圆翘曲度过大，则难以吸附固定，从而导致工艺无法进行。这些问题都会导致产品性能不稳定，并降低产品产出率及良率。
3.传统上对晶圆翘曲度的优化是在晶圆背面沉积一层硅化物薄膜，例如通过化学气象沉积的氮化硅薄膜，经过沉积-光刻-蚀刻-酸洗步骤，通过晶圆背面硅化物薄膜应力的调整来优化晶圆所受应力，从而改善晶圆翘曲度；但是传统的改善晶圆翘曲度的方法缺陷明显，一是会增加额外的工艺步骤，降低产出率及提高成本；二是晶背硅化物酸洗去除工艺不成熟，晶面需先沉积酸洗牺牲层，去除时有可能会损伤晶面器件进而影响晶圆质量。
技术实现要素：4.基于此，有必要针对上述背景技术中的问题，提供一种晶圆翘曲度优化方法和装置，以简化晶圆翘曲度优化工艺，减少工艺步骤，降低成本，改善晶圆质量。
5.本技术公开了一种晶圆翘曲度优化方法，包括：检测晶圆的翘曲状态，并获取晶圆的翘曲度；根据翘曲状态和翘曲度确定应力组合，应力组合包括对晶圆的不同区域施加的不同吸附力；根据应力组合控制多极静电吸盘对晶圆施加吸附力，以对晶圆进行应力削减；其中，多极静电吸盘包括多个静电吸附区域，各静电吸附区域配置有对应的供电电源。
6.上述晶圆翘曲度优化方法，通过调整多极静电吸盘施加在晶圆不同区域上的吸附力来对晶圆进行翘曲度优化，可以与现有工艺相结合，无需额外增加工艺步骤，与传统的晶圆翘曲度优化方法相比，简化了工艺流程，节省了时间和成本；并且，晶圆翘曲度控制更加灵活，提高了制程稳定性，优化了产品质量。
7.在其中一个实施例中，检测晶圆的翘曲状态，并获取晶圆的翘曲度，包括：于晶圆的上表面选择若干测量点，获取若干测量点与翘曲检测探头之间的距离数据；其中，测量点至少分布于晶圆的中心区域和边缘区域；根据距离数据确定晶圆的翘曲状态，并计算得到晶圆的翘曲度。
8.在其中一个实施例中，根据翘曲状态和翘曲度确定应力组合，包括：若晶圆的中间区域向下凹陷且边缘区域向上弯曲，则确定应力组合为压应力组合，以在晶圆的背面施加压应力；若晶圆的中间区域向上凸起且边缘区域向下弯曲，则确定应力组合为拉应力组合，
以在晶圆的背面施加拉应力；其中，应力组合包括施加在中间区域的第一吸附力和施加在边缘区域的第二吸附力；在压应力组合中，第一吸附力小于第二吸附力，在拉应力组合中，第一吸附力大于第二吸附力。
9.在其中一个实施例中，在根据翘曲状态和翘曲度确定应力组合之前，还包括：判断翘曲度是否大于或等于预设阈值；若是，则根据翘曲状态和翘曲度确定应力组合；反之，则无需对晶圆进行翘曲度优化。
10.在其中一个实施例中，多极静电吸盘包括多个静电吸附区域，各静电吸附区域配置有对应的供电电源；根据应力组合控制多极静电吸盘对晶圆施加吸附力，以对晶圆进行应力削减，包括：根据各测量点与翘曲检测探头之间的距离数据设置各供电电源的输出电压，控制各静电吸附区域在晶圆上施加吸附力。
11.一种晶圆翘曲度优化装置，包括：晶圆翘曲度检测装置，用于检测晶圆的翘曲状态，并获取晶圆的翘曲度；处理器，与晶圆翘曲度检测装置连接，用于获取晶圆的翘曲状态和翘曲度，并根据翘曲状态和翘曲度确定应力组合，应力组合包括对晶圆的不同区域施加的不同吸附力；多极静电吸盘，与处理器连接，用于根据应力组合对晶圆施加吸附力，以对晶圆进行应力削减。
12.在其中一个实施例中，晶圆翘曲度检测装置还包括静电吸盘供电模块，与所述处理器和所述多极静电吸盘连接，用于向所述多极静电吸盘供电。
13.在其中一个实施例中，多极静电吸盘包括多个静电吸附区域，各静电吸附区域配置有对应的供电电源；处理器根据晶圆不同区域的上表面与翘曲检测探头之间的距离数据，计算得到各供电电源的输出电压。
14.在其中一个实施例中，多极静电吸盘包括多极环形静电吸盘或多极矩阵形静电吸盘。
15.本技术还公开了一种机台，包括前述任一实施例中的晶圆翘曲度优化装置。
附图说明
16.图1为本技术一实施例中晶圆翘曲度优化方法的流程框图。
17.图2为本技术一实施例中测量晶圆翘曲度的工艺示意图。
18.图3为本技术一实施例中晶圆翘曲度优化装置的结构框图。
19.图4为本技术另一实施例中晶圆翘曲度优化装置的结构框图。
20.图5为本技术另一实施例中静电吸盘供电模块的电路结构图。
21.图6为本技术一实施例中多极静电吸盘的俯视图。
22.图7为本技术一实施例中多极静电吸盘与供电电源的连接方式。
23.图8为本技术一实施例中施加在晶圆上的吸附力的分布示意图。
24.图9为本技术另一实施例中施加在晶圆上的吸附力的分布示意图。
25.图10为本技术另一实施例中多极静电吸盘的俯视图。
26.图11为本技术又一实施例中多极静电吸盘的俯视图。
27.附图标号说明：
28.10、晶圆；20、晶圆缺口标记对准装置；11、晶圆翘曲度检测装置；111、翘曲检测探头；12、处理器；13、多极静电吸盘；14、供电电源；15、静电吸盘供电模块。
具体实施方式
29.为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
30.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
31.在描述位置关系时，除非另有规定，否则当一元件例如层、膜或基板被指为在另一膜层“上”时，其能直接在其他膜层上或亦可存在中间膜层。进一步说，当层被指为在另一层“下”时，其可直接在下方，亦可存在一或多个中间层。亦可以理解的是，当层被指为在两层“之间”时，其可为两层之间的唯一层，或亦可存在一或多个中间层。
32.在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下，除非使用了明确的限定用语，例如“仅”、“由
……
组成”等，否则还可以添加另一部件。除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式，并不能理解为其数量为一个。
33.翘曲，是指晶圆发生形变而不平整的现象。在晶圆生产过程中，由于晶圆所受应力的不均匀性，会形成各种不对称形状的翘曲。晶圆的翘曲状态至少包括两种情况，一种是晶圆边缘向下弯曲、中间凸起，此时晶圆的上表面受到的应力为拉应力；另一种是晶圆边缘向上弯曲、中间凹陷，此时晶圆的上表面受到的应力为压应力。晶圆的翘曲度可以用来描述晶圆形变的程度。若晶圆翘曲度过大，可能会造成器件脱落、晶圆破裂以及光刻精度变差等问题，导致产品性能不稳定，降低产品产出率和良率。
34.传统工艺中，对晶圆翘曲度的优化方法是在晶圆的背面沉积一层硅化物薄膜，利用硅化物薄膜的应力来优化晶圆所受应力。然而，这种方法增加了额外的工艺步骤，会降低产出率，提高成本，并且在去除该硅化物薄膜时容易对晶圆器件造成损伤，影响晶圆质量。
35.为了解决上述问题，如图1所示，本技术的一个实施例公开了一种晶圆翘曲度优化方法，包括：
36.s10：检测晶圆的翘曲状态，并获取所述晶圆的翘曲度；
37.s20：根据所述翘曲状态和所述翘曲度确定应力组合，所述应力组合包括对所述晶圆的不同区域施加的不同吸附力；
38.s30：根据所述应力组合控制多极静电吸盘对所述晶圆施加吸附力，以对所述晶圆进行应力削减；其中，多极静电吸盘包括多个静电吸附区域，各静电吸附区域配置有对应的供电电源。
39.上述晶圆翘曲度优化方法，通过调整多极静电吸盘施加在晶圆不同区域上的吸附力来对晶圆进行翘曲度优化，可以与现有工艺相结合，无需额外增加工艺步骤，与传统的晶圆翘曲度优化方法相比，简化了工艺流程，节省了时间和成本；并且，晶圆翘曲度控制更加灵活，提高了制程稳定性，优化了产品质量。
40.在步骤s10中，可以采用晶圆翘曲度检测装置测量晶圆10的翘曲状态，获取晶圆10的翘曲度。示例地，可以在机台原有的结构上加装晶圆翘曲度检测装置，例如在晶圆缺口标
记对准装置20上加装晶圆翘曲度检测装置，如图2所示。这样，既可以对晶圆10进行翘曲度检测，也不会不过多地占用空间，同时也不会影响晶圆10的传送，确保晶圆10的wph(wafer per hour，每小时晶圆吞吐量)不受影响。
41.示例地，采用晶圆翘曲度检测装置测量晶圆翘曲度的示意图如图2所示。其中，翘曲度检测装置包括翘曲检测探头111，翘曲检测探头111沿一基准线在晶圆10上方水平移动，测量晶圆10上表面与翘曲检测探头111之间的距离数据。具体地，检测晶圆10的翘曲状态，并获取晶圆10的翘曲度的步骤包括：
42.s11：于晶圆10的上表面选择若干测量点，获取若干测量点与翘曲检测探头111之间的距离数据；其中，测量点至少分布于晶圆10的中心区域和边缘区域；
43.s12：根据距离数据确定晶圆10的翘曲状态，并计算得到晶圆10的翘曲度。
44.示例地，如图2所示，测量点可以包括第一测量点、第二测量点和第三测量点，分别在晶圆10的左侧边缘区域、中心区域和右侧边缘区域。第一测量点与翘曲检测探头111之间的距离数据记为d1，第二测量点与翘曲检测探头111之间的距离数据记为d2，第三测量点与翘曲检测探头111之间的距离数据记为d3。
45.示例地，第二测量点为晶圆10圆心，为了提高距离数据d2的准确度和可靠度，可以在第二测量点的周围增设多个辅助测量点。例如，在距离第二测量点
±
5mm以内的范围内选择若干个辅助测量点，然后依次测量第二测量点以及各个辅助测量点与翘曲检测探头111之间的距离数据，最后求得平均值，作为距离数据d2。可选地，为了提高距离数据d2的精度，还可以采用其他数据处理方式，本技术对此不做限制。
46.第一测量点位于图2所示晶圆10的左侧边缘区域，第三测量点位于图2所示晶圆10的右侧边缘区域。示例地，第一测量点与晶圆10圆心之间的距离可以为120mm至160mm，例如为120mm、130mm、140mm、150mm或160mm，该距离可以根据晶圆10的尺寸进行相应的调整。第三测量点与晶圆10圆心之间的距离等于第一测量点与晶圆10圆心之间的距离。距离数据d1、d3的获取可以参考距离数据d2的获取方式，在此不再赘述。
47.根据距离数据d1、d2和d3可以判断出当前晶圆10的翘曲状态。例如，当d2小于d1且d2小于d3，则晶圆10的中间区域向上凸起且边缘区域向下弯曲；当d2大于d1且d2大于d3，则晶圆10的中间区域向下凹陷且边缘区域向上弯曲。进一步地，将距离数据d1、d2和d3代入翘曲度计算公式，可以得到当前晶圆10的翘曲度。
48.在步骤s20中，处理器根据翘曲状态和翘曲度确定应力组合。
49.可选地，在一些实施例中，根据翘曲状态和翘曲度确定应力组合之前，可以先判断翘曲度是否大于或等于预设阈值。若翘曲度大于或等于预设阈值，则需要对晶圆10进行翘曲优化，那么处理器根据翘曲状态和翘曲度确定应力组合；若翘曲度小于预设阈值，则说明晶圆10当前的翘曲程度并不严重，无需对晶圆10进行翘曲优化。
50.具体地，根据翘曲状态和翘曲度确定应力组合的步骤包括：若晶圆10的中间区域向下凹陷且边缘区域向上弯曲，则确定应力组合为压应力组合，以在晶圆10的背面施加压应力；若晶圆10的中间区域向上凸起且边缘区域向下弯曲，则确定应力组合为拉应力组合，以在晶圆10的背面施加拉应力；其中，应力组合包括施加在中间区域的第一吸附力和施加在边缘区域的第二吸附力；在压应力组合中，第一吸附力小于第二吸附力，在拉应力组合中，第一吸附力大于第二吸附力。
51.示例地，当晶圆10的中间区域向下凹陷且边缘区域向上弯曲，则晶圆10的背面(即下表面)受到从中心指向边缘的拉应力，为了对该拉应力进行削减，可以利用静电吸盘对晶圆10的边缘区域施加较大的第二吸附力，对晶圆10的中间区域施加较小的第一吸附力，以在晶圆10的背面产生从边缘指向中心的压应力，抵消晶圆10背面所受到的拉应力。
52.示例地，当晶圆10的中间区域向上凸起且边缘区域向下弯曲，则晶圆10的背面受到从边缘指向中心的压应力，为了对该压应力进行削减，可以利用静电吸盘对晶圆10的中间区域施加较大的第一吸附力，对晶圆10的边缘区域施加较小的第二吸附力，以在晶圆10的上表面产生从中心指向边缘的拉应力，抵消晶圆10背面所受到的压应力。
53.可选地，应力组合中的吸附力可以分为多个级别，不局限于第一吸附力和第二吸附力。吸附力级别的数量与多极静电吸盘中的吸附区域数量相对应。例如，当多极静电吸盘具有n个吸附区域时，吸附力可以划分为n个级别，n大于等于2。其中，各级别吸附力的大小与晶圆10上表面和翘曲检测探头111之间的距离数据相关。例如，晶圆10某个区域的上表面与翘曲检测探头111之间的距离越小，则多极静电吸盘施加在该区域的吸附力越大。
54.在步骤s30中，根据前述步骤确定的应力组合，控制多极静电吸盘对晶圆10施加吸附力，以对晶圆10进行应力削减；其中，多极静电吸盘包括多个静电吸附区域，各静电吸附区域配置有对应的供电电源。
55.具体地，多极静电吸盘可以包括多个静电吸附区域，各静电吸附区域配置有对应的供电电源。处理器确定应力组合之后，根据各测量点与翘曲检测探头111之间的距离数据设置各供电电源的输出电压，控制各静电吸附区域在晶圆10不同区域上施加不同大小的吸附力，实现对晶圆10的应力削减。
56.如图3所示，本技术的一个实施例还公开了一种晶圆翘曲度优化装置，包括：晶圆翘曲度检测装置11，用于检测晶圆10的翘曲状态，并获取晶圆10的翘曲度；处理器12，与晶圆翘曲度检测装置11连接，用于获取晶圆10的翘曲状态和翘曲度，并根据翘曲状态和翘曲度确定应力组合，应力组合包括对晶圆10的不同区域施加的不同吸附力；多极静电吸盘13，与处理器12连接，用于根据应力组合对晶圆10施加吸附力，以对晶圆10进行应力削减。
57.上述晶圆翘曲度优化装置，通过调整多极静电吸盘施加在晶圆不同区域上的吸附力来对晶圆进行翘曲度优化，无需额外增加工艺步骤，可以简化工艺流程，节省时间和成本；并且，晶圆翘曲度控制更加灵活，可以提高制程稳定性，优化产品质量。
58.示例地，晶圆翘曲度检测装置11可以安装在机台原有的结构上，例如在晶圆缺口标记对准装置20上加装晶圆翘曲度检测装置11。这样，既可以对晶圆10进行翘曲度检测，也不会不过多地占用空间，同时也不会影响晶圆10的传送，确保晶圆10的wph不受影响。
59.在一个实施例中，请继续参考图2，晶圆翘曲度检测装置11包括翘曲检测探头111，翘曲检测探头111沿基准线移动，用于测量翘曲检测探头111与晶圆10的上表面之间的距离。
60.示例地，翘曲检测探头111沿一基准线在晶圆10上方水平移动，测量晶圆10上表面与翘曲检测探头111之间的距离数据。根据测得的距离数据，晶圆翘曲度检测装置11可以确定晶圆10的翘曲状态和翘曲度。具体的测量方法在前述实施例中已经做过阐述，在此不再赘述。
61.示例地，处理器12可以是cpu单元、单片机或者电脑，处理器12与晶圆翘曲度检测
装置11连接，获取晶圆10的翘曲状态和翘曲度，以及各个测量点与翘曲检测探头111之间的距离数据。处理器12根据翘曲状态和翘曲度确定应力组合。多极静电吸盘13与处理器12连接，根据应力组合对晶圆10施加吸附力，以对晶圆10进行应力削减。
62.在一个实施例中，如图4所示，晶圆翘曲度优化装置还包括静电吸盘供电模块15，静电吸盘供电模块15与处理器12和多极静电吸盘13连接，用于向多极静电吸盘13供电。示例地，处理器12在获取晶圆10的翘曲状态和翘曲度之后，根据翘曲状态和翘曲度确定应力组合，并将应力组合换算为对应的电压信号发送至静电吸盘供电模块15，控制静电吸盘供电模块15对多极静电吸盘13供电，对晶圆10进行应力削减。作为示例，静电吸盘供电模块15的电路结构如图5所示。
63.在图5中，静电吸盘供电模块15具有三个电压输出端，处理器12将换算得到的电压信号发送至静电吸盘供电模块15，电压信号包括正、负、正三个电压信号，分别对应多极静电吸盘13上的三个静电吸附区域。静电吸盘供电模块15中包括dc/dc转换器，可将输入的电压信号转换为特定的直流电压进行输出。直流电压信号从输出端e1、e2和e3输出，经过滤波器滤波后传输至多极静电吸盘。可选地，如图5所示，静电吸盘供电模块15中还设置有安全互锁单元(intlk)和电压/电流检测模块。
64.示例地，如图5所示，射频发生器与功率耦合器连接，经由隔离直流电容(例如c1、c2和c3)后连接至多极静电吸盘13，用于在工艺腔室中产生感应电场。
65.需要注意的是，静电吸盘供电模块15的电压输出端可以根据多极静电吸盘13中的静电吸附区域的数量进行相应调整，本技术对此不做限制。
66.在一个实施例中，多极静电吸盘13包括多个静电吸附区域，各静电吸附区域配置有对应的供电电源14；处理器12根据晶圆10不同区域的上表面与翘曲检测探头111之间的距离数据，计算得到各供电电源14的输出电压。
67.示例地，处理器12可以将距离数据转换为供电电源14的输出电压值，并传输至各个供电电源14的控制端，使得各个供电电源14按照该输出电压值工作，控制各个静电吸附区域向晶圆10施加吸附力。例如，当距离数据越小，说明晶圆10上表面距离翘曲检测探头111越近，那么需要施加在该区域的吸附力越大，因此，与该静电吸附区域相连的供电电源14的输出电压值越大。
68.作为示例，多极静电吸盘13可以为多极环形静电吸盘，包括三个环形静电吸附区域，其俯视图如图4所示，各个环形静电吸附区域与供电电源14的连接方式如图5所示，供电电源14的输出电压数据依次为v1、v2和v3，施加在晶圆10上的吸附力数据依次为f1、f2和f3。
69.如图6所示，当晶圆10的翘曲状态为中间区域向下凹陷且边缘区域向上弯曲时，晶圆10上表面与翘曲检测探头111之间的距离数据可以参考图2，其中，d2大于d1和d3，因此，v2小于v1和v3，f2小于f1和f3。如图7所示，当晶圆10的翘曲状态为中间区域向上凸起且边缘区域向下弯曲时，则v2大于v1和v3，f1大于f2和f3。
70.在一个实施例中，多极静电吸盘13可以为多极环形静电吸盘如图8所示。其中，多极环形静电吸盘包括n个环形静电吸附区域，n大于等于2。每个环形静电吸附区域配备有对应的供电电源14。环形静电吸附区域施加在晶圆10上的吸附力与供电电源14的输出电压呈正相关，供电电源14的输出电压与晶圆上表面和翘曲检测探头111之间的距离数据负相关。
71.可选地，多极静电吸盘13可以为多极矩阵形静电吸盘，如图9所示，示例地，可以为每个矩形区域都设置供电电源14，也可以根据需要将若干矩形区域作为一个整体，连接至同一个供电电源14，以形成特定形状的静电吸附区域。例如，当晶圆10出现不规则的翘曲状况时，采用多极环形静电吸盘无法取得较好的应力削减效果，此时，通过对多极矩阵形静电吸盘中的矩阵区域进行适应性的划分，有针对性地对晶圆10中发生翘曲的部分进行应力削减，可以改善晶圆翘曲的优化效果。
72.本技术还公开了一种机台，包括前述任一实施例中的晶圆翘曲度优化装置。
73.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
74.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
技术特征：1.一种晶圆翘曲度优化方法，其特征在于，包括：检测晶圆的翘曲状态，并获取所述晶圆的翘曲度；根据所述翘曲状态和所述翘曲度确定应力组合，所述应力组合包括对所述晶圆的不同区域施加的不同吸附力；根据所述应力组合控制多极静电吸盘对所述晶圆施加吸附力，以对所述晶圆进行应力削减；其中，所述多极静电吸盘包括多个静电吸附区域，各所述静电吸附区域配置有对应的供电电源。2.根据权利要求1所述的晶圆翘曲度优化方法，其特征在于，所述检测晶圆的翘曲状态，并获取所述晶圆的翘曲度，包括：于所述晶圆的上表面选择若干测量点，获取所述若干测量点与翘曲检测探头之间的距离数据；其中，所述测量点至少分布于所述晶圆的中心区域和边缘区域；根据所述距离数据确定所述晶圆的翘曲状态，并计算得到所述晶圆的翘曲度。3.根据权利要求2所述的晶圆翘曲度优化方法，其特征在于，所述根据所述翘曲状态和所述翘曲度确定应力组合，包括：若所述晶圆的中间区域向下凹陷且边缘区域向上弯曲，则确定所述应力组合为压应力组合，以在所述晶圆的背面施加压应力；若所述晶圆的中间区域向上凸起且边缘区域向下弯曲，则确定所述应力组合为拉应力组合，以在所述晶圆的背面施加拉应力；其中，所述应力组合包括施加在所述中间区域的第一吸附力和施加在所述边缘区域的第二吸附力；在所述压应力组合中，所述第一吸附力小于所述第二吸附力，在所述拉应力组合中，所述第一吸附力大于所述第二吸附力。4.根据权利要求3所述的晶圆翘曲度优化方法，其特征在于，在根据所述翘曲状态和所述翘曲度确定应力组合之前，还包括：判断所述翘曲度是否大于或等于预设阈值；若是，则根据所述翘曲状态和所述翘曲度确定所述应力组合；反之，则无需对所述晶圆进行翘曲度优化。5.根据权利要求2-4任一项所述的晶圆翘曲度优化方法，其特征在于，所述根据所述应力组合控制多极静电吸盘对所述晶圆施加吸附力，以对所述晶圆进行应力削减，包括：根据各测量点与所述翘曲检测探头之间的距离数据设置各供电电源的输出电压，控制各所述静电吸附区域在所述晶圆上施加吸附力。6.一种晶圆翘曲度优化装置，其特征在于，包括：晶圆翘曲度检测装置，用于检测晶圆的翘曲状态，并获取所述晶圆的翘曲度；处理器，与所述晶圆翘曲度检测装置连接，用于获取所述晶圆的翘曲状态和翘曲度，并根据所述翘曲状态和所述翘曲度确定应力组合，所述应力组合包括对所述晶圆的不同区域施加的不同吸附力；多极静电吸盘，与所述处理器连接，用于根据所述应力组合对所述晶圆施加吸附力，以对所述晶圆进行应力削减。7.根据权利要求6所述的晶圆翘曲度优化装置，其特征在于，还包括：静电吸盘供电模块，与所述处理器和所述多极静电吸盘连接，用于向所述多极静电吸
盘供电。8.根据权利要求7所述的晶圆翘曲度优化装置，其特征在于，所述多极静电吸盘包括多个静电吸附区域，各所述静电吸附区域配置有对应的供电电源；所述处理器根据所述晶圆不同区域的上表面与所述翘曲检测探头之间的距离数据，计算得到各所述供电电源的输出电压。9.根据权利要求6-8任一项所述的晶圆翘曲度优化装置，其特征在于，所述多极静电吸盘包括多极环形静电吸盘或多极矩阵形静电吸盘。10.一种机台，其特征在于，包括如权利要求6-9任一项所述的晶圆翘曲度优化装置。
技术总结本发明涉及一种晶圆翘曲度优化方法、晶圆翘曲度优化装置和机台。该晶圆翘曲度优化方法包括：检测晶圆的翘曲状态，并获取所述晶圆的翘曲度；根据所述翘曲状态和所述翘曲度确定应力组合，所述应力组合包括对所述晶圆的不同区域施加的不同吸附力；根据所述应力组合控制多极静电吸盘对所述晶圆施加吸附力，以对所述晶圆进行应力削减；其中，多极静电吸盘包括多个静电吸附区域，各静电吸附区域配置有对应的供电电源。上述晶圆翘曲度优化方法，简化了工艺流程，节省了时间和成本；并且，晶圆翘曲度控制更加灵活，提高了制程稳定性，优化了产品质量。优化了产品质量。优化了产品质量。
技术研发人员：伍林 马晓
受保护的技术使用者：广州粤芯半导体技术有限公司
技术研发日：2022.03.17
技术公布日：2022/7/5
