1.本技术涉及电子技术领域，尤其涉及一种驱动电路、芯片及电子设备。
背景技术：2.在一些应用场景中，电子电路需要在高压环境下驱动，这类电路可以被称为高压驱动电路。
3.如果高压驱动电路采用低压器件，在高压环境下低压器件可能会被击穿，则不能正常使用。因此，传统的高压驱动电路一般会采用高压器件进行设计。
4.但是，高压器件的面积较大，不利于节约成本。
技术实现要素：5.为了解决现有技术的问题，本技术实施例提供了一种驱动电路、芯片及电子设备，可以在高压驱动的条件下采用低压器件进行设计，减小驱动电路的面积。技术方案如下：
6.根据本技术的一方面，提供了一种驱动电路，所述驱动电路包括高压生成模块和驱动模块，所述高压生成模块的输出端与所述驱动模块的接地端连接。
7.可选的，所述高压生成模块包括稳压模块和输出模块，所述稳压模块的输出端与所述输出模块的输入端连接，所述输出模块的输出端与所述驱动模块的接地端连接。
8.可选的，所述稳压模块包括齐纳二极管。
9.可选的，所述稳压模块包括第一电阻单元、第一电流源单元和齐纳二极管；
10.所述齐纳二极管的正极与所述第一电流源单元连接，负极用于接收供电电压；
11.所述第一电阻单元设置在所述齐纳二极管的正负极之间；
12.所述第一电流源单元的一端与所述齐纳二极管连接，另一端用于接收基准电位。
13.可选的，所述输出模块包括第一场效应管，所述第一场效应管的控制端与所述稳压模块的输出端连接，输出端与所述驱动模块的接地端连接。
14.可选的，所述输出模块还包括开关单元，所述开关单元的一端与所述第一场效应管的输入端连接，另一端用于接收基准电位。
15.可选的，所述开关单元包括第二场效应管，所述第二场效应管的控制端用于接收开关控制信号，输出端与所述第一场效应管的输入端连接，输入端用于接收所述基准电位。
16.可选的，所述驱动模块包括多个子驱动模块，各所述子驱动模块的接地端分别与所述高压生成模块的输出端连接。
17.可选的，所述驱动电路包括多个高压生成模块，每个高压生成模块的输出端分别与一个或多个所述子驱动模块的接地端连接。
18.可选的，所述驱动模块包括运放模块和增压模块，所述运放模块的输入端用于接收供电电压，输出端与所述增压模块的输入端连接。
19.可选的，所述增压模块包括控制模块和增压单元，所述控制模块的输入端与所述增压模块的输出端、所述运放模块的输出端连接，并用于接收所述供电电压，所述控制模块
的输出端与所述增压单元连接。
20.可选的，所述运放模块包括第二电流源单元、第二电阻单元、第三电阻单元和第四电阻单元，所述控制模块包括第五电阻单元和第六电阻单元。
21.可选的，所述第二电阻单元、所述第三电阻单元、所述第四电阻单元、所述第五电阻单元和所述第六电阻单元中至少一者的电阻值可变。
22.可选的，所述第三电阻单元和所述第四电阻单元的电阻值相等。
23.可选的，所述运放模块还包括运算放大器和第三场效应管；
24.在所述运算放大器的输入端一侧，所述第二电阻单元的一端用于接收所述供电电压，另一端与所述第二电流源单元的一端连接，所述第二电流源单元的另一端用于接收基准电位；
25.在所述运算放大器的输出端一侧，所述第三电阻单元的一端用于接收所述供电电压，另一端与所述第四电阻单元的一端连接，所述第四电阻单元的另一端与所述第三场效应管的输出端连接，所述第三场效应管的输入端与所述高压生成模块的输出端连接，控制端与所述运算放大器的输出端连接；
26.所述运算放大器的同相输入端用于接收所述第二电阻单元和所述第二电流源单元之间的电位，反相输入端用于接收第三电阻单元和第四电阻单元之间的电位。
27.可选的，所述控制模块还包括比较单元；
28.所述第五电阻单元的一端与所述运放模块的输出端连接，另一端与所述第六电阻单元连接，所述第六电阻单元的另一端与所述增压单元的输出端连接；
29.所述比较单元的一个输入端用于接收所述供电电压，另一输入端用于接收所述第五电阻单元和所述第六电阻单元之间的电位，输出端与所述增压单元连接。
30.可选的，所述增压模块包括多个增压通道。
31.根据本技术的另一方面，提供了一种芯片，包括上述驱动电路。
32.根据本技术的另一方面，提供了一种电子设备，包括上述驱动电路。
33.本技术实施例中，高压生成模块可以生成高于基准电位的电压。由于高压生成模块的输出端与驱动模块的接地端连接，使得可以基于供电电压与高于基准电位的电压对驱动模块进行驱动，降低了驱动模块的电压裕度。因此，可以采用低压器件对驱动模块进行设计，可以减少驱动模块的面积，进而减少驱动电路整体的面积。
附图说明
34.在下面结合附图对于示例性实施例的描述中，本技术的更多细节、特征和优点被公开，在附图中：
35.图1示出了根据本技术示例性实施例提供的驱动电路示意图；
36.图2示出了根据本技术示例性实施例提供的高压生成模块示意图；
37.图3示出了根据本技术示例性实施例提供的稳压模块示意图；
38.图4示出了根据本技术示例性实施例提供的输出模块示意图；
39.图5示出了根据本技术示例性实施例提供的输出模块示意图；
40.图6示出了根据本技术示例性实施例提供的输出模块示意图；
41.图7示出了根据本技术示例性实施例提供的高压生成模块示意图；
42.图8示出了根据本技术示例性实施例提供的驱动模块示意图；
43.图9示出了根据本技术示例性实施例提供的驱动模块示意图；
44.图10示出了根据本技术示例性实施例提供的运放模块示意图；
45.图11示出了根据本技术示例性实施例提供的控制模块示意图；
46.图12示出了根据本技术示例性实施例提供的电阻单元示意图；
47.图13示出了根据本技术示例性实施例提供的驱动电路示意图。
48.图中，
49.1、高压生成模块；11、稳压模块；12、输出模块；121、开关单元；2、驱动模块；21、运放模块；22、增压模块；221、控制模块；2211、比较单元；222、增压单元。
具体实施方式
50.下面将参照附图更详细地描述本技术的实施例。虽然附图中显示了本技术的某些实施例，然而应当理解的是，本技术可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本技术。应当理解的是，本技术的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本技术的保护范围。
51.本文使用的术语“包括”及其变形是开放性包括，即“包括但不限于”。术语“基于”是“至少部分地基于”。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”；术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”；术语“一些实施例”表示“至少一些实施例”。其他术语的相关定义将在下文描述中给出。需要注意，本技术中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对不同的装置、模块或单元进行区分，并非用于限定这些装置、模块或单元所执行的功能的顺序或者相互依存关系。
52.需要注意，本技术中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的，本领域技术人员应当理解，除非在上下文另有明确指出，否则应该理解为“一个或多个”。
53.本技术实施方式中的多个装置之间所交互的消息或者信息的名称仅用于说明性的目的，而并不是用于对这些消息或信息的范围进行限制。
54.本技术实施例提供了一种驱动电路，该驱动电路可以集成在芯片中，或者设置在电子设备中。
55.参照图1所示的驱动电路示意图，该驱动电路可以包括高压生成模块1和驱动模块2，高压生成模块1的输出端与驱动模块2的接地端连接。
56.实施原理可以如下：
57.高压生成模块1，可以用于产生第一电压；
58.驱动模块2，可以用于接收第一电压，基于供电电压与第一电压进行驱动。
59.其中，第一电压大于基准电位，基准电位可以是指零电位或系统基准电位，是芯片或者电子设备中设定的电位参考点。供电电压可以是指电源电压或电池电压，还可以是其他电路输出的用于供电的电压，本实施例对此不作限定。
60.在一种可能的实施方式中，当驱动电路上电时，可以基于供电电压和基准电位对整个驱动电路进行驱动。
61.在高压生成模块1中，可以基于供电电压和基准电位产生上述第一电压。并将高压生成模块1产生的第一电压作为驱动模块2的电位参考点，基于供电电压与第一电压驱动上
述驱动模块2，使得驱动模块2可以正常工作。
62.由于基准电位通常为零电位或趋近于零电位，属于低压，在电路中接收基准电位通常称为“接地”，本技术在驱动模块2中采用第一电压实现原“接地”的功能，因此可以将上述第一电压称为“高压地”。
63.可选的，参照图2所示的高压生成模块示意图，高压生成模块1可以包括稳压模块11和输出模块12，稳压模块11的输出端与输出模块12的输入端连接，输出模块12的输出端与驱动模块2的接地端连接。
64.实施原理可以如下：
65.稳压模块11，可以用于输出第二电压；
66.输出模块12，可以用于基于供电电压和第二电压，输出上述第一电压。
67.可选的，稳压模块11可以包括齐纳二极管，基于齐纳二极管进行稳压。
68.可选的，参照图3所示的稳压模块示意图，稳压模块11可以包括第一电阻单元r1、第一电流源单元和齐纳二极管。齐纳二极管的正极与第一电流源单元连接，负极接入供电电压。第一电阻单元r1可以设置在齐纳二极管的正负极之间，与齐纳二极管并联。第一电流源单元一端与齐纳二极管的正极连接，另一端用于接收基准电位，与齐纳二极管串联。输出的第二电压为齐纳二极管的负极处的电压。
69.实施原理可以如下：
70.驱动电路初始化后，齐纳二极管反向击穿进行稳压，设为vd，也即是齐纳二极管两端或电阻两端的电压为vd。若供电电压为电池电压vbat，则稳压模块11输出的第二电压可以为vbat-vd。
71.当然，稳压模块11还可以采用其他具体的电路，例如上述第一电流源单元可以替换为电阻单元，能够产生稳定的电压即可，本实施例对稳压模块11的具体电路结构不作限定。
72.可选的，参照图4所示的输出模块示意图，输出模块12可以包括第一场效应管m1，第一场效应管m1的控制端与稳压模块11的输出端连接，用于接收第二电压；输出端与驱动模块2的接地端连接，用于输出第一电压。其中，第一场效应管m1的控制端为栅极，输入端为源极/漏极，输出端为漏极/源极。
73.实施原理可以如下：
74.第一场效应管m1可以是nmos(n-metal-oxide-semiconductor，n型金属-氧化物-半导体)管，控制端的电压(即nmos管的栅极电压)为上述第二电压，输出端的电压(即nmos管的源极电压)为第一电压，输入端(即nmos管的漏极)为高阻态，此时，第一电压可以为第二电压与阈值电压之和，该阈值电压是指第一场效应管m1处于临界导通状态时输出端与控制端之间的电压。当上述图3所示的稳压模块11与图4所示的输出模块12相结合时，令第一电压为h_agnd，第二电压为vbat-vd，则h_agnd＝vbat-vd+vth，其中，vth即为上述阈值电压。
75.当然，第一场效应管m1也可以是pmos(p-metal-oxide-semiconductor，p型金属-氧化物-半导体)管，本实施例对第一场效应管m1的具体类型不作限定。
76.可选的，参照图5所示的输出模块示意图，输出模块12还可以包括开关单元121，开关单元121的一端与第一场效应管m1的输入端连接，另一端用于接收基准电位。
77.实施原理可以如下：
78.开关单元121可以用于控制高压生成模块1输出的电压。第一场效应管m1处于导通状态，当开关单元121导通时，高压生成模块1输出的第一电压为基准电位，也即是说，此时的高压生成模块1未产生高压地；当开关单元121关断时，第一场效应管m1的输入端处于高阻态，高压生成模块1可以产生高压地。
79.可选的，参照图6所示的输出模块示意图，开关单元121可以包括第二场效应管m2，第二场效应管m2的控制端用于接收开关控制信号，输出端与第一场效应管m1的输入端连接，输入端用于接收基准电位。其中，第二场效应管m2的控制端为栅极，输入端为源极/漏极，输出端为漏极/源极。
80.实施原理可以如下：
81.第二场效应管m2可以是pmos管。当开关控制信号为高电平时，第二场效应管m2关断，也即是开关单元121关断；当开关控制信号为低电平时，第二场效应管m2导通，也即是开关单元121导通。
82.当然，第二场效应管m2也可以是nmos管，本实施例对第二场效应管m2的具体类型不作限定。或者，开关单元121还可以是其他的开关电路，本实施例对开关单元121的具体电路结构也不作限定。
83.可选的，驱动模块2可以包括多个子驱动模块，各子驱动模块的接地端分别与高压生成模块1的输出端连接，分别用于接收上述第一电压。子驱动模块可以由驱动模块2中的任意部分电路构成，本实施例对子驱动模块的具体电路结构不作限定。
84.可选的，驱动电路包括多个高压生成模块1，每个高压生成模块1的输出端分别与一个或多个子驱动模块的接地端连接，以向子驱动模块输入第一电压。
85.实施原理可以如下：
86.高压生成模块1可承受的电流有限，因此可以设置多个并联的高压生成模块1分担电流，保证电路性能。
87.在一种可能的实施方式中，由于影响承受电流的器件主要是场效应管，可以复用稳压模块11为多个并联的输出模块12提供第二电压，每个输出模块12分别输出上述第一电压，在包括多个高压生成模块1的情况下尽可能减小面积。参照图7所示的高压生成模块示意图，稳压模块11可以与多个输出模块12串联，多个输出模块12之间并联，稳压模块11与一个输出模块12构成的电路称为一个高压生成模块1。
88.可选的，上述驱动电路可以是指升压电路，用于实现升压功能，此时，驱动模块2还可以用于基于供电电压输出第三电压。
89.其中，第三电压大于供电电压，可以是指升压后输出的电压。也即是，驱动模块2可以对供电电压进行升压，输出升压后的电压。
90.可选的，参照图8所示的驱动模块示意图，驱动模块2可以包括运放模块21和增压模块22，运放模块21的输入端用于接收供电电压，输出端与增压模块22的输入端连接。
91.实施原理如下：
92.运放模块21，用于基于供电电压，输出第四电压；
93.增压模块22，用于基于第四电压，输出升压后的第三电压。
94.可选的，上述第三电压可以符合设定升压参数。
95.在一种可能的实施方式中，增压模块22所需的输入电压不一定等于供电电压，因此可以采用运放模块21将供电电压作为输入，并将供电电压进行调整，输出第四电压。进而，将第四电压作为增压模块22的输入电压，增压模块22可以增加输出的电压，直到达到设定升压参数，此时输出的电压即为上述第三电压。
96.可选的，参照图9所示的驱动模块示意图，增压模块22可以包括控制模块221和增压单元222，控制模块221的输入端与增压模块22的输出端、运放模块21的输出端连接，并用于接收供电电压，控制模块221的输出端与增压单元222连接。
97.实施原理如下：
98.控制模块221可以用于基于增压单元222的反馈电压、第四电压和供电电压，输出启动控制信号，该启动控制信号用于控制增压单元222的工作状态。
99.在此基础上，增压单元222可以被配置为当输出的电压未达到上述设定升压参数时，增加输出的电压；当输出的电压达到上述设定升压参数时，停止增加输出的电压。并且，还可以将输出的电压保持为上述第三电压，即在达到设定升压参数后保持在该升压参数上。
100.可选的，运放模块21可以包括第二电流源单元、第二电阻单元r2、第三电阻单元r3和第四电阻单元r4，控制模块221可以包括第五电阻单元r5和第六电阻单元r6，并且可以通过上述单元使得第三电压符合设定升压参数。
101.其中，上述第一电流源单元和第二电流源单元的电流值可以是参考电流值，也可以是其他恒定的电流值，本实施例对此不作限定。
102.可选的，参照图10所示的运放模块示意图，在运算放大器的输入端一侧，第二电阻单元r2的一端用于接收供电电压，另一端与第二电流源单元的一端连接，第二电流源单元的另一端用于接收基准电位。
103.在运算放大器的输出端一侧，第三电阻单元r3的一端用于接收供电电压，另一端与第四电阻单元r4的一端连接，第四电阻单元r4的另一端与第三场效应管m3的输出端连接，第三场效应管m3的输入端与高压生成模块1的输出端连接，控制端与运算放大器的输出端连接。其中，第三场效应管m3的控制端为栅极，输入端为源极/漏极，输出端为漏极/源极。
104.运算放大器的同相输入端用于接收第二电阻单元r2和第二电流源单元之间的电位，反相输入端用于接收第三电阻单元r3和第四电阻单元r4之间的电位。
105.实施原理如下：
106.电路上电后，第二电阻单元r2和第二电流源单元可以形成通路。运放模块21输出的第四电压为上述第四电阻单元r4的另一端的电位。
107.设第二电流源单元的电流值为iref，第四电压为vout1，供电电压为vbat，则电路上电后，基于运算放大器虚短虚断的原理，可以得到第四电压vout1＝vbat-iref*r2*(r3+r4)/r3。
108.可选的，参照图11所示的控制模块示意图，控制模块221可以包括第五电阻单元r5、第六电阻单元r6和比较单元2211，增压模块22中其余用于实现增压的部分可以称为增压单元222。第五电阻单元r5的一端与运放模块21的输出端连接，另一端与第六电阻单元r6连接，第六电阻单元r6的另一端与增压单元222的输出端连接。比较单元2211的第一输入端用于接收供电电压，第二输入端用于接收第五电阻单元r5和第六电阻单元r6之间的电位，
输出端与增压单元222连接。
109.实施原理如下：
110.比较单元2211包括两个输入端和一个输出端，比较单元2211用于比较第一输入端和第二输入端的电压大小，如果第一输入端的电压大于第二输入端的电压，则输出端可以输出第一电平，如果第一输入端的电压小于第二输入端的电压，则输出端可以输出第二电平。可选的，第一电平为高电平，第二电平为低电平；或者，第一电平为低电平，第二电平为高电平。
111.第四电阻单元r4的一端用于接收上述第四电压，另一端与第五电阻单元r5连接，第五电阻单元r5的另一端用于接收增压模块22输出的反馈电压。
112.设第四电阻单元r4和第五电阻单元r5连接节点处的电压为vq，供电电压为vbat。当增压模块22输出的电压未达到设定升压参数时，比较单元2211的第二输入端的电压vq小于第一输入端的电压(即供电电压vbat)，则比较单元2211可以输出第一电平，作为启动控制信号，控制增压单元222启动，实现增加电压的功能。当增压模块22输出的电压达到设定升压参数时，比较单元2211的第二输入端的电压vq增大至大于第一输入端的电压(即供电电压vbat)，则比较单元2211的状态翻转，可以输出第二电平，控制增压单元222停止增加电压。
113.其中，一种具体的增压单元222可以基于振荡电路和电荷泵单元构成，可以采用现有的电路结构实现，本实施例对增压单元222的具体电路结构不作限定。
114.设第四电压为vout1，第三电压为vout2，则在增压模块22输出的电压达到设定升压参数时，即环路稳定时，vq＝vbat，根据欧姆定律可得(vout2-vbat)/r5＝(vbat-vout1)/r4，整理可得vout1＝vbat-(vout2-vbat)*r4/r5。
115.令运放模块21中得到的vout1的表达式，与增压模块22中得到的vout1的表达式相等，进一步整理可得vout2-vbat＝iref*r2*r6(r3+r4)/(r3*r5)。vout2-vbat即为设定升压参数，“设定”是指可以对上述第二电阻单元r2到第六电阻单元r6的电阻值进行设计，还可以对第二电流源单元的电流值进行设计，进而达到控制升压参数的效果。
116.上文介绍的电阻单元可以是一个电阻元件，也可以多个电阻元件的组合。可选的，第二电阻单元r2、第三电阻单元r3、述第四电阻单元r4、第五电阻单元r5和第六电阻单元r6中至少一者的电阻值可变。如图12所示，上述任一电阻单元可以是多个电阻元件的组合，可以通过逻辑控制接入电路的电阻值，本实施例对电阻单元的具体结构不作限定。
117.可选的，第三电阻单元r3和第四电阻单元r4的电阻值相等，即上述r3＝r4。在此基础上，上述vout2-vbat可以等于2*iref*r2*r6/r5，因此，至少可以通过第二电流源单元、第二电阻单元r2、第五电阻单元r5和第六电阻单元r6来对升压参数进行设计，减小设计难度。
118.可选的，上面的介绍可以是指一个增压通道的实现方式，增压模块22可以包括多个增压通道，每个增压通道的原理相同，此处不再赘述。每个增压通道可以分别输出对应的第三电压，每两个增压通道之间的设定升压参数相同或不同。也即是说，如果需要得到升压参数不同的增压通道，则可以通过对每个增压通道的第四电阻单元r4和第五电阻单元r5进行设计，以得到不同的升压参数。
119.并且，在存在多个增压通道时，可以包括以下多种情况：第一，每个增压通道的设定升压参数均相同；第二，每个增压通道的设定升压参数均不同；第三，存在部分增压通道
的设定升压参数相同，部分增压通道的设定升压参数不同。本实施例对增压通道的设定升压参数不作限定。
120.图13示出了一种具体的驱动电路，其中，op为上述运放模块21中的运算放大器，cmp为上述比较单元2211，osc为上述增压单元222中的振荡电路，chp为上述增压单元222中的电荷泵单元，en为上述启动控制信号，clk为时钟控制信号，h_agnd和h_chp_agnd为上述第一电压(即高压地)。可以将高压生成模块1生成的高压地输入运放模块21和增压模块22中的接地端，在供电电压vbat和高压地的驱动下，运放模块21基于供电电压vbat生成第四电压vout1，控制模块221可以基于增压单元222的反馈电压、第四电压vout1和供电电压vbat，来实现判断增压单元222的输出电压是否达到升压参数，并控制增压单元222是否增加电压。当增压单元222的输出电压未达到上述升压参数时，可以增加输出的电压；当增压单元222的输出电压达到上述升压参数时，停止增加输出的电压，并将第三电压vout2保持在符合升压参数的电压上。可选的，驱动模块2还可以包括用于保护电路的齐纳二极管，该齐纳二极管的正极用于接收第四电阻单元r4和第五电阻单元r5之间的电位，负极用于接收供电电压。
121.本技术实施例可以获得如下有益效果：
122.(1)高压生成模块1可以生成高于基准电位的电压，即生成高压地。由于高压生成模块1的输出端与驱动模块2的接地端连接，使得可以基于供电电压与高压地对驱动模块2进行驱动，降低了驱动模块2的电压裕度。因此，可以采用低压器件对驱动模块2进行设计，可以减少驱动模块2的面积，进而减少驱动电路整体的面积。
123.(2)采用本技术提供的电路结构，可以至少通过三个电阻单元的电阻值进行设计，实现对升压参数的控制，同时降低设计难度。
124.本技术示例性实施例还提供一种芯片，包括本技术实施例提供的驱动电路。本技术实施例中，基于供电电压与高压地对驱动模块2进行驱动，可以降低驱动模块2的电压裕度，使得可以采用低压器件对驱动模块2进行设计，可以减少驱动模块2的面积，进而减少驱动电路整体的面积，使得驱动电路占用芯片的面积相应减少，可以提高芯片性能。
125.本技术示例性实施例还提供一种电子设备，包括本技术实施例提供的驱动电路。本技术实施例中，基于供电电压与高压地对驱动模块2进行驱动，可以降低驱动模块2的电压裕度，使得可以采用低压器件对驱动模块2进行设计，可以减少驱动模块2的面积，进而减少驱动电路整体的面积，可以提高电子设备性能。
技术特征：1.一种驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括高压生成模块(1)和驱动模块(2)，所述高压生成模块(1)的输出端与所述驱动模块(2)的接地端连接；所述高压生成模块(1)包括稳压模块(11)和输出模块(12)，所述稳压模块(11)的输出端与所述输出模块(12)的输入端连接，所述输出模块(12)的输出端与所述驱动模块(2)的接地端连接；所述输出模块(12)包括第一场效应管，所述第一场效应管的控制端与所述稳压模块(11)的输出端连接，输出端与所述驱动模块(2)的接地端连接。2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述稳压模块(11)包括齐纳二极管。3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述稳压模块(11)包括第一电阻单元、第一电流源单元和齐纳二极管；所述齐纳二极管的正极与所述第一电流源单元连接，负极用于接收供电电压；所述第一电阻单元设置在所述齐纳二极管的正负极之间；所述第一电流源单元的一端与所述齐纳二极管的正极连接，另一端用于接收基准电位。4.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述输出模块(12)还包括开关单元(121)，所述开关单元(121)的一端与所述第一场效应管的输入端连接，另一端用于接收基准电位。5.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，所述开关单元(121)包括第二场效应管，所述第二场效应管的控制端用于接收开关控制信号，输出端与所述第一场效应管的输入端连接，输入端用于接收所述基准电位。6.根据权利要求1-5任一项所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动模块(2)包括多个子驱动模块(2)，各所述子驱动模块(2)的接地端分别与所述高压生成模块(1)的输出端连接。7.根据权利要求6所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括多个高压生成模块(1)，每个高压生成模块(1)的输出端分别与一个或多个所述子驱动模块(2)的接地端连接。8.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动模块(2)包括运放模块(21)和增压模块(22)，所述运放模块(21)的输入端用于接收供电电压，输出端与所述增压模块(22)的输入端连接。9.根据权利要求8所述的驱动电路，其特征在于，所述增压模块(22)包括控制模块(221)和增压单元(222)，所述控制模块(221)的输入端与所述增压模块(22)的输出端、所述运放模块(21)的输出端连接，并用于接收所述供电电压，所述控制模块(221)的输出端与所述增压单元(222)连接。10.根据权利要求9所述的驱动电路，其特征在于，所述运放模块(21)包括第二电流源单元、第二电阻单元、第三电阻单元和第四电阻单元，所述控制模块(221)包括第五电阻单元和第六电阻单元。11.根据权利要求10所述的驱动电路，其特征在于，所述第二电阻单元、所述第三电阻单元、所述第四电阻单元、所述第五电阻单元和所述第六电阻单元中至少一者的电阻值可变。12.根据权利要求10所述的驱动电路，其特征在于，所述第三电阻单元和所述第四电阻
单元的电阻值相等。13.根据权利要求10所述的驱动电路，其特征在于，所述运放模块(21)还包括运算放大器和第三场效应管；在所述运算放大器的输入端一侧，所述第二电阻单元的一端用于接收所述供电电压，另一端与所述第二电流源单元的一端连接，所述第二电流源单元的另一端用于接收基准电位；在所述运算放大器的输出端一侧，所述第三电阻单元的一端用于接收所述供电电压，另一端与所述第四电阻单元的一端连接，所述第四电阻单元的另一端与所述第三场效应管的输出端连接，所述第三场效应管的输入端与所述高压生成模块(1)的输出端连接，控制端与所述运算放大器的输出端连接；所述运算放大器的同相输入端用于接收所述第二电阻单元和所述第二电流源单元之间的电位，反相输入端用于接收第三电阻单元和第四电阻单元之间的电位。14.根据权利要求10所述的驱动电路，其特征在于，所述控制模块(221)还包括比较单元(2211)；所述第五电阻单元的一端与所述运放模块(21)的输出端连接，另一端与所述第六电阻单元连接，所述第六电阻单元的另一端与所述增压单元(222)的输出端连接；所述比较单元(2211)的一个输入端用于接收所述供电电压，另一输入端用于接收所述第五电阻单元和所述第六电阻单元之间的电位，输出端与所述增压单元(222)连接。15.根据权利要求8所述的驱动电路，其特征在于，所述增压模块(22)包括多个增压通道。16.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1-15中任一项所述的驱动电路。17.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-15中任一项所述的驱动电路。
技术总结本申请提供一种驱动电路、芯片及电子设备，属于电子技术领域。所述驱动电路包括高压生成模块和驱动模块，所述高压生成模块的输出端与所述驱动模块的接地端连接。采用本申请，高压生成模块可以生成高于基准电位的电压，即生成高压地。由于高压生成模块的输出端与驱动模块的接地端连接，使得可以基于供电电压与高压地对驱动模块进行驱动，降低了驱动模块的电压裕度。因此，可以采用低压器件对驱动模块进行设计，可以减少驱动模块的面积，进而减少驱动电路整体的面积。动电路整体的面积。动电路整体的面积。
技术研发人员：韩雪峰 欧阳振华
受保护的技术使用者：合肥市芯海电子科技有限公司
技术研发日：2021.12.30
技术公布日：2022/7/5
