本发明涉及计算机，具体而言，涉及一种存储芯片的质量检测方法及系统。
背景技术：
1、目前，在当前数字化时代，存储芯片的性能和质量至关重要，因为它们直接影响到各种电子设备的性能和可靠性。传统的存储芯片评估方法通常缺乏自适应性，无法应对不断变化的工作负载。对未进行焊接，外接操作设备的存储芯片进行检测。不但需要对存储芯片的物理质量进行检测，还需对存储芯片在存储数据的读取速度和耗电效应进行质量检测。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供了一种存储芯片的质量检测方法及系统，用以解决现有技术中存在的上述问题。
2、第一方面，本发明实施例提供了一种存储芯片的质量检测方法，包括：
3、获取存储芯片读取不同大小的一个完整的数据导入的时间长度，得到完整时间长度、多个传输包时间段和对应的传输包数据量；所述传输包时间段表示传输一个完整的数据的一个数据包的时间长度；所述传输包数据量表示传输一个完整的数据的部分的数据量；
4、获取传输包时间段对应的芯片放电谱图；所述芯片放电谱图表示传输表示存储芯片多个时间点不同频率放电量的图谱；
5、根据多个传输包时间段，以长表示传输时间点，宽表示传输包数据量，构建读取时间图；
6、基于所述读取时间图和所述完整时间长度，构建部分平均与全部平均的传输包数据量之间的关系，得到差距连接图和交叉点；
7、基于所述差距连接图和交叉点，读取一个完整数据的多个传输包之间的关系，得到传输包内部关系特征；
8、基于交叉点，检测所述差距连接图与芯片放电谱图之间的关系，得到芯片放电特征；
9、将所述传输包内部关系特征和芯片放电特征输入第一全连接神经网络，进行读取速度和放电状态的检测，得到检测质量。
10、可选的，所述基于交叉点，检测所述差距连接图与芯片放电谱图之间的关系，得到芯片放电特征，包括：
11、基于所述交叉点和芯片放电谱图，提取交叉点的芯片放电谱图的变化状态，得到第一芯片放电特征；
12、基于所述交叉点和芯片放电谱图，增加交叉点的芯片放电谱图的特征，提取每个固定时间长度芯片放电谱图的变化状态，得到第二芯片放电特征；
13、将所述第一芯片放电特征和第二芯片放电特征输入第二全连接神经网络，融合特征，得到芯片放电特征。
14、可选的，所述基于所述差距连接图和交叉点，读取一个完整数据的多个传输包之间的关系，得到传输包内部关系特征，包括：
15、以差距连接图左下角为原点，长为横坐标，宽为纵坐标构建坐标系；
16、按照所述坐标系，将差距连接图中所述交叉点对应的线段构建直线函数，得到第一直线；
17、交叉点对应的多个线段对应获得多个第一直线；
18、按照时间点从早到晚，将所述多个第一直线的斜率和截距依次输入第一时间卷积网络，检测交叉点位置传输包数据量的变化状态，得到传输包内部关系特征。
19、可选的，所述基于所述交叉点和芯片放电谱图，提取交叉点的芯片放电谱图的变化状态，得到交叉点芯片放电特征，包括：
20、提取所述交叉点对应的芯片放电谱图；
21、按照时间点从早到晚，将提取的芯片放电谱图进行叠加，得到三维放电谱图；
22、将所述三维放电谱图输入三维卷积网络，提取不同时间不同放电的状态，得到交叉点芯片放电特征。
23、可选的，所述基于所述交叉点和芯片放电谱图，增加交叉点的芯片放电谱图的特征，提取每个固定时间长度芯片放电谱图的变化状态，得到第二芯片放电特征，包括：
24、将所述芯片放电谱图输入卷积神经网络，提取特征，得到芯片放电特征图；
25、多个芯片放电谱图对应获得多个芯片放电特征图；
26、将所述交叉点对应的芯片放电特征图进行上采样融合后下采样；
27、按照时间点从早到晚，将融合后的多个芯片放电特征图依次输入第二时间卷积网络，得到第二芯片放电特征。
28、可选的，所述基于所述读取时间图和所述完整时间长度，构建部分平均与全部平均的传输包数据量之间的关系，得到差距连接图和交叉点，包括：
29、将所述完整时间长度对应的传输数据量求取平均值，得到平均传输数据量；
30、在读取时间图中的平均传输数据量绘制一条直线；
31、将所述读取时间图中的多个点进行连接，得到多条线段；
32、基于所述读取时间图中的多条线段与平均传输数据量对应的直线，得到差距连接图；
33、将读取时间图中的多条线段与平均传输数据量对应的直线进行相交的点作为交叉点。
34、可选的，所述基于所述读取时间图中的多条线段与平均传输数据量对应的直线，得到差距连接图，包括：
35、若所述读取时间图中的线段对应的传输包数据量大于平均传输数据量，将线段与平均传输数据量对应的直线之间的区域设为白色；
36、若所述读取时间图中的线段对应的传输包数据量小于平均传输数据量，将线段与平均传输数据量对应的直线之间的区域设为黑色，得到差距连接图。
37、可选的，所述根据多个传输包时间段，以长表示传输时间点，宽表示传输包数据量，构建读取时间图，包括：
38、获取传输包数据量最大值；所述传输包数据量最大值表示一次性传输一个传输包的最大的传输包数据量；
39、以长表示传输时间点，宽表示传输包数据量，得到初始时间图；
40、所述初始时间图的长度等于完整时间长度；所述初始时间图的宽度等于传输包数据量最大值；
41、将传输包时间段在初始时间图对应的位置进行标记；
42、将传输包时间段对应的传输包数据量在初始时间图上绘制横线线段，得到直线时间图；一个传输时间段对应一条横线线段；
43、基于所述直线时间图，化线为点，得到读取时间图。
44、可选的，所述基于所述直线时间图，化线为点，得到读取时间图，包括：
45、获取固定时间长度；
46、按照固定时间长度，将所述直线时间图的长进行分割；
47、若分割的直线时间图中存在一条直线，将所述分割的直线时间图中的直线对应的中点作为分割点；
48、将所述分割点对应的传输包数据量进行保留，直线中其他位置的传输数据量进行删除，化线为点；
49、若分割的直线时间图中存在两条直线，将两条直线在读取时间图上进行删除，得到读取分割图。
50、第二方面，本发明实施例提供了一种存储芯片的质量检测系统，包括：
51、获取模块：获取存储芯片读取不同大小的一个完整的数据导入的时间长度，得到完整时间长度、多个传输包时间段和对应的传输包数据量；所述传输包时间段表示传输一个完整的数据的一个数据包的时间长度；所述传输包数据量表示传输一个完整的数据的部分的数据量；获取传输包时间段对应的芯片放电谱图；所述芯片放电谱图表示传输表示存储芯片多个时间点不同频率放电量的图谱；
52、读取时间图构建模块：根据多个传输包时间段，以长表示传输时间点，宽表示传输包数据量，构建读取时间图；
53、交叉点检测模块：基于所述读取时间图和所述完整时间长度，构建部分平均与全部平均的传输包数据量之间的关系，得到差距连接图和交叉点；
54、传输包内部关系检测模块：基于所述差距连接图和交叉点，读取一个完整数据的多个传输包之间的关系，得到传输包内部关系特征；
55、放电谱图检测模块：基于交叉点，检测所述差距连接图与芯片放电谱图之间的关系，得到芯片放电特征；
56、质量检测模块：将所述传输包内部关系特征和芯片放电特征输入第一全连接神经网络，进行读取速度和放电状态的检测，得到检测质量。
57、相较于现有技术，本发明实施例达到了以下有益效果：
58、本发明实施例还提供了一种存储芯片的质量检测方法及系统，所述方法包括：获取存储芯片读取不同大小的一个完整的数据导入的时间长度，得到完整时间长度、多个传输包时间段和对应的传输包数据量；所述传输包时间段表示传输一个完整的数据的一个数据包的时间长度；所述传输包数据量表示传输一个完整的数据的部分的数据量；获取传输包时间段对应的芯片放电谱图；所述芯片放电谱图表示传输表示存储芯片多个时间点不同频率放电量的图谱；根据多个传输包时间段，以长表示传输时间点，宽表示传输包数据量，构建读取时间图；基于所述读取时间图和所述完整时间长度，构建部分平均与全部平均的传输包数据量之间的关系，得到差距连接图和交叉点；基于所述差距连接图和交叉点，读取一个完整数据的多个传输包之间的关系，得到传输包内部关系特征；基于交叉点，检测所述差距连接图与芯片放电谱图之间的关系，得到芯片放电特征；将所述传输包内部关系特征和芯片放电特征输入第一全连接神经网络，进行读取速度和放电状态的检测，得到检测质量。
59、本发明，按照实际的时间点和规定限制的传输包数据量最大值构建初始时间图。绘制表示传输包数据量的横线线段。并且按照固定时间长度进行切割，化线为点，得到读取时间图。所述读取时间图能够体现长边的每个位置对应的传输包时间段，和每个传输包时间段传输的数据量。将所述完整时间长度对应的传输数据量求取平均绘制一条直线，将读取时间图中的多个点进行连接，得到差距连接图能够体现出一个完整的数据与传输其的数据包之间传输的数据量的关系。得到的交叉点能够体现传输数据包正常，不会过慢导致存储芯片读写时间慢的时间点。所述交叉点表示了界限点。将所述界限的对应的线段输入第一时间卷积网络，能够检测到读写时间是小于或大于交叉点的时间，整体是增长还是下降的特征。根据芯片放电谱图，能够增加在交叉点的特征，检测在读写过程中耗电的特征。采用上述两种特征共同检测，能够达到更加准确检测存储芯片的质量的技术效果。
1.一种存储芯片的质量检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储芯片的质量检测方法，其特征在于，所述基于交叉点，检测所述差距连接图与芯片放电谱图之间的关系，得到芯片放电特征，包括：
3.根据权利要求1所述的存储芯片的质量检测方法，其特征在于，所述基于所述差距连接图和交叉点，读取一个完整数据的多个传输包之间的关系，得到传输包内部关系特征，包括：
4.根据权利要求2所述的存储芯片的质量检测方法，其特征在于，所述基于所述交叉点和芯片放电谱图，提取交叉点的芯片放电谱图的变化状态，得到交叉点芯片放电特征，包括：
5.根据权利要求2所述的存储芯片的质量检测方法，其特征在于，所述基于所述交叉点和芯片放电谱图，增加交叉点的芯片放电谱图的特征，提取每个固定时间长度芯片放电谱图的变化状态，得到第二芯片放电特征，包括：
6.根据权利要求1所述的存储芯片的质量检测方法，其特征在于，所述基于所述读取时间图和所述完整时间长度，构建部分平均与全部平均的传输包数据量之间的关系，得到差距连接图和交叉点，包括：
7.根据权利要求6所述的存储芯片的质量检测方法，其特征在于，所述基于所述读取时间图中的多条线段与平均传输数据量对应的直线，得到差距连接图，包括：
8.根据权利要求1所述的存储芯片的质量检测方法，其特征在于，所述根据多个传输包时间段，以长表示传输时间点，宽表示传输包数据量，构建读取时间图，包括：
9.根据权利要求8所述的存储芯片的质量检测方法，其特征在于，所述基于所述直线时间图，化线为点，得到读取时间图，包括：
10.一种存储芯片的质量检测系统，其特征在于，包括：
