本发明特别涉及一种msm结构ga2o3光电探测器及提高msm结构ga2o3光电探测器的探测能力的方法，属于半导体器件。
背景技术：
1、日盲紫外光电探测器对波长范围为220-280nm的光敏感，可以有效避免空间太阳背景辐射的影响，具有高灵敏度、高探测率、低背景干扰、抗复杂环境等特点，在光学跟踪、光通信、成像等领域有着广泛的军事和商业应用。氧化镓(ga2o3)是一种新兴的超宽带隙半导体材料，其具有α，β，γ，δ，ε五种不同的结构，其禁带宽度直接对应日盲波段，且其高质量单晶衬底的制备工艺已相对完善，是天然的日盲探测的候选材料，是国际上研发新一代日盲紫外光电探测器的重点前沿方向。目前已报道的氧化镓光电探测器中，金属-半导体-金属(msm)结构的探测器因制备工艺简单，受到了广泛关注和研究。
2、目前，关于非晶/多晶/单晶ga2o3 msm结构的光电探测器研究已取得了显著进展，但基于这些ga2o3 msm结构的光电探测器因其表面缺陷态会产生高的本征载流子浓度，在一定程度上导致器件具有较大的暗电流和低的光暗电流比，从而严重影响了器件的探测性能。
技术实现思路
1、本发明的主要目的在于提供一种msm结构ga2o3光电探测器及提高msm结构ga2o3光电探测器的探测能力的方法，减少ga2o3表面缺陷以降低暗电流，提高光暗电流比，从而提高器件的探测能力，克服现有技术中的不足。
2、为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：
3、本发明一方面提供了一种提高msm结构ga2o3光电探测器的探测能力的方法，包括制作ga2o3外延层以及在ga2o3外延层表面的第一区域制作电极，以及，还包括：在所述ga2o3外延层表面的第二区域形成钝化层，所述钝化层能够消除ga2o3外延层表面的悬挂键，从而降低ga2o3外延层的表面缺陷。
4、进一步的，所述的方法包括：采用磁控溅射的方式制作形成所述钝化层。
5、进一步的，所述磁控溅射的溅射功率为50-100w，氧氩比为0.05-2％。
6、具体的，所述钝化层的制作过程可以包括：将包含ga2o3外延层的外延片、氧化物靶材置于磁控溅射设备的生长室内，向生长室内通入氧气和氩气的混合气体，氧氩比为0.05-2％，将生长室内的温度、压力调节至选定范围，并保持溅射功率为50-100w，在ga2o3外延层上沉积形成所述钝化层。
7、进一步的，所述的方法还包括：于氮气气氛、400-600℃条件下对所述钝化层进行热处理，以激活所述钝化层钝化效果。
8、进一步的，所述钝化层的材质包括具有介电特性的金属氧化物或非金属氧化物。
9、进一步的，所述金属氧化物包括al2o3或mgo。
10、进一步的，所述非金属氧化物包括sio2。
11、进一步的，所述钝化层的厚度为3-200nm，尤其优选为3-120nm。
12、进一步的，所述ga2o3外延层的材质包括非晶氧化镓、多晶氧化镓或单晶氧化镓。
13、本发明实施例还提供了一种msm结构ga2o3光电探测器，包括ga2o3外延层以及设置在ga2o3外延层表面的第一区域的电极，所述ga2o3外延层表面的第二区域还设置有钝化层，所述钝化层能够消除ga2o3外延层表面的悬挂键，从而降低ga2o3外延层的表面缺陷。
14、进一步的，所述钝化层的材质包括具有介电特性的金属氧化物或非金属氧化物。
15、进一步的，所述金属氧化物包括al2o3或mgo。
16、进一步的，所述非金属氧化物包括sio2。
17、进一步的，所述钝化层的厚度为3-200nm，尤其优选为3-120nm。
18、进一步的，所述ga2o3外延层的材质包括非晶氧化镓、多晶氧化镓或单晶氧化镓。
19、与现有技术相比，本发明利用al2o3、sio2、mgo等具有介电特性的材料对ga2o3薄膜表面缺陷进行钝化，降低了氧化镓薄膜的表面缺陷，抑制缺陷态的产生和光生载流子复合，从而降低了ga2o3光电探测器件的暗电流，提高了ga2o3光电探测器件的光暗电流比，提升了响应速度，解决了ga2o3 msm结构光电探测器暗电流大的问题，本发明提供的ga2o3光电探测器件的暗电流可降低至10-10a，响应度可达到～105a/w。
1.一种提高ga2o3光电探测器的探测能力的方法，包括制作ga2o3外延层以及在ga2o3外延层表面的第一区域制作电极，其特征在于，还包括：在所述ga2o3外延层表面的第二区域形成钝化层，所述钝化层能够消除ga2o3外延层表面的悬挂键。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：采用磁控溅射的方式制作形成所述钝化层；
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的方法还包括：于氮气气氛、400-600℃条件下对所述钝化层进行热处理。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述钝化层的材质包括具有介电特性的金属氧化物或非金属氧化物；
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述钝化层的厚度为3-200nm，尤其优选为3-120nm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述ga2o3外延层的材质包括非晶氧化镓、多晶氧化镓或单晶氧化镓。
7.一种ga2o3光电探测器，包括ga2o3外延层以及设置在ga2o3外延层表面的第一区域的电极，其特征在于：所述ga2o3外延层表面的第二区域还设置有钝化层，所述钝化层能够降低ga2o3外延层的表面缺陷。
8.根据权利要求7所述的ga2o3光电探测器，其特征在于：所述钝化层的材质包括具有介电特性的金属氧化物或非金属氧化物；
9.根据权利要求7所述的ga2o3光电探测器，其特征在于：所述钝化层的厚度为3-200nm，尤其优选为3-120nm。
10.根据权利要求7所述的ga2o3光电探测器，其特征在于：所述ga2o3外延层的材质包括非晶氧化镓、多晶氧化镓或单晶氧化镓。
