本发明涉及半导体，特别是涉及一种深沟槽隔离结构及其制造方法。
背景技术：
1、深沟槽隔离(deep trench isolation，dti)是集成电路制造中的隔离技术，利用光刻和刻蚀技术形成深度较大的沟槽，通常达到硅基底，有效防止器件之间的串扰和漏电，实现更高密度的器件布局。
2、请参阅图1，其示出了现有技术中的一种深沟槽隔离，其中各附图标记为：
3、101—p型衬底，102—n型埋层，103—p型外延上的n型深阱，104—浅沟槽隔离，105—深沟槽隔离，107—n阱，108—n型重掺杂区。
4、深沟槽隔离105穿过p型外延103及n型埋层102深入p型衬底101，深沟槽隔离105起到了防止两侧n型区域穿通的作用，dti两侧n型区域通过n型重掺杂区108引出，一端接高电位，一端接低电位。
5、该结构在应用中会出现衬底浮空的情况，导致双极型晶体管开启，vhold(维持)电压越低，双极型晶体管越容易开启。
6、为解决上述问题，需要提出一种新型的深沟槽隔离结构及其制造方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种深沟槽隔离结构及其制造方法，用于解决现有技术中的深沟槽结构在应用中会出现衬底浮空的情况，导致维持电压降低的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种深沟槽隔离结构，包括：
3、p型的衬底，所述p型的衬底分为底部的高掺杂部分和其上的低掺杂部分，在所述衬底表面进行n型杂质注入形成有n型的埋层，在所述衬底上形成有p型的外延层，在所述外延层上形成有n型的深阱；
4、在所述深阱上形成有浅沟槽隔离以定义出有源区；
5、在所述深阱上形成有深沟槽，所述深沟槽自所述浅沟槽的隔离的上表面延伸至所述衬底上；
6、在所述深沟槽的底部形成有n型掺杂层，以连接所述p型的衬底的高掺杂部分，所述深沟槽中填充有深沟槽隔离；
7、形成于深阱上的n阱，所述n阱上形成有n型重掺杂区。
8、优选地，所述n型掺杂层的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度。
9、优选地，所述结构用于双极型晶体管器件的制造。
10、本发明提供还一种上述深沟槽隔离结构的制造方法，包括：
11、步骤一、提供p型的衬底，所述p型的衬底分为底部的高掺杂部分和其上的低掺杂部分，在所述衬底表面进行n型杂质注入形成n型的埋层，在所述衬底上形成p型的外延层，利用离子注入在所述外延层上形成n型的深阱；
12、步骤二、在所述深阱上形成浅沟槽隔离以定义出有源区，形成深沟槽，所述深沟槽自所述浅沟槽的隔离的上表面延伸至所述衬底上；
13、步骤三、利用离子注入在所述深沟槽的底部形成n型掺杂层，以连接所述p型的衬底的高掺杂部分，之后形成填充所述深沟槽的深沟槽隔离；
14、步骤四、利用光刻定义出阱注入区域，利用离子注入形成n阱，之后在所述n阱上形成n型重掺杂区。
15、优选地，步骤二中的所述浅沟槽隔离的形成方法包括：利用光刻、刻蚀的方法在所述深阱上形成浅沟槽，利用淀积、研磨的方法形成所述浅沟槽隔离。
16、优选地，步骤二中利用光刻、刻蚀的方法形成所述深沟槽。
17、优选地，步骤三中利用淀积、研磨的方法形成所述深沟槽隔离。
18、优选地，步骤三中的所述深沟槽隔离的材料为多晶硅。
19、优选地，步骤三中的所述n型掺杂层的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度。
20、优选地，所述方法用于双极型晶体管器件的制造。
21、如上所述，本发明的深沟槽隔离结构及其制造方法，具有以下有益效果：
22、本发明在深沟槽隔离底部增加n型掺杂层，在耗尽区内可拉起一个较高的峰值电场，提高击穿电压，深沟槽隔离底部增加n型掺杂层，这样可以隔断两侧的轻掺杂p型区域，有效缓解击穿后的负阻现象，提高vhold(维持)电压。
1.一种深沟槽隔离结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构，其特征在于：所述n型掺杂层的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构，其特征在于：所述结构用于双极型晶体管器件的制造。
4.根据权利1至3任一项的所述深沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述浅沟槽隔离的形成方法包括：利用光刻、刻蚀的方法在所述深阱上形成浅沟槽，利用淀积、研磨的方法形成所述浅沟槽隔离。
6.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：步骤二中利用光刻、刻蚀的方法形成所述深沟槽。
7.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：步骤三中利用淀积、研磨的方法形成所述深沟槽隔离。
8.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：步骤三中的所述深沟槽隔离的材料为多晶硅。
9.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：步骤三中的所述n型掺杂层的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度。
10.根据权利要求1所述的深沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：所述方法用于双极型晶体管器件的制造。
