背景技术：
1、实例涉及半导体集成电路(ic)制造，且更特定地说，涉及以同时形成ic多晶硅电阻器和晶体管的部分的过程制造的ic。
2、例如电阻器和晶体管等多个装置的ic制造涉及多个步骤，其中经常可使用同一步骤来同时形成每一装置的一部分。然而，在一些实例中，针对一个装置或另一装置可能需要额外的一或多个步骤，或者完全或主要针对一个装置的步骤可能具有关于另一装置的反作用。举例来说，多晶硅电阻器的一个实例称为“零电阻温度系数”(ztcr)电阻器，其有时也被称作具有零温度系数，意指在某一温度范围内电阻有极少变化或无变化。一些基线ztcr电阻器制造过程需要额外步骤，包含例如图案化、植入(例如，用硼)和抗蚀剂移除，以便实现所需ztcr，但同时增加了ic制造复杂性和成本。存在许多其它实例，特别是可能需要一或多个步骤以形成一个结构或一组结构的情况，所述结构同时可影响其它结构或影响总成本或复杂性。此外，在针对一个装置而非另一装置需要步骤的情况下，相比于同时形成两个装置的一部分的步骤，总体制造成本增加。
3、虽然先前在各种基线装置中具有实施方案，但本文献提供了关于某些上述概念可以改进的实例，如下文详述。
技术实现思路
1、一种形成集成电路的方法，包括：第一，从半导体层形成电阻器主体和晶体管栅极；第二，形成邻近于电阻器主体和晶体管栅极的侧壁间隔物；第三，在电阻器主体的至少一部分上方形成硅化物阻挡结构；第四，同时对电阻器主体和晶体管栅极进行毫秒退火。
2、另一方面提供一种集成电路，其包含半导体衬底和相对于半导体衬底定位的第一多晶硅电阻器。第一多晶硅电阻器包含n型掺杂剂的多数掺杂剂浓度且具有在±100ppm/℃的范围内的电阻温度系数(温度系数)。第二多晶硅电阻器相对于半导体衬底定位，且包含p型掺杂剂的多数掺杂剂浓度且具有在±100ppm/℃的范围内的电阻温度系数。
3、还描述和要求其它方面。
1.一种形成集成电路的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法：
3.根据权利要求1所述的方法：
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在形成所述侧壁间隔物之后且在形成硅化物阻挡图案之前的稳定尖峰退火。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述毫秒退火步骤包含激光退火。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述毫秒退火步骤包含闪光灯退火。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述毫秒退火步骤包含在至少1,000℃的温度下且在小于一秒的持续时间内的退火。
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括同时将掺杂剂植入到所述电阻器主体中和邻近于所述晶体管栅极的源极/漏极区中。
9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包含，在同时植入步骤之后且在所述第三步骤之前，对所述源极/漏极区进行退火。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述对所述源极/漏极区进行退火的步骤包含在第一温度下且在第一持续时间内的稳定退火，随后是在大于所述第一温度的第二温度下且在小于所述第一持续时间的第二持续时间内的尖峰退火。
11.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含，在对所述源极/漏极区进行退火之前，在相对于所述晶体管栅极的固定位置中形成应力记忆封盖层。
12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包含在所述形成应力记忆层之后，且在所述第三步骤之前，移除所述应力记忆封盖层。
13.一种形成集成电路的方法，其包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含在所述毫秒退火之前移除所述硅化物阻挡结构。
15.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含在所述毫秒退火之前执行细化尖峰退火，所述细化尖峰退火包含以超过100℃每秒的斜坡率使衬底温度从稳定温度斜变到尖峰峰值温度。
16.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含在所述电阻器主体的侧壁上形成侧壁间隔物，其中所述硅化物阻挡结构接触所述侧壁间隔物的氧化硅间隔侧壁和氧化硅横向延伸部。
17.一种集成电路，其包括：
18.根据权利要求17所述的集成电路，其中所述第一多晶硅电阻器和所述第二多晶硅电阻器中的每一个各自具有在±50ppm/℃的范围内的温度系数。
19.根据权利要求17所述的集成电路，其中所述第一多晶硅电阻器具有第一宽度且所述第二多晶硅电阻器具有不同的第二宽度。
20.根据权利要求17所述的集成电路，其中所述第一多晶硅电阻器具有第一宽度，所述第一宽度大于所述第二多晶硅电阻器的第二宽度。
