本发明涉及激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件的制造方法。
背景技术：
1、专利文献1公开了一种使用准分子激光的激光退火装置。在专利文献1中，搬运单元在浮起单元使基板浮起的状态下搬运基板。此外，线状的激光向搬运中的基板照射。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2018-64048号
技术实现思路
1、本发明要解决的课题
2、由于这样的准分子激光光源价格昂贵，因此难以降低装置的部件成本。因此，期望使用准分子激光光源以外的光源。半导体激光器虽然价格便宜，但它是连续波(cw：continuous wave)激光器。当cw激光被调制器脉冲化时，功率降低。因此，需要大量的光源，从而导致难以实现低成本。
3、其他课题和新颖特征将从本说明书的记载和附图中变得显而易见。
4、根据一实施方式，激光照射装置具备：半导体激光光源，其产生波长250nm以上且波长500nm以下的激光；旋转工作台，其旋转半导体基板；光学系统单元，其将所述激光向所述旋转工作台上的所述半导体基板引导；以及移动机构，其使所述光学系统单元移动，以在当俯视时不同于所述旋转工作台的旋转方向的方向上改变所述激光的照射位置。
5、根据一实施方式，激光照射方法包括：(a1)使用半导体激光光源产生波长250nm以上且波长500nm以下的激光的步骤；(a2)通过光学系统单元将所述激光向所述旋转工作台上的半导体基板引导的步骤；以及(a3)使所述光学系统单元移动，以在当俯视时不同于所述旋转工作台的旋转方向的方向上改变所述激光的照射位置的步骤。
6、根据一实施方式，半导体器件的制造方法包括：(s1)使用半导体激光光源产生波长250nm以上且波长500nm以下的激光的步骤；(s2)通过光学系统单元将所述激光向所述旋转工作台上的半导体基板引导的步骤；以及(s3)使所述光学系统单元移动，以在当俯视时不同于所述旋转工作台的旋转方向的方向上改变所述激光的照射位置的步骤。
7、根据前述的一实施方式，能够提供生产率高的激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件的制造方法。
1.一种激光照射装置，具备：
2.根据权利要求1所述的激光照射装置，其中，还具备光束整形部，所述光束整形部对所述激光进行整形，使得所述激光在所述半导体基板上成为平顶分布。
3.根据权利要求2所述的激光照射装置，其中，所述激光被整形为使得所述半导体基板上的激光成为以所述旋转工作台的旋转方向为短边方向、以与所述旋转方向正交的径向方向为长边方向的光斑形状。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的激光照射装置，其中，
5.根据权利要求1至3中任一项所述的激光照射装置，其中，还具备将来自所述半导体激光光源的激光向所述光学系统单元引导的光纤。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的激光照射装置，其中，多个所述半导体基板相对于所述旋转工作台的旋转轴对称地配置。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的激光照射装置，其中，在所述旋转工作台的外侧设置有测定所述激光的轮廓的计测器。
8.一种激光照射方法，包括：
9.根据权利要求8所述的激光照射方法，其中，光束整形部对所述激光进行整形，使得所述激光在所述半导体基板上成为平顶分布。
10.根据权利要求9所述的激光照射方法，其中，所述激光被整形为使得所述半导体基板上的激光成为以所述旋转工作台的旋转方向为短边方向、以与所述旋转方向正交的径向方向为长边方向的光斑形状。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的激光照射方法，其中，
12.根据权利要求8至10中任一项所述的激光照射方法，其中，来自所述半导体激光光源的激光经由光纤向所述光学系统单元被引导。
13.根据权利要求8至10中任一项所述的激光照射方法，其中，多个所述半导体基板相对于所述旋转工作台的旋转轴对称地配置。
14.根据权利要求8至10中任一项所述的激光照射方法，其中，在所述旋转工作台的外侧，计测器测定所述激光的轮廓。
15.一种半导体器件的制造方法，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体器件的制造方法，其中，光束整形部对所述激光进行整形，使得所述激光在所述半导体基板上成为平顶分布。
17.根据权利要求16所述的半导体器件的制造方法，其中，所述激光被整形为使得所述半导体基板上的激光成为以所述旋转工作台的旋转方向为短边方向、以与所述旋转方向正交的径向方向为长边方向的光斑形状。
18.根据权利要求15至17中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，
19.根据权利要求15至17中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，来自所述半导体激光光源的激光经由光纤向所述光学系统单元被引导。
20.根据权利要求15至17中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，多个所述半导体基板相对于所述旋转工作台的旋转轴对称地配置。
21.根据权利要求15至17中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述旋转工作台的外侧，计测器测定所述激光的轮廓。
