本发明涉及焊接领域，具体涉及一种含水道铜合金靶材组件的焊接方法。
背景技术：
1、目前，铜靶材在现代工业中，特别是在半导体制造、光伏产业和显示技术等领域中扮演着极其重要的角色。在集成电路制造中，铜靶材被用于物理气相沉积(pvd)技术，通过溅射过程形成铜互连层，这对提高芯片的整体性能与可靠性至关重要。在这些应用中，铜靶材的焊接是实现其功能化应用的关键步骤之一。铜靶材的焊接技术，特别是背板的焊接，是确保靶材在溅射过程中结构稳定性的关键。
2、当前铜靶材的焊接技术包括钎焊、扩散焊接、热等静压焊接等，如cn101579782a公开了一种靶材与背板的焊接方法，包括：提供铜靶材坯料和铜合金背板；将铜靶坯料和铜合金背板放置入真空包套送入焊接设备；采用热等静压工艺进行扩散焊接，将铜靶材坯料焊接至铜合金背板形成靶材组件；完成焊接后，进行空冷并拆除真空包套取出靶材组件。
3、如cn110539067a公开了一种高纯铜靶材的扩散焊接方法，所述扩散焊接方法包括如下步骤：准备高纯铜靶材与背板，并在背板的焊接面加工螺纹；将金属粉末均匀设置于背板的螺纹面；将高纯铜靶材与背板组合后放入金属包套，然后对金属包套进行脱气处理，然后对脱气处理后的金属包套进行密封；热等静压处理密封后的金属包套，然后冷却至室温；去除金属包套，完成高纯铜靶材与背板的扩散焊接。
4、然而，当前焊接后所得铜合金靶材组件，由于焊接过程的局限性仍存在靶材和背板焊接结合强度降低的问题，不利于铜合金靶材组件的使用。
技术实现思路
1、鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种含水道铜合金靶材组件的焊接方法，以解决所得铜合金靶材组件存在焊接结合强度较低的问题。
2、为达此目的，本发明采用以下技术方案：
3、本发明提供了一种含水道铜合金靶材组件的焊接方法，所述焊接方法包括：
4、对靶材和背板的焊接面均分别依次进行渗镍处理和等离子体活化，之后进行装配并采用电子束焊接对焊缝进行焊接。
5、本发明提供的焊接方法，通过采用特定的渗镍处理和等离子体活化相配合，实现对焊接面的高效处理，之后经电子束焊接可显著提升所得靶材组件的焊接强度，有利于铜合金靶材的在溅射过程中稳定性和使用寿命的提升。
6、作为本发明优选的技术方案，所述背板和/或靶材的内部设置有水道。
7、优选地，所述背板为凹形背板；所述靶材置于所述凹形背板的凹槽内。
8、优选地，所述凹槽的深度＞靶材的厚度，差值为2-4mm。
9、作为本发明优选的技术方案，所述渗镍处理的方式包括双层辉光离子渗镍。
10、作为本发明优选的技术方案，所述渗镍处理中的源极电压为980-1000v。
11、优选地，所述渗镍处理中的试件电压为520-540v。
12、优选地，所述渗镍处理中的工作气压为30-40pa。
13、作为本发明优选的技术方案，所述渗镍处理所得镍层的厚度为20-40μm。
14、优选地，所述渗镍处理所得镍层中镍的质量百分含量为50-70％。
15、作为本发明优选的技术方案，所述等离子体活化的方式包括射频等离子体活化。
16、作为本发明优选的技术方案，所述等离子体活化的作业绝对真空度为≤1pa。
17、优选地，所述等离子体活化中工作气的流量为60-80sccm。
18、优选地，所述等离子体活化中所用工作气包括体积比为1:(0.3-0.7)的氮气和氩气。
19、优选地，作为本发明优选的技术方案，所述等离子体活化的放电功率为100-150w。
20、优选地，所述等离子体活化的时间为5-15min。
21、作为本发明优选的技术方案，所述电子束焊接包括：依次进行的第一电子束焊接、第二电子束焊接和第三电子束焊接。
22、作为本发明优选的技术方案，所述第一电子束焊接的束流为20-30ma。
23、优选地，所述第二电子束焊接的束流为20-30ma。
24、优选地，所述第三电子束焊接的束流为35-45ma。
25、与现有技术方案相比，本发明具有以下有益效果：
26、本发明提供的焊接方法，通过结合特定的渗镍处理和等离子体活化，改善焊接面的微观结构，进而提升最终的焊接强度，从而提升所得靶材进行溅射作业时的稳定性，所得铜合金靶材组件的焊接强度≥100mpa。
1.一种含水道铜合金靶材组件的焊接方法，其特征在于，所述焊接方法包括：
2.如权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述背板和/或靶材的内部设置有水道；
3.如权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述渗镍处理的方式包括双层辉光离子渗镍。
4.如权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述渗镍处理中的源极电压为980-1000v；
5.如权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述渗镍处理所得镍层的厚度为20-40μm；
6.如权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述等离子体活化的方式包括射频等离子体活化。
7.如权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述等离子体活化的作业绝对真空度为≤1pa；
8.如权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述等离子体活化的放电功率为100-150w；
9.如权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述电子束焊接包括：依次进行的第一电子束焊接、第二电子束焊接和第三电子束焊接。
10.如权利要求9所述的焊接方法，其特征在于，所述第一电子束焊接的束流为20-30ma；
