1.本发明涉及陶瓷电容器制作工艺技术领域，尤其涉及一种用于片式陶瓷电容器的陶瓷膜片制作方法及片式陶瓷电容器。
背景技术：2.片式多层陶瓷电容器(mlcc)，是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层(外电极)，从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。
3.现有mlcc生产工艺流程包括：首先需调浆，即将陶瓷粉和粘合剂、溶剂等按一定比例经过球磨，形成陶瓷浆料；之后将陶瓷浆料通过流延机的浇注口，将其涂布在绕行的pet膜(film)或离型膜上，形成一层均匀的浆料薄层，再通过高温、干燥、定型、剥离，脱膜成型得到陶瓷膜片，一般厚度在10-30μm；然后在介质薄膜上进行内部电极印刷，并将印有内电极的陶瓷介质膜片堆叠热压形成多电容器并联，切割、去粘结剂后高温烧结成一个不可分割的整体电子元器件，然后在电子元器件的端部沾涂外电极，使之与内电极形成良好的电气连接，形成mlcc的两极。
4.随着mlcc高容化和微型化的发展，在离型膜上流延的陶瓷介质生膜厚度越来越小，这就需要离型膜有更轻微的粘性，利于陶瓷介质生膜叠层制作过程中将流延在离型膜上的陶瓷介质生膜剥离并搬运堆叠。但是由于陶瓷介质生膜厚度薄，生膜边缘易从离型膜上脱落，从而产生碎膜屑，碎膜屑会污染陶瓷介质生膜，最终导致做出的micc失效。
技术实现要素：5.本发明的目的是为解决上述技术问题的不足而提供一种可有效避免陶瓷介质生膜在剥离基材时边沿脱落从而提高陶瓷介质生膜质量的陶瓷膜片制作方法及片式陶瓷电容器。
6.为了实现上述目的，本发明公开了一种用于片式陶瓷电容器的陶瓷膜片制作方法，其包括：
7.提供一基膜，并将所述基膜的表面区域划分为位于中部的主区域和位于所述主区域相对两侧的边缘区域；
8.在所述基膜的主区域铺设离型膜；
9.将调配好的陶瓷浆料流延在所述离型膜上，并使得所述陶瓷浆料越过所述离型膜所在的主区域而进入所述边缘区域；
10.对所述陶瓷浆料进行干燥处理，以得到陶瓷介质生膜，所述陶瓷介质生膜与所述基膜的粘附力大于与所述离型膜的粘附力；
11.将位于所述离型膜上的所述陶瓷介质生膜剥离，以得到所需的陶瓷膜片。
12.较佳地，所述陶瓷介质生膜的宽度大于所述离型膜的宽度而小于所述基膜的宽度。
13.较佳地，所述陶瓷介质生膜的边沿接近所述边缘区域的中轴线。
14.较佳地，所述基膜宽度为170～190mm，所述离型膜的宽度为110～175mm，所述陶瓷介质生膜的宽度为140～180mm。
15.较佳地，所述基膜宽度为250～270mm，所述离型膜的宽度为180～255mm，所述陶瓷介质生膜的宽度为210～260mm。
16.较佳地，所述基膜宽度为340～370mm，所述离型膜的宽度为290～345mm，所述陶瓷介质生膜的宽度为300～360mm。
17.较佳地，铺设离型膜的方法包括：
18.仅在所述基膜的主区域涂覆离型材料，并进行干燥处理，以得到所述离型膜。
19.较佳地，所述基膜包括pet、pe、opp膜中的任一种。
20.较佳地，所述陶瓷介质生膜的厚度小于1μm。
21.本发明还公开一种片式陶瓷电容器，其包括若干层层叠在一起的陶瓷膜片，所述陶瓷膜片采用如上所述的陶瓷膜片制作方法制作而成。
22.与现有技术相比，本发明陶瓷膜片制作方法，将离型膜与基膜结合，也即将离型膜铺设在基膜的中间部分，在离型膜上流延陶瓷浆料时，使得陶瓷浆料流延到离型膜外部的基膜上，从而使得生成的陶瓷介质生膜的宽度大于离型膜的宽度，这样，由于陶瓷介质生膜与基膜的粘附力大于与离型膜的粘附力，使得陶瓷介质生膜在离型膜的边沿处的粘附力比较大，从而，从离型膜上剥离陶瓷介质生膜时，位于离型膜边沿处的陶瓷介质生膜不易脱落碎膜屑，进而提高了所得到的陶瓷膜片的质量和通过该陶瓷膜片制成的片式陶瓷电容器的良品率。
附图说明
23.图1为本发明实施例中离型膜与基膜的贴合结构示意图。
24.图2为本发明实施例中生成陶瓷介质生膜后的平面结构示意图。
25.图3为本发明实施例中制作陶瓷膜片工艺流程图。
具体实施方式
26.为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
27.本实施例公开了一种片式陶瓷电容器(英文名称为mlcc)，该片式陶瓷电容器由若干陶瓷膜片层叠而成，陶瓷膜上错位设置有内电极。在叠放陶瓷膜片的过程中，如果陶瓷膜片上粘附有碎膜屑，将有很大概率导致制作成的片式陶瓷电容器出现质量问题，为解决该问题，如图1至图3，本实施例中的陶瓷膜片通过如下步骤制作而成：
28.s1：提供一基膜l1，并将基膜l1的表面区域划分为位于中部的主区域q1和位于主区域q1相对两侧的边缘区域q2。
29.s2：在基膜l1的主区域q1铺设离型膜l2，由于边缘区域q2没有离型膜l2，因此，离型膜l2的宽度小于基膜l1的宽度。
30.s3：将调配好的陶瓷浆料流延在离型膜l2上，并使得陶瓷浆料越过离型膜l2所在的主区域q1而进入边缘区域q2。本实施例中，关于陶瓷浆料的配方和调配方式属于本领域
的公知技术常识，在此不再赘述。
31.s4：对陶瓷浆料进行干燥(如烘干)处理，以得到陶瓷介质生膜l3，该陶瓷介质生膜l3覆盖离型膜l2，以及基膜l1的边沿区域的至少与主区域q1接触的一部分，陶瓷介质生膜l3与基膜l1的粘附力大于与离型膜l2的粘附力。
32.s5：将位于离型膜l2上的陶瓷介质生膜l3剥离，以得到所需的陶瓷膜片。
33.在上述实施例中，由于陶瓷介质生膜l3与基膜l1的粘附力大于与离型膜l2的粘附力，使得陶瓷介质生膜l3在离型膜l2的边沿处的粘附力比较大，这样，从离型膜l2上剥离陶瓷介质生膜l3时，位于离型膜l2边沿处的陶瓷介质生膜l3不易脱落碎膜屑，进而提高了所得到的陶瓷膜片的质量和通过该陶瓷膜片制成的片式陶瓷电容器的良品率。通过上述实施例中的陶瓷膜片制作方法所得到的陶瓷介质生膜l3的厚度可小于1μm，从而实现超薄高质量陶瓷膜片的制作。
34.为节约陶瓷浆料，生成的陶瓷介质生膜l3的宽度大于离型膜l2的宽度而小于基膜l1的宽度。也即，流延陶瓷浆料时，使得陶瓷浆料仅覆盖边缘区域q2内靠近主区域q1的一部分，而不是将边缘区域q2全部覆盖。较佳地，陶瓷介质生膜l3的边沿接近边缘区域q2的中轴线z1。
35.具体地，基膜l1宽度为170～190mm，离型膜l2的宽度为110～175mm，陶瓷介质生膜l3的宽度为140～180mm。
36.更具体地，基膜l1宽度为250～270mm，离型膜l2的宽度为180～255mm，陶瓷介质生膜l3的宽度为210～260mm。
37.更具体地，基膜l1宽度为340～370mm，离型膜l2的宽度为290～345mm，陶瓷介质生膜l3的宽度为300～360mm。
38.进一步地，上述实施例中铺设离型膜l2的方法包括：仅在基膜l1的主区域q1涂覆离型材料，并进行干燥处理，以得到离型膜l2。本实施例中，该离型材料为有机硅或含氟有机硅材料。
39.另外，上述实施例中的基膜l1包括pet、pe、opp膜中的任一种。
40.以上所揭露的仅为本发明的优选实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
技术特征：1.一种用于片式陶瓷电容器的陶瓷膜片制作方法，其特征在于，包括：提供一基膜，并将所述基膜的表面区域划分为位于中部的主区域和位于所述主区域相对两侧的边缘区域；在所述基膜的主区域铺设离型膜；将调配好的陶瓷浆料流延在所述离型膜上，并使得所述陶瓷浆料越过所述离型膜所在的主区域而进入所述边缘区域；对所述陶瓷浆料进行干燥处理，以得到陶瓷介质生膜，所述陶瓷介质生膜与所述基膜的粘附力大于与所述离型膜的粘附力；将位于所述离型膜上的所述陶瓷介质生膜剥离，以得到所需的陶瓷膜片。2.根据权利要求1所述的用于片式陶瓷电容器的陶瓷膜片制作方法，其特征在于，所述陶瓷介质生膜的宽度大于所述离型膜的宽度而小于所述基膜的宽度。3.根据权利要求2所述的用于片式陶瓷电容器的陶瓷膜片制作方法，其特征在于，所述陶瓷介质生膜的边沿接近所述边缘区域的中轴线。4.根据权利要求2所述的用于片式陶瓷电容器的陶瓷膜片制作方法，其特征在于，所述基膜宽度为170～190mm，所述离型膜的宽度为110～175mm，所述陶瓷介质生膜的宽度为140～180mm。5.根据权利要求2所述的用于片式陶瓷电容器的陶瓷膜片制作方法，其特征在于，所述基膜宽度为250～270mm，所述离型膜的宽度为180～255mm，所述陶瓷介质生膜的宽度为210～260mm。6.根据权利要求2所述的用于片式陶瓷电容器的陶瓷膜片制作方法，其特征在于，所述基膜宽度为340～370mm，所述离型膜的宽度为290～345mm，所述陶瓷介质生膜的宽度为300～360mm。7.根据权利要求1所述的用于片式陶瓷电容器的陶瓷膜片制作方法，其特征在于，铺设离型膜的方法包括：仅在所述基膜的主区域涂覆离型材料，并进行干燥处理，以得到所述离型膜。8.根据权利要求1所述的用于片式陶瓷电容器的陶瓷膜片制作方法，其特征在于，所述基膜包括pet、pe、opp膜中的任一种。9.根据权利要求1所述的用于片式陶瓷电容器的陶瓷膜片制作方法，其特征在于，所述陶瓷介质生膜的厚度小于1μm。10.一种片式陶瓷电容器，其特征在于，包括若干层层叠在一起的陶瓷膜片，所述陶瓷膜片采用如权利要求1至9任一项所述的陶瓷膜片制作方法制作而成。
技术总结本发明公开了一种陶瓷膜片制作方法及片式陶瓷电容器，该方法包括：提供一基膜，并将基膜的表面区域划分为位于中部的主区域和位于主区域相对两侧的边缘区域；在基膜的主区域铺设离型膜；将调配好的陶瓷浆料流延在离型膜上，并使得陶瓷浆料越过离型膜所在的主区域而进入边缘区域；对陶瓷浆料进行干燥处理，以得到陶瓷介质生膜，陶瓷介质生膜与基膜的粘附力大于与离型膜的粘附力；将位于离型膜上的陶瓷介质生膜剥离，以得到所需的陶瓷膜片；通过上述方法，从离型膜上剥离陶瓷介质生膜时，位于离型膜边沿处的陶瓷介质生膜不易脱落碎膜屑，进而提高了所得到的陶瓷膜片的质量和通过该陶瓷膜片制成的片式陶瓷电容器的良品率。陶瓷膜片制成的片式陶瓷电容器的良品率。陶瓷膜片制成的片式陶瓷电容器的良品率。
技术研发人员：杨俊 敬文平 韩玮 邓国平 何小燕 江志聪 唐迎春 杨雪屏
受保护的技术使用者：深圳市宇阳科技发展有限公司
技术研发日：2022.03.28
技术公布日：2022/7/5
