本发明涉及半导体，具体涉及一种套刻补偿方法及装置、存储介质、电子设备。
背景技术：
1、在半导体器件的制备过程中，通常需要形成上下叠层的多个膜层，并在相应的膜层中形成各种元件。制备上下叠层的多个膜层时，当层和前层需要对准(alignment)，以便在当层中形成的某个元件与前层的某个元件上下对应或上下连接等。因此，上下层之间的套刻(overlay)，从而影响器件性能的重要因素。
2、在实际应用中，由于系统误差和偶然误差的存在，会导致在光刻工艺中，当层图形与前层图形的叠对位置发生偏差，出现套刻偏差。由于集成电路芯片的制造是通过多层电路层相加而成，如果当层和前层没有对准，芯片将无法正常工作。因此，在形成当层的过程中，减小套刻偏差、确保套刻偏差在偏差范围内是极为重要的一件事情。
3、目前，通常采用曝光校正模型(correction per exposure，cpe)对套刻偏差进行校正，但套刻精度仍然较低。
技术实现思路
1、本发明要解决的问题是：提升套刻精度。
2、为解决上述问题，本发明实施例提供了一种套刻补偿方法，所述方法包括：
3、提供待补偿晶圆；所述待补偿晶圆上具有套刻参考层及位于所述套刻参考层上的第一初始层；
4、获取第一初始层对应的初始前馈补偿数据及反馈补偿数据；所述初始前馈补偿数据为套刻参考层的实际补偿数据，所述反馈补偿数据为第一初始层在进行套准测试时得到的反馈补偿数据；
5、获取所述第一初始层的对准信息，并基于所述第一初始层的对准信息，确定对准方式；所述第一初始层的对准信息包括：对准层的标识信息；
6、当对准方式为直接对准方式时，基于所述第一初始层的对准信息，得到所述第一初始层的对准补偿数据，将所述初始前馈补偿数据与所述对准补偿数据之间的差值，作为所述第一初始层的前馈补偿数据；
7、利用所述第一初始层的前馈补偿数据及反馈补偿数据，对所述第一初始层进行套刻补偿，在所述第一初始层形成相应的光刻图形。
8、可选地，所述第一初始层的对准信息还包括：对准模型信息及所述对准层上对准标记位置信息。
9、可选地，所述基于所述第一初始层的对准信息，得到所述第一初始层的对准补偿数据，包括：
10、将距离各第一对准标记位置最近的套准测试点位置，作为相应的对准检测位置，得到对所述对准层中各对准检测位置信息；
11、基于所述各对准检测位置信息，利用对所述第一初始层进行光刻对准的对准模型，计算得到第一初始层的对准补偿数据。
12、可选地，所述反馈补偿数据是通过对多个批次晶圆的第一初始层进行套准测试时的反馈补偿数据，按照采样数量和采样时间取权重后再进行加权平均得到的。
13、可选地，所述方法还包括：
14、当对准方式为间接对准方式时，将所述初始前馈补偿数据，作为所述第一初始层的前馈补偿数据。
15、可选地，所述利用所述第一初始层的前馈补偿数据及反馈补偿数据，对所述第一初始层进行套刻补偿，包括：
16、利用所述第一初始层的前馈补偿数据及反馈补偿数据之和，作为所述第一初始层的最终的套刻补偿数据，对所述第一初始层进行套刻补偿。
17、本发明实施例还提供了一种套刻补偿装置，所述装置包括：
18、提供单元，提供待补偿晶圆；所述待补偿晶圆上具有套刻参考层以及位于所述套刻参考层上的第一初始层；
19、第一获取单元，适于获取第一初始层对应的初始前馈补偿数据及反馈补偿数据；所述初始前馈补偿数据为套刻参考层的实际补偿数据，所述反馈补偿数据为第一初始层在进行套准测试时得到的反馈补偿数据；
20、第二获取单元，适于获取所述第一初始层的对准信息，并基于所述第一初始层的对准信息，确定对准方式；所述第一初始层的对准信息包括：对准层的标识信息；
21、前馈补偿数据确定单元，适于当对准方式为直接对准方式时，基于所述第一初始层的对准信息，得到所述第一初始层的对准补偿数据，将所述初始前馈补偿数据与所述对准补偿数据之间的差值，作为所述第一初始层的前馈补偿数据；
22、套刻单元，适于利用所述第一初始层的前馈补偿数据及反馈补偿数据，对所述第一初始层进行套刻补偿，所述第一初始层形成相应的光刻图形。
23、可选地，所述第二获取单元获取的第一初始层的对准信息，还包括：对准模型信息及所述对准层上对准标记位置信息。
24、可选地，所述第二获取单元包括：
25、对准位置信息确定子单元，适于将距离各第一对准标记位置最近的套准测试点位置，作为相应的对准检测位置，得到对所述对准层中各对准检测位置信息；
26、对准补偿数据计算子单元，适于基于所述各对准检测位置信息，利用对所述第一初始层进行光刻对准的对准模型，计算得到第一初始层的对准补偿数据。
27、可选地，所述第一获取单元所获取的反馈补偿数据，是通过对多个批次晶圆的第一初始层进行套准测试时的反馈补偿数据，按照采样数量和采样时间取权重后再进行加权平均得到的。
28、可选地，所述前馈补偿数据确定单元，还适于当对准方式为间接对准方式时，将所述初始前馈补偿数据，作为所述第一初始层的前馈补偿数据。
29、可选地，所述套刻单元，适于利用所述第一初始层的前馈补偿数据及反馈补偿数据之和，作为所述第一初始层的最终的套刻补偿数据，对所述第一初始层进行套刻补偿。
30、本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行，以实现上述任一种所述方法的步骤。
31、本发明实施例还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行上述任一种所述方法的步骤。
32、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：
33、应用本发明的方案，在对准方式为直接对准方式时，即用于光刻对准的膜层为套刻参考层时，将初始前馈补偿数据与对准补偿数据之间的差值，作为第一初始层的前馈补偿数据，再利用第一初始层的前馈补偿数据及反馈补偿数据，对第一初始层进行套刻补偿。由此，在直接对准的情况下，通过从初始前馈补偿数据中剥离对准补偿数据，可以避免对第一初始层的曝光参数重复进行高阶曝光补偿，从而可以提高套刻补偿的准确性。
1.一种套刻补偿方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的套刻补偿方法，其特征在于，所述第一初始层的对准信息还包括：对准模型信息及所述对准层上对准标记位置信息。
3.如权利要求2所述的套刻补偿方法，其特征在于，所述基于所述第一初始层的对准信息，得到所述第一初始层的对准补偿数据，包括：
4.如权利要求1所述的套刻补偿方法，其特征在于，所述反馈补偿数据是通过对多个批次晶圆的第一初始层进行套准测试时的反馈补偿数据，按照采样数量和采样时间取权重后再进行加权平均得到的。
5.如权利要求1所述的套刻补偿方法，其特征在于，还包括：
6.如权利要求1所述的套刻补偿方法，其特征在于，所述利用所述第一初始层的前馈补偿数据及反馈补偿数据，对所述第一初始层进行套刻补偿，包括：
7.一种套刻补偿装置，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的套刻补偿装置，其特征在于，所述第二获取单元获取的第一初始层的对准信息，还包括：对准模型信息及所述对准层上对准标记位置信息。
9.如权利要求8所述的套刻补偿装置，其特征在于，所述第二获取单元包括：对准位置信息确定子单元，适于将距离各第一对准标记位置最近的套准测试点位置，作为相应的对准检测位置，得到对所述对准层中各对准检测位置信息；
10.如权利要求7所述的套刻补偿装置，其特征在于，所述第一获取单元所获取的反馈补偿数据，是通过对多个批次晶圆的第一初始层进行套准测试时的反馈补偿数据，按照采样数量和采样时间取权重后再进行加权平均得到的。
11.如权利要求7所述的套刻补偿装置，其特征在于，所述前馈补偿数据确定单元，还适于当对准方式为间接对准方式时，将所述初始前馈补偿数据，作为所述第一初始层的前馈补偿数据。
12.如权利要求7所述的套刻补偿装置，其特征在于，所述套刻单元，适于利用所述第一初始层的前馈补偿数据及反馈补偿数据之和，作为所述第一初始层的最终的套刻补偿数据，对所述第一初始层进行套刻补偿。
13.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行，以实现权利要求1至6任一项所述方法的步骤。
14.一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器运行所述计算机程序时执行权利要求1至6任一项所述方法的步骤。
