高分子相分离图案制备金属网格透明电极的制作方法

allin2025-04-23  21


本发明涉及金属网格透明电极制备的,具体为高分子相分离图案制备金属网格透明电极。


背景技术:

1、金属网格透明电极是一种具有高光学透过率和低电阻的导电材料,广泛应用于触摸屏、太阳能电池、显示器等领域。目前,制备金属网格透明电极的方法有多种,如蚀刻、压印、3d打印等。这些方法通常需要先制作一个图案化的模板,然后通过物理或化学方法将金属填充到模板中,形成金属网格结构。然而,现有的制备方法存在一些缺陷:

2、(1)现有的金属网格透明电极制备方法通常涉及多个步骤,如模板制作、金属填充、去除多余金属等,导致制备过程复杂,成本较高;

3、(2)金属网格的光电性能取决于图案化模板的参数,如线宽、线间距等。然而,现有的模板制作方法难以精确控制这些参数,导致金属网格的性能难以优化;

4、(3)在现有制备方法中,金属网格与基底之间的附着力可能不足,导致金属网格在使用过程中容易脱落,影响器件的稳定性和寿命。


技术实现思路

1、本发明的目的在于提供高分子相分离图案制备金属网格透明电极,以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:高分子相分离图案制备金属网格透明电极,该金属网格透明电极的制备方法包括以下步骤:

3、s1:选用聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯两种高分子,配置不同浓度的溶液;

4、s2:将相同浓度的聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯溶液按体积比1:1、3:2、2:1均匀混合;

5、s3:使用涂布方法将高分子溶液附在衬底基材表面;

6、s4:将成膜后的高分子膜置于含氯仿的密闭空间中22-24小时,促使相分离发生;

7、s5:使用40倍光学显微镜观察高分子膜表面的相分离情况,确认图案的形成;

8、s6:在相分离区域进行金属化处理,之后去除高分子模板,得到金属网格。

9、优选的,所述聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯两种高分子分别配置15mg/ml、20mg/ml、30mg/ml、60mg/ml四种浓度。

10、优选的,所述衬底基材包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、彩色聚合物、环烯烃聚合物。

11、优选的,所述氯仿为相分离诱导剂。

12、优选的,所述金属化处理采用蒸镀或水镀技术。

13、优选的,所述涂布方法包括刮刀涂布方法和旋转涂布方法。

14、与现有技术相比,本发明的有益效果是:

15、本发明提供一种利用高分子相分离图案制备金属网格透明电极的方法,通过控制高分子溶液的浓度、风干时间和退火时间,可在基材表面形成尺寸可控的分离网状图案,进而通过蒸镀或水镀方法形成金属网格,该方法简化金属网格的制备流程,降低成本,同时避免使用有害化学品,更加环保,通过控制高分子溶液的参数,实现对金属网格尺寸和光电性能的精确控制,该方法适用于多种基材,具有良好的通用性和可扩展性。



技术特征:

1.高分子相分离图案制备金属网格透明电极,其特征在于:该金属网格透明电极的制备方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的高分子相分离图案制备金属网格透明电极,其特征在于:所述聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯两种高分子分别配置15mg/ml、20mg/ml、30mg/ml、60mg/ml四种浓度。

3.根据权利要求1所述的高分子相分离图案制备金属网格透明电极,其特征在于:所述衬底基材包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、彩色聚合物、环烯烃聚合物。

4.根据权利要求1所述的高分子相分离图案制备金属网格透明电极,其特征在于:所述氯仿为相分离诱导剂。

5.根据权利要求1所述的高分子相分离图案制备金属网格透明电极,其特征在于:所述金属化处理采用蒸镀或水镀技术。

6.根据权利要求1所述的高分子相分离图案制备金属网格透明电极,其特征在于:所述涂布方法包括刮刀涂布方法和旋转涂布方法。


技术总结
本发明公开了高分子相分离图案制备金属网格透明电极,该金属网格透明电极的制备方法包括以下步骤:S1:选用聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯两种高分子,配置不同浓度的溶液;S2:将相同浓度的聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯溶液按体积比1:1、3:2、2:1均匀混合;S3:使用涂布方法将高分子溶液附在衬底基材表面;S4:将成膜后的高分子膜置于含氯仿的密闭空间中22‑24小时,促使相分离发生;S5:使用40倍光学显微镜观察高分子膜表面的相分离情况,确认图案的形成;该方法简化金属网格的制备流程,降低成本,同时避免使用有害化学品,更加环保,通过控制高分子溶液的参数,实现对金属网格尺寸和光电性能的精确控制。

技术研发人员:苏伟,赵维涛
受保护的技术使用者:深圳市志凌伟业技术股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/10/31
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