本公开涉及存储装置、电子装置和用于制造存储装置的方法。
背景技术：
1、随着各种信息装置从大容量服务器到移动终端的快速发展，存在对性能的进一步改进的需求，诸如其组成元件(诸如存储器和逻辑)中的更高的集成、更高的速度以及更低的功耗。具体地，非易失性半导体存储器的进步是显著的，并且例如，作为大容量文件存储器的闪存已经以驱逐硬盘驱动器的速度广泛地普及。另一方面，考虑到代码存储的使用和对工作存储器的应用，开发了各种类型的半导体存储器，诸如铁电随机存取存储器(feram)、磁随机存取存储器(mram)和相变随机存取存储器(pcram)，以便替换当前使用的一般的nor闪存、动态随机存取存储器(dram)等。注意，它们中的一些已经被投入实际使用。
2、作为上述存储器之一的mram通过利用通过改变包括在mram中的磁性存储元件的磁性物质的磁化状态(使磁化方向反转)所引起的电阻的变化来存储信息。因此，可以通过确定由磁化状态的变化设定的磁性存储元件的电阻状态(具体地，磁性存储元件的电阻的幅度)来读取所存储的信息。这种mram能够高速操作，可以几乎无限地(1015次或更多)重写，并且具有高可靠性，因此，已经在诸如工业自动化和飞机等领域中使用。此外，由于mram的高速操作和高可靠性，期望在将来将其扩展到代码存储和工作存储器。
3、在如上所述的mram中，使用自旋扭矩磁化反转来反转磁性物质的磁化的mram具有如高速操作的上述优点，并且还可以实现低功耗和大容量，并且因此具有更大的期望。应注意，使用自旋扭矩磁化反转的这种mram被称为自旋转移扭矩-磁性随机存取存储器(stt-mram)。stt-mram包括具有两个磁性层(存储层和固定层)和夹在磁性层之间的绝缘层(例如，mgo)的磁隧道结(mtj)元件作为磁性存储元件。注意，mtj元件也被称为隧道磁阻(tmr)元件。
4、在stt-mram的此存储器阵列中，存在用于记录信息的存储器单元和用于所记录信息的电阻值的高/低(h/l)确定的参考单元(例如，参见专利文献1)。存储器单元包括作为磁性存储元件(存储元件)的mtj元件。进一步，参考单元包括mtj元件作为用于产生参考电阻值的参考元件。
5、引用列表
6、专利文献
7、专利文献1：jp 2009-4440a
8、非专利文献
9、非专利文献1：s.mangin et al.nature materials,vol.5march 2006,p.210
技术实现思路
1、技术问题
2、然而，考虑到参考单元的操作，例如，使得参考单元对多个存储器单元是共用的，使得对参考单元的访问次数在读取信息时增加。因此，有时发生其中在读取时执行写入的错误写入(读取干扰)。
3、因此，本公开提供一种能够抑制错误写入的发生的存储装置、电子装置和用于制造存储装置的方法。
4、问题的解决方案
5、根据本公开的一方面的存储装置包括：存储元件和参考元件，每个具有其磁化方向固定的固定层、其磁化方向能够改变的存储层、以及设置在固定层与存储层之间的绝缘层；基层，设置有存储元件和参考元件；以及半导体基板，所述半导体基板具有层压所述基层的表面，其中，所述基层具有：第一倾斜表面，相对于所述表面倾斜；以及第二倾斜表面，以小于所述第一倾斜表面的倾斜角度的倾斜角度相对于所述表面或平行于所述表面的平面倾斜，所述存储元件设置在所述第一倾斜表面上，并且所述参考元件设置在所述平面或所述第二倾斜表面上。
6、根据本公开的一方面的电子装置包括存储信息的存储装置，其中所述存储装置包括：存储元件和参考元件，所述存储元件和所述参考元件均具有：固定层，所述固定层的磁化方向是固定的；存储层，所述存储层的磁化方向是能够改变的；以及绝缘层，所述绝缘层设置在所述固定层与所述存储层之间；基层，设置有存储元件和参考元件；以及半导体基板，所述半导体基板具有层压有所述基层的表面，所述基层具有：相对于所述表面倾斜的第一倾斜表面；以及第二倾斜表面，以小于第一倾斜表面的倾斜角度的倾斜角度相对于表面或平行于表面的平面倾斜，存储元件设置在第一倾斜表面上，参考元件设置在平面或第二倾斜表面上。
7、根据本公开的一方面的用于制造存储装置的方法，所述方法包括：在半导体基板的表面上形成基层，所述基层具有相对于所述表面倾斜的第一倾斜表面和相对于所述表面或平行于所述表面的平面以小于所述第一倾斜表面的倾斜角度的倾斜角度倾斜的第二倾斜表面；以及在所述第一倾斜表面上形成存储元件，所述存储元件具有磁化方向固定的固定层、磁化方向能够改变的存储层以及设置在所述固定层与所述存储层之间的绝缘层，并且在所述平面或所述第二倾斜表面上形成参考元件，所述参考元件具有磁化方向固定的固定层、磁化方向能够改变的存储层以及设置在所述固定层与所述存储层之间的绝缘层。
1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，
3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，
4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，
5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，
6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，
7.根据权利要求6所述的存储装置，其中，
8.根据权利要求6所述的存储装置，其中，
9.根据权利要求6所述的存储装置，其中，
10.根据权利要求1所述的存储装置，其中，
11.根据权利要求10所述的存储装置，其中，
12.根据权利要求1所述的存储装置，其中，
13.根据权利要求12所述的存储装置，其中，
14.一种电子装置，包括：
15.一种用于制造存储装置的方法，所述方法包括：
