本申请涉及谐振器，具体涉及一种mems谐振器。
背景技术：
1、mems谐振器系统通常包括多个电极来驱动mems谐振器。众所周知，当向驱动电极施加偏压时，驱动电极上会积聚电荷，从而在驱动电极和mems谐振器上积聚的相反电荷之间产生静电力，通过向驱动电极施加时变电压信号，通常结合直流电压，可以产生时变静电力，导致mems谐振器振荡。
2、目前的mems谐振器的外电极结构通常是整体板状结构。但这种结构的mems谐振器的刚度较低，进而容易导致结构变形，造成mems谐振器性能不佳。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请提供一种mems谐振器，以提高mems谐振器的刚度。
2、本申请提供一种mems谐振器，包括：
3、衬底；
4、振动体，设置于所述衬底上，所述振动体包括耦合梁以及振臂，所述耦合梁的两端分别与相邻的所述振臂连接，所述振臂包括第一分臂以及与所述第一分臂两侧连接的第二分臂，所述第一分臂位于所述振臂靠近所述耦合梁的一侧，所述第二分臂位于所述振臂远离所述耦合梁的一侧；
5、外电极，设置于所述衬底上，所述外电极包括第一电极以及与所述第一电极间隔设置的第二电极，所述第一电极以及所述第二电极位于所述第二分臂远离所述耦合梁的一侧。
6、在一些实施例中，自所述外电极朝向所述耦合梁的方向上，所述第一电极的正投影与所述第一分臂的正投影的重叠宽度以及所述第二电极的正投影与所述第一分臂的正投影的重叠宽度均小于2μm。
7、在一些实施例中，所述第一电极以及所述第二电极朝向所述振动体背离所述耦合梁的一侧凸出设置。
8、在一些实施例中，所述振臂具有u型孔，所述u型孔位于所述第一分臂上。
9、在一些实施例中，所述第二分臂与所述外电极相对设置形成第一间隙，所述第一间隙宽度为1～2μm。
10、在一些实施例中，所述mems谐振器还包括内电极，所述内电极设置于所述衬底上，所述内电极位于相邻的所述振臂之间。
11、在一些实施例中，所述mems谐振器还包括固定部，所述固定部设置于所述衬底上，所述固定部位于相邻的所述内电极之间，所述固定部位于相邻的所述振臂之间。
12、在一些实施例中，所述内电极与所述第二分臂相对设置形成空隙，所述空隙宽度为1～2μm。
13、在一些实施例中，所述固定部靠近所述内电极的一侧向所述内电极方向凸起设置。
14、在一些实施例中，所述内电极远离所述固定部的一侧设置有向所述耦合梁方向凹陷的第一凹陷部。
15、本申请提供一种mems谐振器，包括衬底、振动体以及外电极；振动体设置于衬底上，振动体包括耦合梁以及振臂，耦合梁的两端分别与相邻的振臂连接，振臂包括第一分臂以及与第一分臂两侧连接的第二分臂，第一分臂位于振臂靠近耦合梁的一侧，第二分臂位于振臂远离耦合梁的一侧；外电极设置于衬底上，外电极包括第一电极以及与第一电极间隔设置的第二电极，第一电极以及第二电极位于第二分臂远离耦合梁的一侧，以提高mems谐振器的刚度。
1.一种mems谐振器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的mems谐振器，其特征在于，自所述外电极朝向所述耦合梁的方向上，所述第一电极的正投影与所述第一分臂的正投影的重叠宽度以及所述第二电极的正投影与所述第一分臂的正投影的重叠宽度均小于2μm。
3.根据权利要求1所述的mems谐振器，其特征在于，所述第一电极以及所述第二电极朝向所述振动体背离所述耦合梁的一侧凸出设置。
4.根据权利要求1所述的mems谐振器，其特征在于，所述振臂具有u型孔，所述u型孔位于所述第一分臂上。
5.根据权利要求1所述的mems谐振器，其特征在于，所述第二分臂与所述外电极相对设置形成第一间隙，所述第一间隙宽度为1～2μm。
6.根据权利要求5所述的mems谐振器，其特征在于，所述mems谐振器还包括内电极，所述内电极设置于所述衬底上，所述内电极位于相邻的所述振臂之间。
7.根据权利要求6所述的mems谐振器，其特征在于，所述mems谐振器还包括固定部，所述固定部设置于所述衬底上，所述固定部位于相邻的所述内电极之间，所述固定部位于相邻的所述振臂之间。
8.根据权利要求7所述的mems谐振器，其特征在于，所述内电极与所述第二分臂相对设置形成空隙，所述空隙宽度为1～2μm。
9.根据权利要求7所述的mems谐振器，其特征在于，所述固定部靠近所述内电极的一侧向所述内电极方向凸起设置。
10.根据权利要求7所述的mems谐振器，其特征在于，所述内电极远离所述固定部的一侧设置有向所述耦合梁方向凹陷的第一凹陷部。
