本发明属于硅片切割方法的,具体涉及一种改善12英寸硅片翘曲形貌的方法。
背景技术:
1、集成电路为追求低成本、立体化方向快速发展,对单晶硅片的质量、直径、厚度等指标提出更高的要求;其中最明显的即为大直径化,硅片直径越大,单位面积硅片出片率越高,从1965年2英寸的直径逐步增大到2000年的12英寸。而从2英寸到逐步增大到12英寸,直径扩大六倍,单片面积扩大36倍,极大地降低芯片生产成本。然而,硅片直径的增大,同样给整个集成电路制造流程带来极大的挑战。
2、现阶段,针对12英寸硅片粗片的参数要求,除了翘曲值(warp)的大小以外,下游用户更为注重硅片微观形貌的相对平坦,若形貌异常,则为不合格产品,但是在硅片加工时的出刀口及入刀口,即切割开始位置与即将结束位置,硅片的微观形貌异常概率大,故需要研究一种方法以改善硅片的形貌。
3、现有技术中,如申请号为cn202310726300.7的中国发明公开了一种控制切割硅片形貌的工艺方法,通过在机架上开设水冷腔,在硅片不同切割位置根据监测件监测到的机架的膨胀量向水冷腔内通入第一预定温度曲线的冷水,正负补偿晶锭在不同切割区域的膨胀状况,从而改善硅片的入刀形状,控制和提高硅片的平坦度,进而使硅片形貌和mc侧形貌一致,改善硅片warp;上述现有技术中虽然通过控制机架的水冷改善了硅片的入刀口形状,但是硅片出刀口的形貌仍然存在异常,因此需要探究一种新的改善12英寸硅片翘曲形貌的方法。
技术实现思路
1、有鉴于此,本发明提供一种改善12英寸硅片翘曲形貌的方法。
2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
3、一种改善12英寸硅片翘曲形貌的方法,在多线切割中,通过控制钢线张力,保证线网上新、旧两侧钢线线弓均匀一致,使硅片加工时入刀口及出刀口的形貌平坦。
4、优选地,所述保证线网上新、旧两侧钢线线弓均匀一致具体根据晶圆的切割直径控制钢线的张力进行调整。
5、优选地,根据晶圆的切割直径控制钢线的张力通过以下步骤控制:
6、s1:在晶圆与钢线接触的入刀位置时,钢线保持第一预定张力;
7、s2:在入刀位置至晶圆第一预定高度时,钢线张力从第一预定张力均匀降低至第二预定张力;
8、s3:在晶圆第一预定高度至第二预定高度时,钢线张力保持第二预定张力;
9、s4:在晶圆第二预定高度至出刀位置时,钢线张力从第二预定张力均匀增加值第三预定张力。
10、优选地,所述第一预定张力>所述第三预定张力>第二预定张力。
11、优选地,所述第一预定张力为:30n-35n,第二预定张力为:25n-30n,第三预定张力为:30n-33n。
12、优选地,所述第一预定高度为:30%-40%,所述第二预定高度为:60%-70%。
13、优选地,所述保证线网上新、旧两侧钢线线弓均匀一致具体为:所述新线侧张力固定不变,所述旧线侧张力降低,所述旧线侧张力小于新线侧张力。
14、优选地,所述新线侧张力为25n-30n,所述旧线侧张力为24n-28n。
15、与现有技术相比,本发明的有益效果在于:
16、本发明提供的一种改善12英寸硅片翘曲形貌的方法,在多线切割中,通过控制钢线张力,保证线网上新、旧两侧钢线线弓均匀一致,以平衡钢线屈服强度与破断张力,使得砂浆在钢线上的附着不受影响,进而硅片加工时入刀口及出刀口的形貌平坦,warp值降低。
1.一种改善12英寸硅片翘曲形貌的方法,其特征在于,在多线切割中,通过控制钢线张力,保证线网上新、旧两侧钢线线弓均匀一致,使硅片加工时入刀口及出刀口的形貌平坦。
2.如权利要求1所述的改善12英寸硅片翘曲形貌的方法,其特征在于:所述保证线网上新、旧两侧钢线线弓均匀一致具体根据晶圆的切割直径控制钢线的张力进行调整。
3.如权利要求2所述的改善12英寸硅片翘曲形貌的方法,其特征在于:根据晶圆的切割直径控制钢线的张力通过以下步骤控制:
4.如权利要求3所述的改善12英寸硅片翘曲形貌的方法,其特征在于:所述第一预定张力>所述第三预定张力>第二预定张力。
5.如权利要求3或4所述的改善12英寸硅片翘曲形貌的方法,其特征在于:所述第一预定张力为:30n-35n,第二预定张力为:25n-30n,第三预定张力为:30n-33n。
6.如权利要求3所述的改善12英寸硅片翘曲形貌的方法,其特征在于:所述第一预定高度为:30%-40%,所述第二预定高度为:60%-70%。
7.如权利要求1所述的改善12英寸硅片翘曲形貌的方法,其特征在于:所述保证线网上新、旧两侧钢线线弓均匀一致具体为:所述新线侧张力固定不变,所述旧线侧张力降低,所述旧线侧张力小于新线侧张力。
8.如权利要求7所述的改善12英寸硅片翘曲形貌的方法,其特征在于:所述新线侧张力为25n-30n,所述旧线侧张力为24n-28n。