本公开涉及半导体器件相关，具体地说，涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件。
背景技术：
1、现有技术中，在半导体器件的制备过程中，会在其中铝垫层结构的表面覆盖一层钛氮化物膜层来作为铝垫层的覆盖层。示例性的，图1a至图1d分别提供了铝垫层结构的表面覆盖有钛氮化物膜层的半导体器件在不同制备阶段对应的剖面结构示意图。如图1a所示，在半导体器件中完成铝垫层101的制备工序后，可以在铝垫层101的表面沉积钛氮化物膜层102，钛氮化物膜层102能够隔绝水气与铝垫层101表面进行接触，同时能够防止在后续对铝垫层101进行刻蚀过程中光刻胶与铝垫层101表面进行接触。图1b示出了对铝垫层101进行刻蚀以生成刻蚀通道103对应的剖面示意图，如图1b所示，在形成刻蚀通道103后，需要进一步对残留的钛氮化物膜层102进行去除。
2、考虑到现有技术中，在钛氮化物膜层102的去除过程中对于相关刻蚀工艺的要求较高，刻蚀窗口过小、刻蚀不足则易于发生钛氮化物膜层102遗留在铝垫层101表面的情况，如图1c所示；而增大刻蚀窗口，对钛氮化物膜层102进行过量刻蚀又会导致对铝垫层101的表面造成损伤，如图1d所示，从而对半导体器件的整体制程良率造成影响。
技术实现思路
1、针对现有技术中的问题，本公开的目的在于提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，通过在铝垫层和钛氮化物膜层间增加间隔介质层的方式，能够保证钛氮化物膜层完全去除，并保证铝垫层不受到结构损伤。
2、具体的，本公开的第一方面提供了一种半导体器件的制备方法，包括如下步骤：
3、提供一半导体结构件，该种半导体结构件包括依次层叠的基板以及器件结构层，铝垫层覆盖基板及器件结构层的表面；
4、于铝垫层的表面覆盖复合薄膜层；
5、对铝垫层和复合薄膜层进行刻蚀，以形成若干露出器件结构层的表面的至少一部分的通道；
6、去除剩余的复合薄膜层中至少一部分的层结构，以获得半导体器件。
7、在上述第一方面的一种可能的实现中，复合薄膜层包括层叠的间隔介质层以及钛氮化物膜层；
8、间隔介质层与铝垫层的表面相接触。
9、在上述第一方面的一种可能的实现中，间隔介质层的制备材料为掺杂有碳元素的硅氧化物材料。
10、在上述第一方面的一种可能的实现中，间隔介质层的制备材料为掺杂有氮元素的硅氧化物材料。
11、在上述第一方面的一种可能的实现中，在去除剩余的复合薄膜层中至少一部分的层结构，以获得半导体器件的过程中，包括如下步骤：
12、采用过量刻蚀以完全去除复合薄膜层表层的钛氮化物膜层；
13、保留间隔介质层以作为铝垫层的钝化层。
14、在上述第一方面的一种可能的实现中，在去除剩余的复合薄膜层中至少一部分的层结构，以获得半导体器件的过程中，包括如下步骤：
15、采用过量刻蚀以完全去除复合薄膜层表层的钛氮化物膜层；
16、采用湿法刻蚀以去除复合薄膜层中残留的间隔介质层。
17、在上述第一方面的一种可能的实现中，器件结构层包括若干重复层叠设置的硅氮化物膜层以及硅氧化物膜层；
18、器件结构层中最底层的硅氮化物膜层与基板的表面相接触；
19、器件结构层中最顶层的硅氧化物膜层的至少一部分通过通道露出。
20、在上述第一方面的一种可能的实现中，硅氮化物膜层基于化学气相沉积方式生成，硅氮化物膜层对应的前驱体材料包括硅烷和氨气。
21、在上述第一方面的一种可能的实现中，硅氧化物膜层基于化学气相沉积方式生成，硅氧化物膜层对应的前驱体材料包括四乙氧基硅烷。
22、本公开的第二方面提供了一种半导体器件，该种半导体器件基于前述第一方面提供的半导体器件的制备方法制备得到。
23、与现有技术相比，本公开具有如下的有益效果：
24、本公开提供的技术方案，在铝垫层和钛氮化物膜层间设置与铝垫层具有较好兼容性并且易于去除的间隔介质层，使得在半导体器件制备过程中，能够根据实际需要完全去除铝垫层表面起到隔绝作用的钛氮化物膜层，同时保证铝垫层不受到可能的结构损伤；残留的间隔介质层可以采用湿法刻蚀等不损伤铝垫层的温和方式进行去除，也可以保留作为铝垫层的钝化层起到隔绝作用，具有可推广价值。
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述复合薄膜层包括层叠的间隔介质层以及钛氮化物膜层；
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述间隔介质层的制备材料为掺杂有碳元素的硅氧化物材料。
4.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述间隔介质层的制备材料为掺杂有氮元素的硅氧化物材料。
5.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述去除剩余的所述复合薄膜层中至少一部分的层结构，以获得所述半导体器件的过程中，包括如下步骤：
6.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述去除剩余的所述复合薄膜层中至少一部分的层结构，以获得所述半导体器件的过程中，包括如下步骤：
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述器件结构层包括若干重复层叠设置的硅氮化物膜层以及硅氧化物膜层；
8.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述硅氮化物膜层基于化学气相沉积方式生成，所述硅氮化物膜层对应的前驱体材料包括硅烷和氨气。
9.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述硅氧化物膜层基于化学气相沉积方式生成，所述硅氧化物膜层对应的前驱体材料包括四乙氧基硅烷。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件基于如权利要求1至权利要求9中任意一项所述的半导体器件的制备方法制备得到。
