本发明公开总体上涉及半导体技术，更具体地涉及半导体制造技术。本发明公开提供了一种具有多个沟槽的改进的晶片和制造半导体装置的方法。
背景技术：
1、提出了一种通过划分晶片来制造多个半导体芯片的改进技术。
技术实现思路
1、本发明公开提供了一种具有多个沟槽的改进的晶片和制造半导体装置的方法。
2、根据本发明公开的一个实施例，提供了一种晶片，其包括多个芯片区；第一划线道，其设置在所述芯片区域之间；以及第一沟槽图案，其设置在所述第一划线道中。所述第一划线道在第一方向上延伸。所述第一沟槽图案包括在所述第一方向上彼此间隔开的多个第一沟槽组。
3、根据本发明公开的另一个实施例，提供了一种晶片，其包括衬底，所述衬底包括芯片区域和在所述芯片区域之间的划线道。所述划线道包括：虚设金属图案，其在所述衬底之上；虚设顶金属图案，其在所述虚设金属图案之上；再分布绝缘层，其在所述虚设顶金属图案之上；以及多个沟槽，其垂直穿过所述再分布绝缘层。所述多个沟槽可以与所述虚设金属图案和所述虚设顶金属图案垂直重叠。
4、本公开的又一实施例提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法包括：制备具有芯片区域和划线道的衬底，在所述衬底之上的划线道中形成虚设金属图案，形成围绕所述虚设金属图案的层间绝缘层，在所述虚设金属图案和所述层间绝缘层之上形成虚设顶金属图案，形成覆盖所述虚设顶金属图案的钝化层，在所述钝化层之上形成再分布绝缘层，形成垂直穿过所述再分布绝缘层的沟槽，以及沿着所述沟槽执行单体化工艺。
5、通过所附附图和本发明实施例的详细描述，本发明的这些和其他特征和优点对本领域技术人员来说将变得显然。
1.一种衬底，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述第一沟槽组中的每一个第一沟槽组包括在所述第一方向上延伸的多个第一沟槽。
3.根据权利要求2所述的衬底，其中，所述多个第一沟槽具有在俯视图中彼此平行的分段形状。
4.根据权利要求1所述的衬底，其中：
5.根据权利要求1所述的衬底，进一步包括：
6.根据权利要求5所述的衬底，其中：
7.根据权利要求5所述的衬底，进一步包括：
8.根据权利要求1所述的衬底，进一步包括：
9.根据权利要求1所述的衬底，进一步包括：
10.根据权利要求1所述的衬底，进一步包括：
11.一种晶片，包括：
12.根据权利要求11所述的晶片，进一步包括气隙，所述气隙在所述虚设顶金属图案之间。
13.根据权利要求12所述的晶片，进一步包括：
14.根据权利要求11所述的晶片，其中
15.根据权利要求11所述的晶片，进一步包括：
16.一种制造半导体装置的方法，包括：
17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：
18.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：
19.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：
20.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：
