本发明涉及相位差膜用组合物和单层相位差材料。详细而言，涉及具有适合于显示装置、记录材料等用途的光学特性的材料，特别是能够适合用于液晶显示器、有机el(electro luminescence：电致发光)显示装置的偏振板和相位差板等光学补偿膜的液晶性聚合物、包含该聚合物的组合物、以及由该组合物得到的单层相位差材料。
背景技术：
1、从液晶显示装置、有机el显示装置的显示品质的提高、轻量化等要求出发，作为偏振板、相位差板等光学补偿膜，内部的分子取向结构被控制的高分子膜的要求正在提高。为了应对该要求，开发了利用聚合性液晶化合物所具有的光学各向异性的膜。在此使用的聚合性液晶化合物通常为具有聚合性基团和液晶结构部位(具有间隔部和液晶基元(mesogen)部的结构部位)的液晶化合物，作为该聚合性基团，广泛使用丙烯酸基。
2、这样的聚合性液晶化合物通常通过照射紫外线等放射线进行聚合的方法而制成聚合物(膜)。例如，已知有如下方法：将具有丙烯酸基的特定的聚合性液晶化合物负载于经取向处理的支撑体间，在将该化合物保持为液晶状态的同时照射放射线，从而得到聚合物的方法(专利文献1)；在具有丙烯酸基的2种聚合性液晶化合物的混合物或在该混合物中混合有手性液晶的组合物中，添加光聚合引发剂，照射紫外线而得到聚合物的方法(专利文献2)。
3、另外，报告了不需要液晶取向膜而使用聚合性液晶化合物、聚合物得到的取向膜(专利文献3、4)、使用包含光交联部位的聚合物得到的取向膜(专利文献5、6)等各种单层涂布型取向膜。
4、有机el面板具备具有反射性的金属层，容易产生外部光反射的问题。因此，已知通过设置由直线偏振板和相位差板(膜)构成的圆偏振板来防止这些问题。但是，在将以往的相位差板用于圆偏振板的情况下，存在倾斜方向的防外部光反射特性不充分、产生不期望的着色的问题。
5、此处，作为表示相位差膜的特性的参数，有nz系数。将相位差膜的面内的慢轴的折射率设为nx、快轴的折射率设为ny、膜的厚度方向的折射率设为nz，nz系数通过式{nz＝(nx-nz)/(nx-ny)}给出。该nz系数越接近0.5，相位差膜的相位差值的视角依赖性越少，在有机el的圆偏振板中，倾斜方向的防外部光反射效果提高。
6、现有技术文献
7、专利文献
8、专利文献1：日本特开昭62-70407号公报
9、专利文献2：日本特开平9-208957号公报
10、专利文献3：欧洲专利申请公开第1090325号说明书
11、专利文献4：国际公开第2008/031243号
12、专利文献5：日本特开2008-164925号公报
13、专利文献6：日本特开平11-189665号公报
技术实现思路
1、发明要解决的技术问题
2、本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种能够通过更简单的工艺来制作nz系数为0.4≤nz≤0.6、相位差值高的单层相位差材料的相位差膜用组合物、以及由该组合物得到的单层相位差材料。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、本发明人等为了解决上述技术问题而反复进行了深入研究，结果发现，通过使用包含特定的聚合物的组合物，能够在不使用液晶取向膜的情况下得到nz系数为0.4≤nz≤0.6、是薄膜、且具有高折射率各向异性(δn)的单层相位差材料，从而完成了本发明。
5、因此，本发明提供下述相位差膜用组合物和单层相位差材料。
6、＜1＞一种相位差膜用组合物，其包含：(a)侧链型共聚物，所述侧链型共聚物包含具有光反应性部位的末端羧酸的侧链、和具有2环以上的芳香环结构且其中位于末端侧的2环之间为不以单键进行共价键合的结构的末端羧酸的侧链，以及
7、(b)有机溶剂。
8、＜2＞根据＜1＞所述的相位差膜用组合物，其中，上述(a)侧链型共聚物为具有下述式(a)所示的具备光反应性部位的侧链和具有下述式(b)所示的部位的侧链的侧链型聚合物。
9、[化1]
10、
11、(式中，r1为碳原子数1～30的亚烷基，该亚烷基的1个或多个氢原子可以被氟原子或有机基团替代。另外，r1中的-ch2ch2-可以被-ch＝ch-替代，r1中的-ch2-可以被选自-o-、-nh-c(＝o)-、-c(＝o)-nh-、-c(＝o)-o-、-o-c(＝o)-、-nh-、-nh-c(＝o)-nh-和-c(＝o)-中的基团替代。其中，相邻的-ch2-不同时被这些基团替代。
12、r2为2价芳香族基团、2价脂环式基团、2价杂环式基团或2价稠环式基团。
13、r3为单键、-ch2-、-o-、-c(＝o)-o-、-o-c(＝o)-或-ch＝ch-c(＝o)-o-。
14、r4为2价芳香族基团、-ph-cy-、-cy-ph-或2价稠环式基团(其中，ph表示亚苯基，cy表示环己烷二基。)。
15、r5为-ch2-、-o-、-nh-、-c(＝o)-、-c(＝o)-o-、-o-c(＝o)-、-ch＝ch-c(＝o)-o-、-c(＝o)-nh-、-nh-c(＝o)-或-nh-c(＝o)-nh-。
16、r6为碳原子数1～10的亚烷基，该亚烷基的1个或多个氢原子可以被氟原子或有机基团替代。另外，r6中的-ch2-可以被选自-o-、-nh-和-c(＝o)-中的基团替代。相邻的-ch2-可以同时被这些基团替代。
17、式(a)中的环结构中和ch＝ch结构中的氢原子可以被选自碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的卤代烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～6的卤代烷氧基、卤素基团、氰基和硝基中的取代基替代。
18、式(b)中的环结构中的氢原子可以被选自碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的卤代烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～6的卤代烷氧基、卤素基团、氰基和硝基中的取代基替代。
19、在存在2个以上的r2、r3、r4或r5的情况下，多个r2、r3、r4或r5彼此可以相同，也可以不同。
20、a为0、1或2。
21、b为0或1。
22、c为满足0≤c≤2b+4的整数。
23、d为1或2。
24、e为0或1。
25、f为0或1。
26、虚线为结合键。)
27、＜3＞根据＜2＞所述的相位差膜用组合物，其中，上述式(a)所示的具备光反应性部位的侧链为下述式(a1)所示的侧链。
28、[化2]
29、
30、(式中，r1、r2和a与上述相同。
31、r3a为单键、-o-、-c(＝o)-o-或-o-c(＝o)-。在存在2个以上的r3a的情况下，多个r3a彼此可以相同，也可以不同。
32、式(a1)中的苯环中和ch＝ch结构中的氢原子可以被选自碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的卤代烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～6的卤代烷氧基、卤素基团、氰基和硝基中的取代基替代。
33、虚线为结合键。)
34、＜4＞根据＜2＞或＜3＞所述的聚合物组合物和相位差膜用组合物，其中，上述式(b)所示的侧链中的环结构为3个以下。
35、＜5＞根据＜1＞～＜4＞中任一项所述的相位差膜用组合物，其中，侧链型聚合物表现液晶性。
36、＜6＞一种单层相位差材料的制造方法，其包含以下工序：
37、(i)将＜1＞～＜5＞中任一项所述的相位差膜用组合物涂布于基板上而形成涂膜的工序；
38、(ii)对上述涂膜照射偏振的紫外线的工序；以及
39、(iii)对上述照射了紫外线的涂膜进行加热，得到相位差材料的工序。
40、＜7＞一种单层相位差材料，其是由＜1＞～＜5＞中任一项所述的组合物得到的。
41、发明效果
42、根据本发明，能够提供nz系数为0.4≤nz≤0.6、即使为薄膜相位差值也高的单层相位差材料以及给予该单层相位差材料的聚合物。
1.一种相位差膜用组合物，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的相位差膜用组合物，其中，所述(a)侧链型共聚物为具有下述式(a)所示的具备光反应性部位的侧链和具有下述式(b)所示的部位的侧链的侧链型聚合物，
3.根据权利要求2所述的相位差膜用组合物，其中，所述式(a)所示的具备光反应性部位的侧链为下述式(a1)所示的侧链，
4.根据权利要求2所述的聚合物组合物和相位差膜用组合物，其中，所述式(b)所示的侧链中的环结构为3个以下。
5.根据权利要求1所述的相位差膜用组合物，其中，侧链型聚合物表现液晶性。
6.一种单层相位差材料的制造方法，其特征在于，包含以下工序：
7.一种单层相位差材料，其特征在于，是由权利要求1～5中任一项所述的组合物得到的。
