本发明涉及反应装置以及反应装置用构件。
背景技术：
1、例如，专利文献1公开了反应装置，该反应装置具有：螺杆式给料器主体，其被设计成作为压力反应容器；催化剂供给部，其被设计成将催化剂引入至螺杆式给料器主体内；以及低烃供给部，其被设计成将低烃引入至螺杆式给料器主体内。此外，该反应装置具有：螺杆，其被设计成移送已生成的纳米碳；固体送出部，其被设计成将通过螺杆移送的催化剂与纳米碳送出；以及气体送出部，其被设计成将已生成的氢气送出至给料器主体外。
2、引用列表
3、专利文献
4、专利文献1：日本未经审查的专利申请公开jp 2006-290682。
技术实现思路
1、根据专利文献1的反应装置以及反应装置的构件有如下问题：当待处理的材料在等于或高于300℃的温度下在该待处理的材料以及氛围中的至少一者包含硫或硫化物(即，硫成分)的环境中发生反应时，耐久性会下降。
2、本公开是为了解决这样的问题而做出的，并且其目的是提供反应装置以及反应装置用构件，即便当待处理的材料在等于或高于300℃的温度下在待处理的材料以及氛围中的至少一者包含硫或硫化物的环境中发生反应时，反应器和反应器用构件的耐久性也几乎不下降。
3、根据实施方式的反应装置用构件用于反应装置，该反应装置被设计成使待处理的材料在待处理的材料以及氛围中的至少一者包含硫或硫化物的环境中发生反应，并且该反应装置用构件包含以fe为主成分并含有13-35质量％的cr且总计含有0-35质量％的ni和co的合金。
4、根据实施方式的反应装置用构件用于反应装置，该反应装置被设计成使待处理的材料在待处理的材料以及氛围中的至少一者包含硫或硫化物的环境中发生反应，并且该反应装置用构件包含以ni或co为主成分并含有13-35质量％的cr且总计含有35-87质量％的ni和co的合金。
5、根据实施方式的反应装置用构件用于反应装置，该反应装置被设计成使待处理的材料在待处理的材料以及氛围中的至少一者包含硫或硫化物的环境中发生反应，并且该反应装置用构件包含以ni或co为主成分并含有少于13质量％的cr且总计含有40-80质量％的ni和co的合金，并且在合金的表面上形成有涂膜。
6、根据实施方式的反应装置使待处理的材料在待处理的材料以及氛围中的至少一者包含硫或硫化物的环境中发生反应，并且被供给待处理的材料的筒体包含以fe为主成分并含有13-35质量％的cr且总计含有0-35质量％的ni和co的合金。
7、根据实施方式的反应装置使待处理的材料在待处理的材料以及氛围中的至少一者包含硫或硫化物的环境中发生反应，并且被供给待处理的材料的筒体包含以ni或co为主成分并含有13-35质量％的cr且总计含有35-87质量％的ni和co的合金。
8、根据实施方式的反应装置使待处理的材料在待处理的材料以及氛围中的至少一者包含硫或硫化物的环境中发生反应，被供给待处理的材料的筒体包含以ni或co为主成分并含有少于13质量％的cr且总计含有40-80质量％的ni和co的合金，并且在合金的表面上形成有涂膜。
9、根据本公开，能够提供反应装置以及反应装置用构件，即便当待处理的材料在等于或高于300℃的温度下在待处理的材料以及氛围中的至少一者包含硫或硫化物的环境中发生反应时，反应装置和反应装置组件的耐久性也几乎不下降。
1.用在反应装置中的反应装置用构件，该反应装置被设计成使待处理的材料在等于或高于300℃的温度下发生反应，其中，
2.用在反应装置中的反应装置用构件，该反应装置被设计成使待处理的材料在等于或高于300℃的温度下发生反应，其中，
3.用在反应装置中的反应装置用构件，该反应装置被设计成使待处理的材料在等于或高于300℃的温度下发生反应，其中，
4.根据权利要求3所述的反应装置用构件，其中，所述涂膜为陶瓷膜。
5.根据权利要求4所述的反应装置用构件，其中，所述陶瓷膜的厚度为0.01-5mm。
6.根据权利要求3所述的反应装置用构件，其中，所述涂膜为金属镀膜。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的反应装置用构件，其中，所述合金包含选自w、mo、al、c、b、si、ti、nb、y、hf、zr、ta以及mn中的一种或多种。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的反应装置用构件，其中，所述反应装置用构件是被供给所述待处理的材料的筒体。
9.根据权利要求8所述的反应装置用构件，其中，所述筒体被设计成通过旋转来输送所述待处理的材料。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的反应装置用构件，其中，所述反应装置用构件是被设计成通过旋转来输送所述待处理的材料的螺杆。
11.反应装置，该反应装置具有：
12.反应装置，该反应装置具有：
13.反应装置，该反应装置具有：
14.根据权利要求13所述的反应装置，其中，所述涂膜为陶瓷膜。
15.根据权利要求14所述的反应装置，其中，所述陶瓷膜的厚度为0.01-5mm。
16.根据权利要求13所述的反应装置，其中，所述涂膜为金属镀膜。
17.根据权利要求11至16中任一项所述的反应装置，其中，所述合金包含选自w、mo、al、c、b、si、ti、nb、y、hf、zr、ta以及mn中的一种或多种。
