本发明涉及半导体激光器，具体提供一种可实现在片检测的dfb激光芯片及晶圆结构。
背景技术：
1、dfb半导体激光器是一种边发射半导体激光器，在测试其性能的时候，通常要通过把芯片解理划片后加点才能够测试。解理划片之后芯片呈bar条，每根bar条需要分别单独摆放并耦合才能够测试，过程比较麻烦，耗时较长，很难做到全检全测。
2、现有技术中对dfb芯片的检测无法实现全检全测，并且在后期测试的过程中，经常需要解理成单管，贴片打线之后才能够测试，当有不良样品的时候，这种测试对工序、物料、工时都是一种浪费。
技术实现思路
1、本发明为解决上述问题，提供了一种可实现在片检测的dfb激光芯片和晶圆结构，通过将波导层的两端设计为倾斜面，通过倾斜面将光反射或者折射向波导层的上表面或下表面传输，使得可以直接从顶部或底部检测晶圆上dfb激光芯片，简化了芯片检测工艺，降低了芯片检测成本。
2、第一方面，本发明提供的可实现在片检测的dfb激光芯片，包括：设置在衬底上的波导层，所述波导层的两端为倾斜面，所述倾斜面改变所述波导层内光子的传输方向。
3、优选的，所述倾斜面将所述波导层内的光子反射或折射向所述波导层的上表面或下表面。
4、优选的，所述倾斜面与所述衬底的夹角大于90度。
5、优选的，所述倾斜面与所述衬底的夹角小于90度。
6、优选的，所述波导层包括直波导、第一弯波导和第二弯波导，所述第一弯波导和所述第二弯波导分别位于所述直波导的两端，所述第一弯波导和所述第二弯波导相对于所述直波导向侧面弯曲。
7、第二方面，一种晶圆结构，包括多个等间距排布的可实现在片检测的dfb激光芯片。
8、第三方面，一种晶圆结构，包括多排具有弯波导的可实现在片检测的dfb激光芯片，相邻排中dfb激光芯片的第一弯波导和第二弯波导的弯曲方向相反。
9、优选的，同一排中相邻dfb激光芯片的两个直波导的距离等于直波导的长度；任意一个dfb激光芯片的直波导左端与邻排中距离最小的dfb激光芯片的直波导右端在纵向上对齐。
10、与现有技术相比，本发明能够取得如下有益效果：
11、本发明通过倾斜面改变了波导内光子传输方向，使波导内光子由晶圆的上方或者下方射出，进行在片检测时，直接从晶圆的上方或者下方观察出光情况，即可在芯片解理之前及时挑出不良品，简化了dfb激光芯片的检测工艺，减少了对后续工序、物料和工时的浪费，降低了经济成本。
12、此外，本发明将波导层设计为直波导与弯波导的组合，通过弯波导增大了相邻倾斜面间的距离，可以提高晶圆上芯片排布密度，使晶圆上可以分布更多的dfb激光芯片。
1.一种可实现在片检测的dfb激光芯片，其特征在于，包括设置在衬底上的波导层，所述波导层的两端为倾斜面，所述倾斜面改变所述波导层内光子的传输方向。
2.如权利要求1所述的可实现在片检测的dfb激光芯片，其特征在于，所述倾斜面将所述波导层内的光子反射或折射向所述波导层的上表面或下表面。
3.如权利要求1所述的可实现在片检测的dfb激光芯片，其特征在于，所述倾斜面与所述衬底的夹角大于90度。
4.如权利要求1所述的可实现在片检测的dfb激光芯片，其特征在于，所述倾斜面与所述衬底的夹角小于90度。
5.如权利要求1所述的可实现在片检测的dfb激光芯片，其特征在于，所述波导层包括直波导、第一弯波导和第二弯波导，所述第一弯波导和所述第二弯波导分别位于所述直波导的两端，所述第一弯波导和所述第二弯波导相对于所述直波导向侧面弯曲。
6.一种晶圆结构，其特征在于，包括多个等间距排布的如权利要求1至4任意一项所述的可实现在片检测的dfb激光芯片。
7.一种晶圆结构，其特征在于，包括多排如权利要求5所述的可实现在片检测的dfb激光芯片，相邻排中dfb激光芯片的第一弯波导和第二弯波导的弯曲方向相反。
8.如权利要求7所述的晶圆结构，其特征在于，同一排中相邻dfb激光芯片的两个直波导的距离等于直波导的长度；任意一个dfb激光芯片的直波导左端与邻排中距离最小的dfb激光芯片的直波导右端在纵向上对齐。
