本发明涉及半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种半导体钨导线接触窗的物理失效分析方法。
背景技术：
1、在半导体集成电路制造中，在全部制造工艺都完成之后，或者一部分制造工艺完成之后，需要对晶圆进行wat(waferacceptance test，晶圆接受测试)等测试。在进行wat等测试时，如果发现晶圆中的钨导线接触窗(w kh)有异常，则需要对钨导线接触窗的异常部分进行pfa(physical failure analysis，物理失效分析)，从而找出发生异常的原因。
2、现有的pfa通常包括以下步骤：切割步骤，将晶圆的需要进行pfa的部分切割成pfa试片。涂覆步骤，在pfa试片的横截面上镀一层c(碳)。观察步骤，使用sem(扫描电子显微镜)对pfa试片的横截面进行观察。其中，在pfa试片的横截面上镀一层c的作用是，使pfa试片的横截面能够导电，从而使后续的步骤中，可以用sem(scanning electron microscopy，扫描电子显微镜)对pfa试片的横截面进行观察。另外，对于钨导线接触窗来说，通过在pfa试片的横截面上镀c，也可以在使用sem进行观察时，使横截面上的元件结构的各个界面更加清楚。在现有技术中，通常是采用e-beam(电子束蒸镀)的方法进行镀c。但是，采用e-beam方法镀c有可能会导致钨导线接触窗(w kh)pfa试片横截面的元件结构构造造成变形，使原本没有缺陷的位置出现缺陷，这样会对后续的观察步骤造成干扰。
3、因此，钨导线接触窗(w kh)亟需一种对pfa试片横截面的元件结构不造成损伤，从而能够准确进行pfa的方法。
技术实现思路
1、本发明旨在提供一种对钨导线接触窗(w kh)pfa试片横截面的元件结构不造成损伤，从而能够准确进行pfa的方法。
2、本发明的pfa方法包括：
3、切割步骤，将晶圆的需要进行所述物理失效分析的部分切割成物理失效分析试片；
4、涂覆步骤，用马克笔在所述物理失效分析试片的需要进行所述物理失效分析的横截面上进行涂覆；以及
5、观察步骤，使用扫描电子显微镜对所述横截面进行观察。
6、通过本发明提供的pfa方法，可以避免pfa试片在制备时对pfa试片的横截面的元件结构造成损伤，从而能够准确进行pfa。
1.一种半导体钨导线接触窗的物理失效分析方法，包括：
