1.本发明涉及电子电路领域，尤其涉及一种双向阻抗电路、阻抗器件及电子设备。
背景技术：2.在测控半导体器件时，电源负载的特性会影响测试系统的性能，根据测试需求调节负载特性能够有效改善系统性能，在电源设计和工业生产过程中，负载对电源性能的影响更为显著，因此，合理控制电源负载特性可以有效提高电源性能，简化电源的设计。
3.在开关电源的设计和调试中，通常需要小电流高阻抗、大电流低阻抗的特性负载，以此来提高电源小电流输出的性能，同时增加电源大电流输出的效率。
4.常见的负载调节方式是在电源输出端串接大电阻，用于提高小电流输出时的负载电阻，并在电源输出大电流时短路串接的所述大电阻。这种突然改变负载电阻的方式，容易引起输出电流、电压的波动。
5.在更精密的电源系统中，这种波动会严重降低电源性能。而且，短接电源输出端串联的大电阻需要独立信号控制，增加了开关电源电路设计的复杂程度。
技术实现要素：6.为了解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种双向阻抗电路、阻抗器件及电子设备，具体方案如下：
7.第一方面，本技术实施例提供了一种双向阻抗电路，所述双向阻抗电路连接在供电电源和外接负载之间，所述双向阻抗电路包括：电压调节单元和双向阻抗单元；
8.所述电压调节单元用于并联连接在所述供电电源的第一供电端和第二供电端之间，所述电压调节单元用于获取所述外接负载的负载电压；
9.所述电压调节单元的输出端与所述双向阻抗单元的控制端电连接；
10.所述双向阻抗单元串联连接在所述供电电源与所述外接负载的通路上，所述双向阻抗单元用于根据所述负载电压提供动态阻抗。
11.根据本技术实施例的一种具体实施方式，所述双向阻抗单元包括固定阻抗、第一晶体管和第二晶体管；
12.所述固定阻抗的一端与所述供电电源的第一供电端连接，所述固定阻抗的另一端经由所述外接负载与所述供电电源的第二供电端连接；
13.所述第一晶体管的第一电极和所述第二晶体管的第一电极均与所述电压调节单元的输出端连接；
14.所述第一晶体管的第二电极和第三电极，以及所述第二晶体管的第二电极和第三电极，均并联连接在所述固定阻抗的两端。
15.根据本技术实施例的一种具体实施方式，所述第一晶体管为npn型三极管或n型mos管，所述第二晶体管为pnp型三极管或p型mos管。
16.根据本技术实施例的一种具体实施方式，所述第一晶体管为npn型三极管，所述第
二晶体管为pnp型三极管，所述双向阻抗单元还包括第一数量p型mos管和第二数量的n型mos管；
17.第一数量的p型mos管的栅极和第二数量的n型mos管的栅极均与所述电压调节单元的输出端连接；
18.第一数量的p型mos管的源极和漏极，以及第二数量的n型mos管的源极和漏极，均并联连接在所述固定阻抗的两端。
19.根据本技术实施例的一种具体实施方式，所述第一数量和所述第二数量相等。
20.根据本技术实施例的一种具体实施方式，所述电压调节单元包括第一电阻和第二电阻；
21.所述供电电源的第一供电端依次经由所述第一电阻和所述第二电阻连接所述供电电源的第二供电端。
22.根据本技术实施例的一种具体实施方式，所述第一电阻通过中间节点与所述第二电阻连接，所述中间节点作为所述电压调节单元的输出端与所述双向阻抗单元的控制端连接。
23.根据本技术实施例的一种具体实施方式，所述第一电阻和所述第二电阻均为可变电阻。
24.第二方面，本技术实施例提供了一种阻抗器件，所述阻抗器件包括前述第一方面及第一方面任一实施方式所述的双向阻抗电路。
25.第三方面，本技术实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括前述第一方面及第一方面任一实施方式所述的双向阻抗电路。
26.本技术实施例提供了一种双向阻抗电路、阻抗器件及电子设备，所述双向阻抗电路连接在供电电源和外接负载之间，所述双向阻抗电路包括：电压调节单元和双向阻抗单元；所述电压调节单元用于并联连接在供电电源的第一供电端和第二供电端之间，所述电压调节单元用于获取外接负载的负载电压；所述电压调节单元的输出端与所述双向阻抗单元的控制端电连接；所述双向阻抗单元串联连接在所述供电电源与所述外接负载的通路上，所述双向阻抗单元用于根据所述负载电压提供动态阻抗。本发明无需外接独立信号源控制阻抗的变化，通过所述电压调节单元能够根据负载电压的变化动态调节双向阻抗单元的阻抗。
附图说明
27.为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对本发明保护范围的限定。在各个附图中，类似的构成部分采用类似的编号。
28.图1示出了本技术实施例提供的一种双向阻抗电路的电路连接示意图之一；
29.图2示出了本技术实施例提供的一种双向阻抗电路的电路连接示意图之二。
具体实施方式
30.下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
31.通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
32.在下文中，可在本发明的各种实施例中使用的术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。
33.此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
34.除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义，除非在本发明的各种实施例中被清楚地限定。
35.参考图1，为本技术实施例提供的一种双向阻抗电路的电路连接结构示意图，本技术实施例提供的双向阻抗电路，如图1所示，所述双向阻抗电路包括：电压调节单元和双向阻抗单元；
36.所述电压调节单元用于并联连接在所述供电电源的第一供电端和第二供电端之间，所述电压调节单元用于获取所述外接负载的负载电压；
37.所述电压调节单元的输出端与所述双向阻抗单元的控制端电连接；
38.所述双向阻抗单元串联连接在所述供电电源与所述外接负载的通路上，所述双向阻抗单元用于根据所述负载电压提供动态阻抗。
39.在具体实施例中，如图1所示，z0为外接负载，z为固定负载，q-p为第一晶体管，q-n为第二晶体管，r1为第一电阻，r2为第二电阻，u0为外接负载上的负载电压，i为供电电源提供的电流。
40.所述双向阻抗电路设置在供电电源和外接负载之间，其中，供电电源的两端与所述外接负载串联连接。所述电压调节单元并联连接在所述供电电源的两端。所述双向阻抗单元串联在所述供电电源和所述外接负载的通路上。
41.所述电压调节单元和所述外接负载呈并联连接的关系，因此，可以通过所述电压调节单元获取所述外接负载上的负载电压。
42.根据本技术实施例的一种具体实施方式，所述电压调节单元包括第一电阻和第二电阻；
43.所述供电电源的第一供电端依次经由所述第一电阻和所述第二电阻连接所述供电电源的第二供电端。
44.在具体实施例中，所述电压调节单元由多级电阻组成，所述第一电阻和所述第二电阻之间呈串联连接关系，可以通过设置所述第一电阻和所述第二电阻的阻值比，来控制所述电压调节单元输出的电压信号大小。
45.根据本技术实施例的一种具体实施方式，所述第一电阻和所述第二电阻均为可变电阻。用户可以通过实时调整所述第一电阻和所述第二电阻的阻值，以匹配实际应用过程中负载的阻值。
46.根据本技术实施例的一种具体实施方式，所述第一电阻通过中间节点与所述第二电阻连接，所述中间节点作为所述电压调节单元的输出端与所述双向阻抗单元的控制端连接。
47.在实际应用过程中，用户可以通过改变所述第一电阻和所述第二电阻的阻值，以控制所述中间节点处的电压信号的电压值，从而实现控制双向阻抗单元的导通和截止。
48.当所述双向阻抗单元中的开关器件处于导通状态时，所述双向阻抗单元提供的阻抗值较小；当所述双向阻抗单元中的开关器件处于截止状态时，所述双向阻抗单元提供的阻抗值较大。
49.因此，通过调节供电电源提供的电压信号的电压值，以及调节所述电压调节单元的各级电阻的阻值，能够实现动态调节所述外接负载的阻抗的目的，以实现小电流高阻抗、大电流小阻抗的控制效果。
50.根据本技术实施例的一种具体实施方式，所述双向阻抗单元包括固定阻抗、第一晶体管和第二晶体管；
51.所述固定阻抗的一端与所述供电电源的第一供电端连接，所述固定阻抗的另一端经由所述外接负载与所述供电电源的第二供电端连接；
52.所述第一晶体管的第一电极和所述第二晶体管的第一电极均与所述电压调节单元的输出端连接；
53.所述第一晶体管的第二电极和第三电极，以及所述第二晶体管的第二电极和第三电极，均并联连接在所述固定阻抗的两端。
54.在具体实施例中，所述第一电极指三极管的基极或mos管的栅极，所述第二电极指三极管的发射极或mos管的源极，所述第三电极指三极管的集电极或mos管的漏极。
55.根据本技术实施例的一种具体实施方式，所述第一晶体管为npn型三极管或n型mos管，所述第二晶体管为pnp型三极管或p型mos管。
56.在具体实施例中，三极管和mos管等半导体器件的线性工作区是随着负载电压变化而变化的，半导体器件线性工作区的变化改变了半导体器件对外的阻抗特性，从而能够对外接负载的阻抗进行动态调节。
57.在具体实施例中，当所述第一晶体管为npn型三极管时，所述第二晶体管为pnp型三极管。当所述第一晶体管为n型mos管时，所述第二晶体管为p型mos管。
58.需知的，所述第一晶体管也可以为pnp型三极管或p型mos管，所述第二晶体管也可以为npn型三极管或n型mos管，所述双向阻抗单元会同时包括pnp型三极管和npn型三极管或p型mos管和n型mos管。
59.在具体实施过程中，当所述供电电源提供的电压信号小于预设阈值时，所述第一电阻和所述第二电阻两端的电压值较小，所述第一晶体管和所述第二晶体管均处于关断状态。此时，电流通过固定阻抗抵达外接负载，外接负载此时的阻抗为z+z0。外接负载的阻抗实现了小电流，高阻抗的控制。
60.随着所述供电电源提供的电压信号的电压绝对值提高，所述第一电阻和所述第二
电阻两端的电压值增大，所述第一晶体管或所述第二晶体管的通断状态会发生改变。
61.如图1所示，所述箭头指示方向为正电压方向。
62.当所述供电电源提供的电压为正电压，所述电压信号的电压绝对值大于预设阈值时，所述电压调节单元输出的电压会使q-p开始导通，q-p和固定阻抗并联组成的阻抗单元串接在所述负载上的电阻会逐渐减小，直至q-p完全导通。此时，q-n始终处于关断状态。
63.当所述供电电源提供的电压为负电压，所述电压信号的电压绝对值大于预设阈值时，所述电压调节单元输出的电压会使q-n开始导通，q-n和固定阻抗并联组成的阻抗单元串接在所述负载上的电阻会逐渐减小，直至q-n完全导通。此时，q-p始终处于关断状态。
64.通过所述第一晶体管和所述第二晶体管的设置，能够在供电电源输出较小电压信号时，增加所述外接负载串联电路上的阻抗值，从而实现小电流、高电阻的控制。在供电电源输出较大电压信号时，导通所述第一晶体管或所述第二晶体管，减小所述外接负载串联电路上的阻抗值，从而实现大电流、低电阻的控制。
65.同时，本实施例通过第一电阻和第二电阻的设置，能够有效避免第一晶体管或所述第二晶体管在通断时引起的阶跃信号干扰，有效提高了双向阻抗电路进行阻抗调节的可靠性。
66.本技术实施例提供的双向阻抗电路，在经过负载的负载电流较小时，能够为负载提供更高的阻抗；在经过负载的负载电流较大时，能够为负载提供更低的阻抗。且无论是电流从负载的任一方向进行流动，所述双向阻抗电路均可以根据流经负载的电流大小进行动态阻抗调节。
67.实施例2
68.参考图2，为本技术实施例提供的一种双向阻抗电路的电路连接示意图，本技术实施例提供的双向阻抗电路，如图2所示，所述双向阻抗电路包括：电压调节单元和双向阻抗单元；
69.所述电压调节单元用于并联连接在所述供电电源的第一供电端和第二供电端之间，所述电压调节单元用于获取所述外接负载的负载电压；
70.所述电压调节单元的输出端与所述双向阻抗单元的控制端电连接；
71.所述双向阻抗单元串联连接在所述供电电源与所述外接负载的通路上，所述双向阻抗单元用于根据所述负载电压提供动态阻抗。
72.具体的，所述双向阻抗单元包括固定阻抗、第一晶体管和第二晶体管；
73.所述固定阻抗的一端与所述供电电源的第一供电端连接，所述固定阻抗的另一端经由所述外接负载与所述供电电源的第二供电端连接；
74.所述第一晶体管的第一电极和所述第二晶体管的第一电极均与所述电压调节单元的输出端连接；
75.所述第一晶体管的第二电极和第三电极，以及所述第二晶体管的第二电极和第三电极，均并联连接在所述固定阻抗的两端。
76.在具体实施例中，所述电压调节单元和所述双向阻抗单元的连接关系可以参考上述实施例中的描述，此处不作赘述。
77.根据本技术实施例的一种具体实施方式，所述第一晶体管为npn型三极管，所述第二晶体管为pnp型三极管，所述双向阻抗单元还包括第一数量p型mos管和第二数量的n型
mos管；
78.第一数量的p型mos管的栅极和第二数量的n型mos管的栅极均与所述电压调节单元的输出端连接；
79.第一数量的p型mos管的源极和漏极，以及第二数量的n型mos管的源极和漏极，均并联连接在所述固定阻抗的两端。
80.在具体实施例中，如图2所示，z0为外接负载，z为固定负载，pnp为pnp型三极管，npn为npn型三极管，p为p型mos管，n为n型mos管，r1为第一电阻，r2为第二电阻，u0为外接负载上的负载电压，i为供电电源提供的电流。
81.在本实施例中，所述双向阻抗电路的双向阻抗单元采用固定阻抗、一个pnp型三极管、一个npn型三极管、第一数量的p型mos管和第二数量的n型mos管并联组成。
82.具体的，在实际应用场景中，所述第一数量和所述第二数量可以根据具体情况进行自适应的调整，所述第一数量和所述第二数量可以相等，也可以不相等。
83.在一种实施例中，如图2所示，所述第一数量和所述第二数量相等，p型mos管和n型mos管的数量均为n个。
84.n个p型mos管和n个n型mos管并联的作用，均是为了降低mos管的开通阻抗。
85.在实际应用过程中，mos管由电压进行驱动。mos管的开通电压较高，但是导通电阻很低，能够在外接负载承接的负载电压足够大时，降低大电流在各级晶体管上的功耗。
86.具体的，通过多级mos管并联的方式，能够进一步降低各级晶体管的并联电阻，从而适应不同大小的负载电压。
87.当供电电源提供的电流较小时，输出的电压也较小，此时所述外接负载上的负载电压也较小，第一电阻和第二电阻两端的电压同样较小，所述电压调节单元的输出端输出的电压低于预设的电压阈值，所述电压阈值根据各级晶体管的开启电压进行设置，此处不作具体限定。
88.当所述电压调节单元的输出端输出的电压低于预设的电压阈值时，各级p型mos管、各级n型mos管、pnp型三极管以及npn型三极管均处于关断状态，电流通过所述固定阻抗抵达外接负载，实现了在供电电源提供低电压信号时，外接负载呈现高阻抗状态。
89.当供电电源提供的电流增大，固定阻抗和外接负载两端的电压均增大，此时所述第一电阻两端的电压同样会随负载电压的增大而增大。
90.如图2所示，图2中箭头指示方向为正电压方向。
91.当所述负载电压为正电压，所述负载电压的电压绝对值大于第一预设阈值，小于第二预设阈值时，所述第一电阻两端的电压信号会控制pnp型三极管开始导通，pnp型三极管和固定阻抗并联组成的阻抗单元串接在负载上的电阻会随负载电压的增大而减小，直至pnp型三极管完全导通。此时，npn型三极管、p型mos管和n型mos管均处于关断状态。
92.当所述负载电压为正电压，所述负载电压的电压绝对值大于第二预设阈值时，所述第一电阻两端的电压信号满足p型mos管的导通电压条件，所述电压调节单元会输出信号控制所述p型mos管导通。此时，p型mos管和pnp型三极管同时导通，pnp型三极管中的电流会向p型mos管中转移，从而降低整个阻抗单元的电阻。
93.通过pnp型三极管和p型mos管的设置，能够使得阻抗单元在接收高电压的正电压信号时，外接负载呈现低阻抗状态。
94.当所述负载电压为负电压，所述负载电压的电压绝对值大于第一预设阈值，小于第二预设阈值时，所述第一电阻两端的电压信号会控制npn型三极管开始导通，npn型三极管和固定阻抗并联组成的阻抗单元串接在负载上的电阻会随负载电压的增大而减小，直至npn型三极管完全导通。此时，pnp型三极管、n型mos管和p型mos管均处于关断状态。
95.当所述负载电压为负电压，所述负载电压的电压绝对值大于第二预设阈值时，所述第一电阻两端的电压信号满足n型mos管的导通电压条件，所述电压调节单元会输出信号控制所述n型mos管导通。此时，n型mos管和npn型三极管同时导通，npn型三极管中的电流会向n型mos管中转移，从而降低整个阻抗单元的电阻。
96.通过npn型三极管和n型mos管的设置，能够使阻抗单元在接收高电压的负电压信号时，外接负载呈现低阻抗状态。
97.在具体实施例中，所述第二预设阈值大于所述第一预设阈值。
98.各级晶体管的门极导通电压，均由晶体管的规格进行决定，此处不作具体限定。所述晶体管的具体规格，可以根据实际应用场景进行自适应选择。
99.通过本实施例中双向阻抗单元的设置，能够在供电电源提供的电压信号较低时，使电流经过固定阻抗抵达外接负载，使得外接负载的总阻抗为z+z0，负载电压能在负载上产生更小的电流。在供电电源提供的电压信号较大时，开启npn型三极管、pnp型三极管、p型mos管和n型mos管组成的双向阻抗单元，使得外接负载的阻抗从z+z0向z0平滑变化。既满足了在外接负载上产生更大的电流的要求，也能够避免第一晶体管或第二晶体管通断引起的阶跃信号干扰。
100.另外，本技术实施例还提供的一种阻抗器件，所述阻抗器件包括前述实施例中所述的双向阻抗电路。
101.本技术实施例还提供了一种电子设备，所述电子设备包括前述实施例中所述的双向阻抗电路。
102.综上所述，本技术实施例提供了一种双向阻抗电路、阻抗器件及电子设备，本发明提出的双向阻抗电路，采用npn三极管、pnp三极管、n型mos管和p型mos管等半导体组件与固定阻抗并联连接的方式，实现了阻抗的双向功能。且基于对双向阻抗单元的控制端提供不同电压的方式，实现了根据负载动态调节阻抗，无需增加独立的信号源控制阻抗的状态。当负载中电流发生变化时，阻抗随着电流变化而变化，从而不会在供电过程中产生阶跃冲击；且本发明提出的双向阻抗电路，使用的电子元件均为普通半导体器件，容易获取，且成本低。
103.另外，上述实施例中提到的阻抗器件及电子设备的具体实施过程，可以参见上述方法实施例的具体实施过程，在此不再一一赘述。
104.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和结构图显示了根据本发明的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也
可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，结构图和/或流程图中的每个方框、以及结构图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
105.另外，在本发明各个实施例中的各功能模块或单元可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或更多个模块集成形成一个独立的部分。
106.所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是智能手机、个人计算机、服务器、或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
107.以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
技术特征：1.一种双向阻抗电路，其特征在于，所述双向阻抗电路连接在供电电源和外接负载之间，所述双向阻抗电路包括：电压调节单元和双向阻抗单元；所述电压调节单元用于并联连接在供电电源的第一供电端和第二供电端之间，所述电压调节单元用于获取外接负载的负载电压；所述电压调节单元的输出端与所述双向阻抗单元的控制端电连接；所述双向阻抗单元串联连接在所述供电电源与所述外接负载的通路上，所述双向阻抗单元用于根据所述负载电压提供动态阻抗。2.根据权利要求1所述的双向阻抗电路，其特征在于，所述双向阻抗单元包括固定阻抗、第一晶体管和第二晶体管；所述固定阻抗的一端与所述供电电源的第一供电端连接，所述固定阻抗的另一端经由所述外接负载与所述供电电源的第二供电端连接；所述第一晶体管的第一电极和所述第二晶体管的第一电极均与所述电压调节单元的输出端连接；所述第一晶体管的第二电极和第三电极，以及所述第二晶体管的第二电极和第三电极，均并联连接在所述固定阻抗的两端。3.根据权利要求2所述的双向阻抗电路，其特征在于，所述第一晶体管为npn型三极管或n型mos管，所述第二晶体管为pnp型三极管或p型mos管。4.根据权利要求2所述的双向阻抗电路，其特征在于，所述第一晶体管为npn型三极管，所述第二晶体管为pnp型三极管，所述双向阻抗单元还包括第一数量p型mos管和第二数量的n型mos管；第一数量的p型mos管的栅极和第二数量的n型mos管的栅极均与所述电压调节单元的输出端连接；第一数量的p型mos管的源极和漏极，以及第二数量的n型mos管的源极和漏极，均并联连接在所述固定阻抗的两端。5.根据权利要求4所述的双向阻抗电路，其特征在于，所述第一数量和所述第二数量相等。6.根据权利要求1所述的双向阻抗电路，其特征在于，所述电压调节单元包括第一电阻和第二电阻；所述供电电源的第一供电端依次经由所述第一电阻和所述第二电阻连接所述供电电源的第二供电端。7.根据权利要求6所述的双向阻抗电路，其特征在于，所述第一电阻通过中间节点与所述第二电阻连接，所述中间节点作为所述电压调节单元的输出端与所述双向阻抗单元的控制端连接。8.根据权利要求6所述的双向阻抗电路，其特征在于，所述第一电阻和所述第二电阻均为可变电阻。9.一种阻抗器件，其特征在于，所述阻抗器件包括前述权利要求1-8任一项所述的双向阻抗电路。10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括前述权利要求9中所述阻抗器件。
技术总结本发明实施例公开了一种双向阻抗电路、阻抗器件及电子设备，所述双向阻抗电路连接在供电电源和外接负载之间，所述双向阻抗电路包括：电压调节单元和双向阻抗单元；所述电压调节单元用于并联连接在供电电源的第一供电端和第二供电端之间，所述电压调节单元用于获取外接负载的负载电压；所述电压调节单元的输出端与所述双向阻抗单元的控制端电连接；所述双向阻抗单元串联连接在所述供电电源与所述外接负载的通路上，所述双向阻抗单元用于根据所述负载电压提供动态阻抗。本发明无需外接独立信号源控制阻抗的变化，通过所述电压调节单元能够根据负载电压的变化动态调节双向阻抗单元的阻抗。元的阻抗。元的阻抗。
技术研发人员：王东兴
受保护的技术使用者：深圳综合粒子设施研究院
技术研发日：2022.05.06
技术公布日：2022/7/5
