本技术涉及半导体封装，特别涉及一种csp灯珠。
背景技术：
1、csp灯珠是指采用chip scale package(芯片级封装)的led灯珠，它是一种新型的led封装技术，相对于传统的led封装方式，csp灯珠实现高功率高密度超小型封装。
2、通常，csp灯珠中的led发光芯片是倒装芯片，通过底部界面层发光，发光可以是默认的通体发光，虽然底部焊盘有反射镀层，但是与电流、热量有矛盾。常规的csp封装之灯珠是5面出光，但是由于此等封装有效利用低，因此经常会在led发光芯片的四周设置白色反光胶体层以将侧面的光反射至正面，增加光通量。
3、但是，当前的csp灯珠中的封装类似三明治的上下结构白色围墙胶体与贴合在芯片表面的荧光胶膜粘接力低，容易掉膜，白色围墙也因为没有包裹力，在加工过程中，容易与芯片失去贴合力，进而导致性能降低或失效。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于克服上述技术不足，提出一种，解决现有技术中csp灯珠的封装过程中白色围墙胶体容易与芯片失去贴合力的技术问题。
2、为达到上述技术目的，本实用新型的技术方案如下：
3、一种csp灯珠，包括led发光芯片、胶体以及反射围坝，所述led发光芯片位于所述胶体的中心、且所述胶体将所述led发光芯片的至少两面包围，所述胶体朝向所述led发光芯片的一侧为非线性反射面、以将所述led发光芯片底部界面层及侧面发出的光线反射至正面，所述反射围坝设置于所述led发光芯片的外围、以与所述led发光芯片形成封装体，所述反射围坝通过所述胶体与所述led发光芯片连接。
4、在一个实施例中，所述胶体将所述led发光芯片的五面包围。
5、在一个实施例中，所述胶体的横截面积大于所述封装体的横截面积。
6、在一个实施例中，所述胶体包括反射部和连接部，所述反射部与所述连接部连接，所述反射部位于所述led发光芯片的上方，所述连接部将所述led发光芯片的至少两面包围、且所述连接部具有所述非线性反射面，所述反射围坝通过所述连接部与所述led发光芯片连接。
7、在一个实施例中，所述反射部与所述连接部一体成型。
8、在一个实施例中，所述连接部从所述led发光芯片的底部延伸至所述反射部的下表面。
9、在一个实施例中，所述非线性反射面为抛物线反射面。
10、在一个实施例中，所述反射围坝的内侧面与所述led发光芯片的表面平齐。
11、在一个实施例中，所述反射围坝与所述led发光芯片的四周连接、并连接于所述反射部的下表面。
12、在一个实施例中，所述胶体为荧光胶体或透明胶体。
13、与现有技术相比，本实用新型提供的csp灯珠，通过将胶体与led发光芯片的接触面设置为非线性反射面，进而可以增加胶体与led发光芯片的贴合力，避免出现掉膜现象，通过胶体连接反射围坝和led发光芯片，增加了反射围坝与led发光芯片连接的稳定性，避免csp灯珠性能降低或失效，解决了目前普通三明治结构形式的灯珠的封装缺点，大大的提高了灯珠的稳定性。此外，通过设置非线性反射面，其非线性反射的效果优于直线斜面，更加符合光学传播的真实分布。
1.一种csp灯珠，其特征在于，包括led发光芯片、胶体以及反射围坝，所述led发光芯片位于所述胶体的中心、且所述胶体将所述led发光芯片的至少两面包围，所述胶体朝向所述led发光芯片的一侧为非线性反射面、以将所述led发光芯片底部界面层及侧面发出的光线反射至正面，所述反射围坝设置于所述led发光芯片的外围、以与所述led发光芯片形成封装体，所述反射围坝通过所述胶体与所述led发光芯片连接。
2.根据权利要求1所述的csp灯珠，其特征在于，所述胶体将所述led发光芯片的五面包围。
3.根据权利要求1所述的csp灯珠，其特征在于，所述胶体的横截面积大于所述封装体的横截面积。
4.根据权利要求1所述的csp灯珠，其特征在于，所述胶体包括反射部和连接部，所述反射部与所述连接部连接，所述反射部位于所述led发光芯片的上方，所述连接部将所述led发光芯片的至少两面包围、且所述连接部具有所述非线性反射面，所述反射围坝通过所述连接部与所述led发光芯片连接。
5.根据权利要求4所述的csp灯珠，其特征在于，所述反射部与所述连接部一体成型。
6.根据权利要求4所述的csp灯珠，其特征在于，所述连接部从所述led发光芯片的底部延伸至所述反射部的下表面。
7.根据权利要求1或4所述的csp灯珠，其特征在于，所述非线性反射面为抛物线反射面。
8.根据权利要求1所述的csp灯珠，其特征在于，所述反射围坝的内侧面与所述led发光芯片的表面平齐。
9.根据权利要求4所述的csp灯珠，其特征在于，所述反射围坝与所述led发光芯片的四周连接、并连接于所述反射部的下表面。
10.根据权利要求1所述的csp灯珠，其特征在于，所述胶体为荧光胶体或透明胶体。
