本公开涉及半导体封装技术，更具体地，涉及一种半导体封装件及其制造方法。
背景技术：
1、目前，针对半导体封装，已经提出了基于倒装芯片(flip-chip)的封装结构。在倒装芯片封装结构中，芯片可以以倒装芯片的形式安装在基板上。例如，芯片的连接端子可以面对基板并与基板的连接件连接，使得芯片和基板可以彼此电连接。通常，可以使用焊料或任何其他类似材料作为芯片的连接端子，并且可以使用迹线或任何其他类似结构作为基板的连接件。
2、在连接到基板的连接件之前，芯片的连接端子的浸渍焊剂(dipping flux)可以接触并润湿基板的连接件，从而去除设置在基板的连接件的表面上的有机防护层，以允许芯片的连接端子与基板的连接件之间的电连接。
3、然而，由于芯片的翘曲，或者由于芯片与基板之间的翘曲不一致，在将芯片安装在基板上时会发生芯片的连接端子与基板的连接件分开的情况。在这种情况下，芯片的连接端子可能无法有效地润湿基板的连接件，而基板的连接件的表面上的有机防护层也可能无法被完全去除。结果，在芯片的连接端子与基板的连接件之间会发生不润湿(non-wet)缺陷，进而导致芯片的连接端子与基板的连接件之间的诸如断开或虚焊的电连接缺陷。
技术实现思路
1、本公开提供了一种减少或防止不润湿缺陷的半导体封装件。
2、本公开还提供了一种实现裸片级翘曲校正的半导体封装件。
3、本公开提供了一种制造半导体封装件的方法，该半导体封装件减少或防止不润湿缺陷。
4、本公开还提供了一种制造半导体封装件的方法，该半导体封装件实现裸片级翘曲校正。
5、根据本公开的一方面，一种半导体封装件包括：基板，包括基板主体、基板扩展部和基板连接端子，所述基板主体具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，基板扩展部位于所述基板主体的所述第一表面上，基板连接端子位于所述基板主体的所述第二表面上，所述基板扩展部具有第一磁性；半导体芯片，位于所述基板主体的所述第一表面上，半导体芯片包括芯片主体和芯片扩展部，所述芯片扩展部位于所述芯片主体的侧表面上，所述芯片扩展部具有第二磁性；以及模塑层，在所述基板主体的所述第一表面上包封所述半导体芯片，其中，所述基板扩展部和所述芯片扩展部在第一方向上叠置，并且所述基板扩展部和所述芯片扩展部在所述第一方向上间隔开。
6、在实施例中，所述芯片扩展部可以与所述芯片主体的所述侧表面接触。
7、在实施例中，所述芯片扩展部可以具有与所述芯片主体的第一表面共面的顶表面，所述芯片主体的所述第一表面背对所述基板主体。
8、在实施例中，所述芯片主体可以包括多个第一部分和位于所述多个第一部分之间的第二部分，并且所述芯片扩展部可以位于所述芯片主体的所述侧表面的与所述多个第一部分对应的至少一个部分上。
9、在实施例中，所述芯片扩展部可以覆盖所述芯片主体的整个所述侧表面。
10、在实施例中，所述基板扩展部可以与所述芯片扩展部在所述第一方向上完全叠置。
11、在实施例中，所述基板还可以包括位于所述基板主体的所述第一表面的面对所述芯片主体的部分处的基板连接件，所述芯片主体可以具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述芯片主体的所述第二表面面对所述基板主体，所述半导体芯片还可以包括位于所述芯片主体的所述第二表面处的芯片垫和结合到所述芯片垫的芯片连接端子，并且所述芯片连接端子可以结合到所述基板连接件。
12、在实施例中，所述基板扩展部可以包括第一磁性材料，并且所述芯片扩展部可以包括第二磁性材料和第二树脂。
13、在实施例中，所述芯片主体可以为裸片。
14、在实施例中，所述基板扩展部和所述芯片扩展部可以被构造为：基于所述半导体芯片被放置在所述基板主体上而在彼此之间产生磁作用力，其中，所述磁作用力被构造为校正所述芯片主体的翘曲。
15、根据本公开的一方面，一种半导体装置包括半导体封装件，所述半导体封件包括：基板，包括基板主体、基板扩展部和基板连接端子，所述基板主体具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，基板扩展部位于所述基板主体的所述第一表面上，基板连接端子位于所述基板主体的所述第二表面上，所述基板扩展部具有第一磁性；半导体芯片，位于所述基板主体的所述第一表面上，半导体芯片包括芯片主体和芯片扩展部，所述芯片扩展部位于所述芯片主体的侧表面上，所述芯片扩展部具有第二磁性；以及模塑层，在所述基板主体的所述第一表面上包封所述半导体芯片，其中，所述基板扩展部和所述芯片扩展部在第一方向上叠置，并且所述基板扩展部和所述芯片扩展部在所述第一方向上间隔开。
16、在实施例中，所述芯片扩展部可以与所述芯片主体的所述侧表面接触。
17、在实施例中，所述芯片扩展部可以具有与所述芯片主体的第一表面共面的顶表面，所述芯片主体的所述第一表面背对所述基板主体。
18、在实施例中，所述芯片主体可以包括多个第一部分和位于所述多个第一部分之间的第二部分，并且所述芯片扩展部可以位于所述芯片主体的所述侧表面的与所述多个第一部分对应的至少一个部分上。
19、在实施例中，所述芯片扩展部可以覆盖所述芯片主体的整个所述侧表面。
20、在实施例中，所述基板扩展部可以与所述芯片扩展部在所述第一方向上完全叠置。
21、在实施例中，所述基板还可以包括位于所述基板主体的所述第一表面的面对所述芯片主体的部分处的基板连接件，所述芯片主体可以具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述芯片主体的所述第二表面面对所述基板主体，所述半导体芯片还可以包括位于所述芯片主体的所述第二表面处的芯片垫和结合到所述芯片垫的芯片连接端子，并且所述芯片连接端子可以结合到所述基板连接件。
22、在实施例中，所述基板扩展部可以包括第一磁性材料，并且所述芯片扩展部可以包括第二磁性材料和第二树脂。
23、在实施例中，所述芯片主体可以为裸片。
24、在实施例中，所述基板扩展部和所述芯片扩展部可以被构造为：基于所述半导体芯片被放置在所述基板主体上而在彼此之间产生磁作用力，其中，所述磁作用力被构造为校正所述芯片主体的翘曲。
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述芯片扩展部与所述芯片主体的所述侧表面接触。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述芯片扩展部具有与所述芯片主体的第一表面共面的顶表面，所述芯片主体的所述第一表面背对所述基板主体。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述芯片扩展部覆盖所述芯片主体的整个所述侧表面。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述基板扩展部与所述芯片扩展部在所述第一方向上完全叠置。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，
9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述芯片主体为裸片。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述基板扩展部和所述芯片扩展部被构造为：
