本发明涉及化学镀钯，尤其涉及一种应用于电子产品的化学磷钯镀液。
背景技术：
1、化学镀钯可以阻挡镍金原子扩散，提高镀层的抗腐蚀性，尤其是磷钯的抗腐蚀性能由于纯钯，但是磷钯的还原剂采用次亚磷酸钠作为还原剂，活性较强，钯随着负载面积增大，速率加快，镀液析槽，稳定性变差，损失大。目前，国内电子产品表面处理技术所使用的的药水均存在该类问题。同时随着温度变化，化学镀钯厚度变化差异大，均匀性差，在专利cn113026005a中提供了一种应用在柔性线路板化学镀镍钯金镀层的化学镀溶液及工艺，但是在镀钯时由于体系稳定性较差，无法满足工艺需求。
技术实现思路
1、针对上述技术中存在的不足之处，本发明提供一种应用于电子产品的化学磷钯镀液。该化学镀钯液不仅有优良的稳定效果，而且具备优异的均匀性和抗腐蚀，0.1μm钯层的厚度盐雾测试可达48h。
2、为实现上述目的，本发明提供了一种应用于电子产品的化学磷钯镀液，包括以下质量浓度的组分：钯盐0.5-1.0g/l、复合络合剂6-10g/l、起镀剂0.1-0.5g/l、稳定剂10-40mg/l、还原剂10-40g/l、复合均匀剂30-60mg/l，余量为去离子水；
3、所述复合络合剂为2,3-二氨基吡啶和d-2-氨基己二酸组成的组合物；所述起镀剂为3-氨基噻吩－2－羧酸甲酯；所述复合均匀剂为甲基乙烯基醚-马来酸酐共聚物和聚苯乙烯丁二烯共聚物组成的组合物。该复合络合剂可以改变传统络合剂乙二胺的稳定性不足、量过大易产生漏镀现象等问题，本申请的复合络合剂不会存在漏镀现象，又能保证稳定性。起镀剂为3-氨基噻吩－2－羧酸甲酯，起镀剂可以加速钯核的生长，促进连续成核，保证钯生长有序不漏镀；本申请采用微量共聚物类化合物，改善钯离子的分布均匀性，从而提高镀层均匀性。
4、其中，所述稳定剂为3-乙酰氨基四氢-2-噻吩。稳定剂为3-乙酰氨基四氢-2-噻吩，该稳定剂可以抑制钯粒子晶核过度无序生长的趋势，始终保证钯核不会过大，从而促进不断有新的钯核生成。
5、其中，所述还原剂为次亚磷酸钠。
6、其中，ph控制在5.5-7.5、温度控制在55-65℃。
7、其中，钯盐为硫酸四氨钯，其pd与氨水配比为1gpd2+配15-35ml/l。
8、其中，所述2,3-二氨基吡啶和d-2-氨基己二酸其在使用的质量浓度比为1:1；所述甲基乙烯基醚-马来酸酐共聚物和聚苯乙烯丁二烯共聚物在使用时的质量浓度比为1:2。
9、本发明的有益效果是：与现有技术相比，本发明提供的一种应用于电子产品的化学磷钯镀液，存在以下优势：
10、1)本申请采用该复合络合剂可以改变传统络合剂乙二胺的稳定性不足、量过大易产生漏镀现象等问题，本申请的复合络合剂不会存在漏镀现象，又能保证稳定性。
11、2)本申请采用起镀剂为3-氨基噻吩－2－羧酸甲酯，起镀剂可以加速钯核的生长，促进连续成核，保证钯生长有序不漏镀。
12、3)本申请本申请采用微量共聚物类化合物，改善钯离子的分布均匀性，从而提高镀层均匀性。
13、4)本申请使用稳定剂为3-乙酰氨基四氢-2-噻吩，该稳定剂可以抑制钯粒子晶核过度无序生长的趋势，始终保证钯核不会过大，从而促进不断有新的钯核生成。
1.一种应用于电子产品的化学磷钯镀液，其特征在于，包括以下质量浓度的组分：钯盐0.5-1.0g/l、复合络合剂6-10g/l、起镀剂0.1-0.5g/l、稳定剂10-40mg/l、还原剂10-40g/l、复合均匀剂30-60mg/l，余量为去离子水；
2.根据权利要求1所述的一种应用于电子产品的化学磷钯镀液，其特征在于，所述稳定剂为3-乙酰氨基四氢-2-噻吩。
3.根据权利要求1所述的一种应用于电子产品的化学磷钯镀液，其特征在于，所述还原剂为次亚磷酸钠。
4.根据权利要求1所述的一种应用于电子产品的化学磷钯镀液，其特征在于，ph控制在5.5-7.5；温度控制在55-65℃。
5.根据权利要求1所述的一种应用于电子产品的化学磷钯镀液，其特征在于，钯盐为硫酸四氨钯，其pd与氨水配比为1gpd2+配15-35ml/l。
6.根据权利要求1所述的一种应用于电子产品的化学磷钯镀液，其特征在于，所述2,3-二氨基吡啶和d-2-氨基己二酸其在使用的质量浓度比为1:1；所述甲基乙烯基醚-马来酸酐共聚物和聚苯乙烯丁二烯共聚物在使用时的质量浓度比为1:2。
