本发明涉及照明，尤其涉及一种深红光发光器件。
背景技术：
1、未来照明发展将趋向以人为本的人因照明，以人为本的照明是指创造模拟提高人体机能的自然日光的照明艺术，它能提高人体机能、舒适度、健康和幸福。现有技术在人眼可识别的可见光范围(425～690nm)内已实现了贴近太阳光谱，但随着人们对光品质要求的提高，市场出现了进一步的需求，希望可以在现有基础上进一步补充对人眼有裨益的深红光甚至包括部分近红外光。因此，目前有些led护眼灯灯具会设计补齐可见光中的深红色部分，想要在单纯对红光进行补充，一般会想到使用砷化镓红光芯片。但是由于砷化镓红光芯片发出的光的半波宽很窄，大概为18纳米左右，要在更大的范围补齐红光，就需要使用多个波长的红光芯片，增加生产制造难度。
技术实现思路
1、因此，为克服现有技术中存在的至少部分缺陷和不足，本发明实施例提供一种深红光发光器件。
2、具体地，本发明实施例提供一种深红光发光器件，包括：发光芯片；以及荧光层，设置于所述发光芯片上，所述荧光层包括深红光荧光粉，所述深红光发光器件发出的光仅在630～830纳米的范围内具有波峰。
3、由上可知，本发明实施例将深红光发光器件设置为发光芯片和包括深红光荧光粉的荧光层，从而简便地实现较大波长范围的深红光发光，避免了多个波长的红光芯片的使用，从而减少了生产难度。
1.一种深红光发光器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的深红光发光器件，其特征在于，所述深红光荧光粉的激发光谱的峰值波长大于690纳米。
3.如权利要求2所述的深红光发光器件，其特征在于，所述深红光荧光粉为y3al5o12:cr、(y,gd)3(ga,al)5o12:cr、mglaalo:cr和sral2o4:cr中的一种或多种。
4.如权利要求1～3任意一项所述的深红光发光器件，其特征在于，所述发光芯片为红光芯片，所述红光芯片的峰值波长介于645～675纳米。
5.如权利要求1～3任意一项所述的深红光发光器件，其特征在于，所述发光芯片为蓝光芯片，所述荧光层还包括：氮化物红粉。
6.如权利要求5所述的深红光发光器件，其特征在于，所述蓝光芯片的主波长范围为430～470纳米。
7.如权利要求5所述的深红光发光器件，其特征在于，所述荧光层为所述氮化物红粉和所述深红光荧光粉的混合层。
8.如权利要求5所述的深红光发光器件，其特征在于，所述荧光层包括层叠设置的第一荧光层和第二荧光层，所述第一荧光层为所述氮化物红粉，所述第二荧光层为所述深红光荧光粉，且所述第二荧光层设置于所述发光芯片上，所述第一荧光层设置于所述第二荧光层背离所述发光芯片的一侧。
9.如权利要求5所述的深红光发光器件，其特征在于，小于580纳米的光谱积分强度与所述深红光发光器件发出的光的光谱积分强度之比小于或等于2％。
10.如权利要求1所述的深红光发光器件，其特征在于，所述深红光发光器件发出的光在780纳米波长的强度值为所述深红光发光器件发出的光在680～780纳米处的峰值波长强度值的30％以上。
