1.本实用新型涉及压电石英晶体领域，更具体地，涉及一种多芯片陶瓷封装多路输出晶振。
背景技术：2.随着晶振的发展和使用场合的升级，晶振小型化、集约化、高可靠性的要求越来越突出，然而，目前多频率输出的晶振结构冗杂，越来越不符合时代需求。
技术实现要素：3.本实用新型的目的是为了提供一种结构简单、使用可靠的多芯片陶瓷封装多路输出晶振，解决现有多频率输出的晶振结构的冗杂问题，在实现晶振的小型化、集约化和高可靠性的同时，有利于实现多频率输出、多波形输出或多频率多波形输出。
4.本实用新型采用的技术方案是：
5.一种多芯片陶瓷封装多路输出晶振，包括陶瓷基座、设于陶瓷基座内的芯片和石英晶片、设于陶瓷基座上的盖板，其技术要点是：所述陶瓷基座内设有上、下两层布置空间，所述芯片的数量为两个以上且各个芯片设于陶瓷基座的下层空间内，各个芯片级联且首个芯片的输入端与设于陶瓷基座上层空间中的石英晶片连接，各个芯片的信号输出端与设于陶瓷基座外周的焊盘连接；所述芯片中集成有反相器、与反相器的输出端连接的频率合成单元、与频率合成单元的输出端连接的波形转换单元，首个芯片的反相器的输入端与石英晶片的端子连接，其他芯片的反相器的输入端与上一级芯片的信号输出端连接。
6.上述的多芯片陶瓷封装多路输出晶振，所述芯片的数量为两个，首个芯片的输入端与设于陶瓷基座上层空间中的石英晶片连接，首个芯片的信号输出端与另一个芯片的反相器的输入端连接，所述频率合成单元采用缓冲放大器，所述波形转换单元采用方波整形器。
7.上述的多芯片陶瓷封装多路输出晶振，所述陶瓷基座的上层空间的支撑面设有与石英晶片利用导电胶连接的连接金箔a和连接金箔b，陶瓷基座的下层空间的底面设有接地金箔k、连接金箔c、连接金箔d、输出用金箔f、输出用金箔g和电源连接金箔j；两个芯片利用导电胶固定于接地金箔k上，首个芯片的输入端利用金丝与连接金箔c和连接金箔d连接，所述连接金箔c与连接金箔a连接，连接金箔d与连接金箔b连接，首个芯片的信号输出端和第二个芯片的信号输入端分别利用金丝与输出用金箔f连接，首个芯片和第二个芯片分别利用金丝与电源连接金箔j连接，第二个芯片利用金丝与输出用金箔g连接。
8.本实用新型的有益效果是：
9.1、在直流电压作用下，石英晶片产生的小幅度信号，经首个芯片缓冲、放大并供给波形转换单元，以提供需求的具有预设定频率和波形的输出信号，该信号一路直接输出到基座外部，另一路供给下一级芯片进行分频或倍频处理，再进行放大后提供其他频率、波形输出信号，实现晶振的输出频率多样化，可以实现多种频率的输出效果。
10.2、采用多个芯片级联且与陶瓷基座互联，并实现与石英晶片的连接，构成同源多输出电路，准确度高，进而实现晶振的小型化、集约化和高可靠性。
附图说明
11.图1是本实用新型的结构示意图；
12.图2是本实用新型的基座内部导电部件的布置图；
13.图3是本实用新型的电路原理图。
14.图中：1.盖板、2.导电胶、3.金丝、4.石英晶片、5.芯片、501.首个芯片、502.第二个芯片、6.陶瓷基座、7.反相器、8.频率合成单元、9.波形转换单元。
具体实施方式
15.下面结合附图对本实用新型作详细说明。
16.如图1-图3所示，该多芯片陶瓷封装多路输出晶振，包括陶瓷基座6、设于陶瓷基座6内的芯片5和石英晶片4、设于陶瓷基座6上的盖板1。陶瓷基座6和盖板1采用平行封焊的方法实现晶振的全密封。
17.其中，所述陶瓷基座6内设有上、下两层布置空间，所述芯片5的数量为两个以上且各个芯片5设于陶瓷基座6的下层空间内，各个芯片5级联且首个芯片501的输入端与设于陶瓷基座6上层空间中的石英晶片4连接，各个芯片5的信号输出端与设于陶瓷基座6外周的焊盘连接。所述芯片5中集成有反相器7、与反相器7的输出端连接的频率合成单元8、与频率合成单元8的输出端连接的波形转换单元9，首个芯片501的反相器7的输入端与石英晶片4的端子连接，其他芯片的反相器7的输入端与上一级芯片的信号输出端连接。
18.本实施例中，所述芯片5的数量为两个，首个芯片501的输入端与设于陶瓷基座6上层空间中的石英晶片4连接，首个芯片501的信号输出端与第二个芯片502的反相器7的输入端连接，所述频率合成单元8采用缓冲放大器，所述波形转换单元9采用方波整形器。所述陶瓷基座6的上层空间的支撑面设有与石英晶片4利用导电胶2连接的连接金箔a和连接金箔b，陶瓷基座6的下层空间的底面设有接地金箔k、连接金箔c、连接金箔d、输出用金箔f、输出用金箔g和电源连接金箔j。两个芯片5利用导电胶固定于接地金箔k上，首个芯片501的输入端利用金丝3与连接金箔c和连接金箔d连接，所述连接金箔c与连接金箔a连接，连接金箔d与连接金箔b连接，首个芯片501的信号输出端和第二个芯片502的信号输入端分别利用金丝与输出用金箔f连接，首个芯片501和第二个芯片502分别利用金丝与电源连接金箔j连接，第二个芯片502利用金丝与输出用金箔g连接。
19.工作原理：参见图3，在直流电压作用下，石英晶片4产生小幅度信号，经首个芯片501提供一种频率输出q2，同时将该信号供给第二个芯片502进行波形、频率的转换，提供另一种频率输出q1,经晶振引脚输出，从而实现同源多路信号输出。
20.以上对本实用新型的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例，不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型创造范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本专利涵盖范围之内。
技术特征：1.一种多芯片陶瓷封装多路输出晶振，包括陶瓷基座、设于陶瓷基座内的芯片和石英晶片、设于陶瓷基座上的盖板，其特征在于：所述陶瓷基座内设有上、下两层布置空间，所述芯片的数量为两个以上且各个芯片设于陶瓷基座的下层空间内，各个芯片级联且首个芯片的输入端与设于陶瓷基座上层空间中的石英晶片连接，各个芯片的信号输出端与设于陶瓷基座外周的焊盘连接；所述芯片中集成有反相器、与反相器的输出端连接的频率合成单元、与频率合成单元的输出端连接的波形转换单元，首个芯片的反相器的输入端与石英晶片的端子连接，其他芯片的反相器的输入端与上一级芯片的信号输出端连接。2.根据权利要求1所述的多芯片陶瓷封装多路输出晶振，其特征在于：所述芯片的数量为两个，首个芯片的输入端与设于陶瓷基座上层空间中的石英晶片连接，首个芯片的信号输出端与另一个芯片的反相器的输入端连接，所述频率合成单元采用缓冲放大器，所述波形转换单元采用方波整形器。3.根据权利要求1所述的多芯片陶瓷封装多路输出晶振，其特征在于：所述陶瓷基座的上层空间的支撑面设有与石英晶片利用导电胶连接的连接金箔a和连接金箔b，陶瓷基座的下层空间的底面设有接地金箔k、连接金箔c、连接金箔d、输出用金箔f、输出用金箔g和电源连接金箔j；两个芯片利用导电胶固定于接地金箔k上，首个芯片的输入端利用金丝与连接金箔c和连接金箔d连接，所述连接金箔c与连接金箔a连接，连接金箔d与连接金箔b连接，首个芯片的信号输出端和第二个芯片的信号输入端分别利用金丝与输出用金箔f连接，首个芯片和第二个芯片分别利用金丝与电源连接金箔j连接，第二个芯片利用金丝与输出用金箔g连接。
技术总结本实用新型涉及一种多芯片陶瓷封装多路输出晶振，包括陶瓷基座、芯片、石英晶片和盖板，其技术要点是：陶瓷基座内设有上、下两层布置空间，芯片的数量为两个以上且各个芯片设于陶瓷基座的下层空间内，各个芯片级联且首个芯片的输入端与设于陶瓷基座上层空间中的石英晶片连接；芯片中集成有反相器、与反相器的输出端连接的频率合成单元、与频率合成单元的输出端连接的波形转换单元，首个芯片的反相器的输入端与石英晶片的端子连接，其他芯片的反相器的输入端与上一级芯片的信号输出端连接。本实用新型解决了现有多频率输出的晶振结构的冗杂问题，实现晶振的小型化、集约化和高可靠性以及多样性输出特点。性以及多样性输出特点。性以及多样性输出特点。
技术研发人员：鞠昀澎
受保护的技术使用者：辽阳鸿宇晶体有限公司
技术研发日：2022.01.06
技术公布日：2022/7/5
