1.本说明书涉及多裸片或多芯片半导体器件，这些半导体器件可适用于诸如汽车、工业和消费电子领域的各种领域。
背景技术：2.常规封装的多裸片半导体器件可以包括具有裸片焊盘和围绕裸片焊盘布置(例如，围绕该裸片焊盘径向地延伸)的导电引线组的金属引线框、被布置在裸片焊盘上的多个半导体裸片(例如，附在该裸片焊盘上)和塑料封装，该塑料封装将被布置在裸片焊盘上的半导体裸片和面向裸片焊盘的至少一部分导电引线封装。
3.在这种多裸片半导体器件中，每个半导体裸片可以通过裸片到裸片互连电耦合到其他半导体裸片中的一个或多个半导体裸片(例如，以发送和/或接收信号)。通常，这种芯片到芯片的互连可以通过打线接合来实现，其中接合线也被封装在塑料封装中，或者通过无电镀，或者通过选择性地分配导电膏(例如银膏)，以形成导电轨道。
4.应注意，通过打线接合、无电镀或导电膏的分配来实现裸片到裸片互连会导致裸片到裸片互连的高制造成本和/或低可靠性。
5.因此，本领域需要在多裸片半导体器件中提供改进的裸片到裸片互连。
技术实现要素：6.本公开的目的是提供一种多裸片半导体器件，从而获得改进的裸片到裸片互连。
7.在一个方面，本公开提供了一种多裸片半导体器件，该多裸片半导体器件包括：金属引线框，包括裸片焊盘和围绕所述裸片焊盘被布置的导电引线组；半导体裸片组，被布置在所述裸片焊盘上，所述半导体裸片组包括第一半导体裸片和第二半导体裸片，其中所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片在所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片相对于所述裸片焊盘的前表面处各自包括接合焊盘组；激光可激活材料层，被模制在所述第一半导体裸片、所述第二半导体裸片和所述导电引线组上，其中所述激光可激活材料包括激光激活线组，所述激光激活线组包括：i)第一激光激活线子组，将所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片中的一个或多个半导体裸片的选定接合焊盘耦合到所述导电引线组中的选定导电引线；以及ii)第二激光激活线子组，将所述第一半导体裸片的选定接合焊盘耦合到所述第二半导体裸片的选定接合焊盘；第一金属层，在所述第一激光激活线子组和所述第二激光激活线子组上；以及第二金属层，被沉积在所述第一金属层上。
8.在一个实施例中，所述第一金属层包括无电镀金属材料，并且所述第二金属层包括电镀金属材料。
9.在一个实施例中，所述激光激活线组还包括：iii)第三激光激活线子组，将所述第二激光激活线子组组中的激光激活线中的每个激光激活线耦合到以下中的一项或多项：所述第一激光激活线子组中的至少一个激光激活线、以及所述导电引线组中的至少一个导电引线。
附图说明
10.现在将参照附图，仅以举例的方式描述一个或多个实施例，其中：
11.图1是根据本说明书的一个或多个实施例的多裸片半导体器件的某些组件的示例性立体图；
12.图2a和图2b分别是根据本说明书的一个或多个实施例的制造方法中的无电镀金属沉积步骤的立体图和截面图；
13.图3a和图3b分别是根据本说明书的一个或多个实施例的制造方法中的掩模步骤的立体图和截面图；
14.图4a、图4b和图4c分别是根据本说明书的一个或多个实施例的制造方法中的金属电镀步骤的立体图和截面图；
15.图5a、图5b和图5c分别是根据本说明书的一个或多个实施例的制造方法中的掩模移除步骤的立体图和截面图；以及
16.图6a、图6b和图6c分别是根据本说明书的一个或多个实施例的制造方法中的金属蚀刻步骤的立体图和截面图。
17.可以理解的是，图4c、图5c和图6c在图的末尾被组合在一起，以便于它们之间的比较。
具体实施方式
18.一个或多个实施例可以涉及多裸片半导体器件中改进的裸片到裸片互连。
19.一个或多个实施例可以涉及对应的多裸片半导体器件。
20.根据一个或多个实施例，提供金属引线框，该引线框包括裸片焊盘和围绕裸片焊盘被布置的导电引线组。半导体裸片组被布置到裸片焊盘上，半导体裸片组至少包括第一半导体裸片和第二半导体裸片。第一半导体裸片和第二半导体裸片在它们的相对于裸片焊盘的前表面处包括相应的接合焊盘组。激光可激活材料层(例如，塑料材料)被形成(例如，模制)在第一半导体裸片、第二半导体裸片和导电引线组上。激光辐射被引导到激光可激活材料上，以使激光激活线组图案化。激光激活线组包括：第一激光激活线子组，被配置为将第一半导体裸片和/或第二半导体裸片的选定接合焊盘耦合到导电引线组中的选定导电引线；第二激光激活线子组，被配置为将第一半导体裸片的选定接合焊盘耦合到第二半导体裸片的选定接合焊盘；以及第三激光激活线子组，被配置为将第二半导体裸片中的激光激活线中的每个激光激活线耦合到第一激光激活线子组中的至少一个激光激活线、和/或所述导电引线组中的至少一个导电引线。将第一金属层沉积在第一激光激活线子组、第二激光激活线子组和第三激光激活线子组上，以提供相应的第一导电线子组、第二导电线子组和第三导电线子组。通过电镀将第二金属层选择性地沉积到第一导电线子组和第二导电线子组上，以提供相应的第一导电轨道子组和第二导电轨道子组。然后选择性地移除第三导电线子组中的导电线。
21.一个或多个实施例因此可以通过激光直接成型(lds)工艺和随后的电镀工艺、通过形成将电浮动图案区域连接到电接地区域的临时“连接条”(tie-bar)、并且然后移除该临时连接条来促进在多裸片半导体器件中电性地形成浮动金属轨道(例如，裸片到裸片互连)。
22.在随后的描述中，说明了一个或多个具体细节，旨在提供对本描述的实施例的示例的深入理解。这些实施例可以在没有一个或多个具体细节的情况下获得，或者通过其他方法、组件、材料等获得。在其他情况下，未详细说明或描述已知的结构、材料或操作，使得实施例的某些方面将不被隐藏。
23.在本说明书的框架中对“实施例”或“一个实施例”的引用旨在指示关于该实施例描述的特定配置、结构或特征包括在至少一个实施例中。因此，在本说明书的一个或多个点中可以出现的诸如“在实施例中”或“在一个实施例中”的短语不一定指代一个相同的实施例。此外，在一个或多个实施例中，可以以任何适当的方式组合特定的构象、结构或特性。
24.此处使用的标题/参考文献仅为方便起见而提供，因此不限定实施例的保护范围或范围。
25.在本文所附的所有附图中，除非上下文另有说明，否则相似的组件或元件用相似的参考/数字表示。为简洁起见，不再对每一幅图重复进行相应的描述。
26.通过对示例性实施例的详细描述的介绍，可以首先参考图1。
27.图1是包括两个半导体裸片的多裸片半导体器件10的某些内部组件的示例性立体图。特别地，这里例示的半导体器件10包括四方扁平无引线封装(例如，qfn封装)。
28.如图1所示，多裸片半导体器件10包括金属引线框，该金属引线框包括裸片焊盘100和围绕裸片焊盘100被布置的多个导电引线102。第一半导体裸片12和第二半导体裸片14被布置在裸片焊盘100上，例如，通过诸如胶水的裸片附接材料而附接。塑料材料的封装p(此处以透明方式示出并且为了说明而用虚线示出)封装被布置在裸片焊盘100上的半导体裸片12、14和面向裸片焊盘100的至少一部分导电引线102。
29.半导体裸片12和14的前(例如，上或顶)表面(即与裸片焊盘100相对的表面)设置有用于将半导体裸片12、14电耦合到引线102和/或它们之间的接合焊盘。取决于多裸片半导体器件10的连接方案，对于这种电互连可以出现三种不同的情况。
30.在第一种情况下，一个或多个电互连(参见例如图1中的示例性互连16a)可以设置在引线框的导电引线102中的一个(或多个)导电引线和半导体裸片(这些可以被指定为“裸片到引线”互连)之间。
31.在第二种情况下，一个或多个电互连(参见例如图1中的示例性互连16b、16b’)可以设置在半导体裸片和另一个半导体裸片之间(这些可以被指定为“裸片到裸片”)。
32.在第三种情况下，一个或多个电互连(参见例如图1中的示例性互连16c、16c’)可以设置在引线框的导电引线102中的一个(或多个)导电引线和半导体裸片之间，并且它们可以进一步扩展到另一个半导体裸片，从而利用单个电连续互连实现裸片到引线互连和裸片到裸片互连。
33.半导体器件制造技术的最新发展涉及使用所谓的激光直接成型(lds)技术来制造半导体器件中的电互连。根据lds技术，可在用于模制封装p(或与半导体裸片12、14接触的封装p的至少一部分)的塑料材料中提供可被激光辐射激活的金属无机化合物。然后可以将激光辐射引导到塑料材料上，以在激光可激活的塑料材料上和激光可激活的塑料材料中图案化电路迹线的路线。在激光辐射击中塑料材料的地方，金属添加剂形成激光激活(例如，微粗糙)轨道或线。该激光激活轨道或线的金属颗粒形成用于后续金属化步骤的核，该金属化步骤将在激光激活塑料材料上生长导电轨道。
34.这种金属化步骤可以包括无电镀步骤(例如，在铜浴中)。无电镀可以证明是不利的，因为无电镀会需要很长的电镀时间才能沉积足够厚的金属层，从而为裸片到裸片和裸片到引线互连16a、16b、16c提供令人满意的导电性.
35.附加地或备选地，金属化步骤可以包括电镀步骤(或电流沉积步骤)。然而，这种电镀步骤主要适用于电镀那些在电镀过程期间提供朝向接地端子的连续电路径的激光激活轨道。由于接地端子通常应用于金属引线框，在传统的制造工艺中，电镀步骤将仅适用于制造裸片到引线互连，例如图1中举例说明的互连16a、16c和16c’。电镀步骤将不适用于制造传统的裸片到裸片互连16b和16b’，因为裸片到裸片互连是电浮动的，即裸片到裸片互连不提供朝向地的连续电流路径(例如，朝向引线框、特别是朝向导电引线102)。
36.本说明书的一个或多个实施例涉及一种制造方法，该制造方法通过电镀步骤促进多裸片半导体器件中裸片到裸片金属互连的生长。
37.根据一个或多个实施例的制造方法可以包括以下步骤：提供包括裸片焊盘100和围绕裸片焊盘被布置的导电引线组102的金属引线框，以及布置(例如，通过诸如胶水的裸片附接材料)将半导体裸片组12、14粘贴到裸片焊盘上。如图1例示，该半导体裸片组可以包括第一半导体裸片12和第二半导体裸片14，但是半导体裸片的数目在不同的实施例中可以变化(例如，在同一封装的半导体器件中，最多有五个、十个或可能更多的裸片)。半导体裸片12、14在它们的前(例如，上或顶)表面处包括相应的接合焊盘组。
38.根据一个或多个实施例的方法还可以包括将激光可激活材料层200(例如，适合用于进行lds工艺的塑料材料)提供到(例如，模制)在半导体裸片12、14和引线102上的步骤。例如，激光可激活材料200可以嵌入提供封装p的成型化合物中。激光可激活材料200中的催化(金属)颗粒可以具有在0.5μm至2μm范围内的尺寸。
39.使用lds技术，根据一个或多个实施例的方法可以包括将激光辐射引导到激光可激活材料200上以图案化激光激活线组的步骤，这些线将被用作用于随后的一个或多个电镀步骤的“种子”线。
40.该激光激活经图案化的线的组可以包括：第一线子组，被配置为将半导体裸片12、14的某些接合焊盘耦合到某些引线102(即，一旦电镀，第一子组中的线将提供裸片到引线互连)；第二线子组，被配置为将半导体裸片12的某些接合焊盘耦合到另一半导体裸片14的某些接合焊盘(即，一旦被电镀，第二子组中的线将提供裸片到裸片互连)；以及第三线子组，被配置为将第二经图案化的线子组中的经图案化的线(其缺乏与引线框的连接)中的每条经图案化的线耦合到第一经图案化的线子组中的至少一个经图案化的线，和/或耦合到至少一根引线102(即，根据下文进一步详述的方法步骤，一旦电镀，第三子组中的线将扮演“牺牲”激光激活线的角色)。
41.需要注意的是，使用lds技术，激光激活线不仅可以在材料200的表面处延伸，但是也可以延伸穿通过材料200以提供垂直通孔，该垂直通孔允许与设置在半导体裸片12、14的前表面处的接合焊盘和/或与引线102的连接建立。
42.根据一个或多个实施例的方法可以进一步包括通过无电镀将薄金属层(例如，铜层)沉积(例如，生长)到激光激活经图案化的线的第一子组、第二子组和第三子组上的步骤，以提供相应的第一导电线子组、第二导电线子组和第三导电线子组。仅作为示例，这种薄金属层可以在1μm到10μm的范围内、可选地等于5μm的厚度。
43.图2a和图2b是在无电镀步骤之后设置在lds材料200上的这种导电线的示例。特别地，图2a是半导体裸片12和14之间的区域中的lds材料和导电线的立体图(沿图1的线ii截取并且以放大比例再现)，图2b是在y-z平面中沿图2a的线ii-ii截取的截面图。应注意，这些图以及本文所附的其他图不一定按比例绘制。
44.如图2a和图2b所示，在无电镀步骤之后，可以在lds材料200上提供某些导电线。特别是，可以提供导电线160c，该导电线将半导体裸片12、14的接合焊盘耦合到引线102(再次参见图1中相应的互连16c’)，并且可以提供导电线160b，该导电线将半导体裸片12的接合焊盘耦合到另一个半导体裸片14的接合焊盘(再次参见图1中相应的互连16b’)。为了在随后的电镀步骤中为朝向引线102的线160b提供连续的电流路径，激光活化步骤和无电镀步骤可附加地提供导电线162，该导电线将电浮动线160b中的每个电浮动线耦合到至少一个线160c和/或至少一个引线102(即提供允许将本来电浮动线160b耦合到引线框上的临时“连接条”)。
45.根据一个或多个实施例的方法可以进一步包括通过电镀工艺将厚金属层(例如，另外的铜层)选择性地沉积(例如，生长)到导电线160b和160c上，以提供相应地实现互连16a、16b、16b’、16c和16c’的导电轨道。例如，这种厚金属层可以具有在50μm到60μm的范围内、可选地等于55μm的厚度。
46.如图3a和3b中所例示的，通过电镀的选择性金属沉积可以例如通过提供覆盖“牺牲”导电线162的掩模层300来进行。这种掩模层可以包括通过光刻技术图案化的光刻胶材料，和/或通过诸如喷墨打印的附加沉积技术选择性地沉积到牺牲导电线162上的任何类型的抗蚀剂材料。
47.如图4a、4b和4c所例示，一旦牺牲导电线162被掩模层300覆盖以防止进一步的金属沉积在其上，就可以进行电镀步骤，使得厚的金属层沉积在导电线160b和160c，以提供互连16a、16b、16b’、16c和16c’。图4c基本上对应于图4b，但图4c强调了包括线160b、160c和162的薄的无电沉积金属层和实现轨道16b’和16c’的较厚的电镀金属层的不同厚度。
48.在一个或多个实施例中，可以选择掩模层300的厚度等于或大于互连16a、16b、16b’、16c和16c’的期望厚度，从而可以在电沉积金属层的厚度等于或小于掩模层300的厚度时停止电镀步骤。以这种方式，可以对抗(例如，防止)掩模层300上的厚金属层的“横向”生长。因此，掩模层300的厚度通常可以在10μm至60μm的范围内，可选地等于50μm或55μm。
49.一旦如图4a、图4b和图4c所示完成电镀步骤，就可以如图5a、图5b和图5c所例示移除(例如，通过显影或剥离抗蚀剂材料300)掩模层300。移除掩模层300使牺牲导电线162暴露以用于进一步的制造步骤。
50.如图6a、图6b和图6c中所例示的，根据一个或多个实施例的方法可以进一步包括选择性地移除牺牲导电线162的步骤。例如，牺牲线162可以通过蚀刻(例如，通过湿蚀刻工艺和/或干蚀刻工艺)暴露在lds材料200的表面处的(多个)金属层来移除。
51.在一个或多个实施例中，蚀刻牺牲线162可以不需要掩模互连16a、16b、16b’、16c和16c’以保护这些互连免受蚀刻工艺的影响，只要蚀刻时间可以选定为短至需要移除薄层162，从而导致互连16a、16b、16b’、16c和16c’的厚度的可忽略的减小。因此，互连16a、16b、16b’、16c和16c’的最终厚度可以基本上由图4a、图4b和图4c中例示的电镀步骤的持续时间确定，只要这样的厚度可以粗略地对应于无电镀沉积金属层的厚度加上电镀金属层的厚
度、减去蚀刻材料的厚度的厚度，其中蚀刻材料的厚度与无电镀沉积金属层的厚度大致相同。
52.根据一个或多个实施例的方法可以进一步包括提供塑料材料的封装层(在本文所附的图中不可见)以封装互连16a、16b、16b’、16c和16c’的步骤。这种封装层的塑料材料可以是例如用于执行lds工艺的相同材料200，具有或不具有可激光激活的金属添加剂化合物。备选地，封装层的塑料材料可以是不同的。
53.已经参考附图描述了各种实施例，其中牺牲导电线162被图示为将电浮动的“裸片到裸片”线160b耦合到“裸片到引线”线160c中的一个或多个“裸片到引线”线。附加地或备选地，一个或多个实施例可以包括提供将电浮动的“裸片到裸片”线160b耦合到引线102中的一个或多个引线的牺牲导电线162。
54.例如，在一个或多个实施例中，可以存在引线框的引线102中的一些预期不会耦合到器件10中的半导体裸片12、14中的任何一个半导体裸片。这种“自由”引线(参见，例如图1中的引线102’)可被用于经由“专用”牺牲线162为裸片到裸片线160b提供接地连接。
55.如本文所示例，制造多裸片半导体器件(例如，10)的方法可以包括提供金属引线框，该金属引线框包括裸片焊盘(例如，100)和围绕该裸片被布置的导电引线组(例如，102)，并且布置半导体裸片组(例如，12、14)到裸片焊盘上，该半导体裸片组至少包括第一半导体裸片(例如，12)和第二半导体裸片(例如，14)。第一半导体裸片和第二半导体裸片在它们相对于裸片焊盘的前表面处包括各自的接合焊盘组。该方法还可以包括在第一半导体裸片、第二半导体裸片和导电引线组上形成(例如，模制)激光可激活材料层(例如，200)，并且将激光辐射引导到激光可激活材料层上，以使激光激活线组图案化。
56.激光激活线组包括：第一激光激活线子组，被配置为将第一半导体裸片和/或第二半导体裸片的选定接合焊盘耦合到导电引线组中的选定导电引线；第二激光激活线子组，被配置为将第一半导体裸片的选定接合焊盘耦合到第二半导体裸片的选定接合焊盘；以及第三激光激活线子组，被配置为将第二半导体裸片中的激光激活线中的每个激光激活线耦合到第一激光激活线子组中的至少一个激光激活线、和/或所述导电引线组中的至少一个导电引线。
57.该方法还包括将第一金属层沉积在第一激光激活线子组、第二激光激活线子组和第三激光激活线子组上，以提供相应的第一导电线子组(例如，160c)、第二导电线子组(例如，160b)和第三导电线子组(例如，162)，通过电镀将第二金属层选择性地沉积到第一导电线子组和第二导电线子组上，以提供相应的第一导电轨道子组(例如，16c’和16c)和第二导电轨道子组(例如，16b’和16b)，并且选择性地移除第三导电线子组中的导电线。
58.如本文所示例，该方法可包括通过无电镀沉积第一金属层。
59.如本文所示例，将第二金属层选择性地沉积到第一导电线子组和第二导电线子组上可以包括：在第三导电线子组中的导电线上提供掩模材料(例如，300)，以防止第二金属层到第三导电线子组中的导电线上的电流沉积。
60.如本文所示例，掩模材料的厚度可以是在10μm至60μm的范围内，可选地等于50μm或55μm。
61.如本文所示例，该方法可包括通过对光刻胶材料进行光图案化而将掩模材料提供到第三导电线子组中的导电线上。
62.如本文所例示，该方法可包括通过选择性地沉积抗蚀剂材料，可选地通过喷墨打印，将掩模材料提供到第三导电线子组中的导电线上。
63.如本文所示例，沉积到第一激光激活线子组上、第二激光激活线子组上和第三激光激活线子组上的第一金属层的厚度可以在1μm至10μm的范围内，可选地等于5μm。
64.如本文所例示的，沉积到第一导电线子组和第二导电线子组上的第二金属层的厚度可以在50μm到60μm的范围内，可选地等于55μm。
65.如本文所例示的，选择性地移除第三导电线子组中的导电线可以包括蚀刻第三导电线子组中的导电线。
66.如本文所示例，该方法可包括形成(例如，模制)塑料材料的封装层，该封装层将第一导电轨道子组和第二导电轨道子组封装。
67.如本文所示例，多裸片半导体器件可以包括金属引线框，该金属引线框包括裸片焊盘和在裸片焊盘周围被布置的导电引线组，半导体裸片组被布置到裸片焊盘上，该半导体裸片组包括至少第一半导体裸片和第二半导体裸片，其中第一半导体裸片和第二半导体裸片在第一半导体裸片和第二半导体裸片相对于裸片焊盘的前表面处包括相应的接合焊盘组。
68.多裸片半导体器件还可以包括模制到第一半导体裸片、第二半导体裸片和该导电引线组上的激光可激活材料层，其中该激光可激活材料包括激光激活线组，该激光激活线组包括：i)第一激光激活线子组，将所述第一半导体裸片和/或所述第二半导体裸片的选定接合焊盘耦合到导电引线组中的选定导电引线；以及ii)第二激光激活线子组，将第一半导体裸片的选定接合焊盘耦合到第二半导体裸片的选定接合焊盘。
69.多裸片半导体器件还可以包括第一金属层，该第一金属层被沉积到的第一激光激活线子组和第二激光激活线子组上，以及第二金属层，该第二金属层被沉积到第一金属层上。
70.如本文所示例，第一金属层可包括无电镀金属材料，并且第二金属层可以包括电镀金属材料。作为不同沉积速率的结果，无电镀镀金属材料和电镀金属材料可以例如具有不同的形态。
71.在一个方面，本公开提供了一种方法，包括：
72.将半导体裸片组布置在金属引线框的裸片焊盘上，半导体裸片组包括第一半导体裸片和第二半导体裸片，其中第一半导体裸片和第二半导体裸片在第一半导体裸片和第二半导体裸片的相对于裸片焊盘的前表面处各自具有接合焊盘组；
73.在第一半导体裸片、第二半导体裸片和围绕裸片焊盘被布置的金属引线框的导电引线组上形成激光可激活材料层；
74.将激光辐射引导在激光可激活材料层上，以将激光激活线组图案化，其中激光激活线组包括：
75.i)第一激光激活线子组，被配置为将第一半导体裸片和第二半导体裸片中的一个或多个半导体裸片的选定接合焊盘耦合到在导电引线组中的选定导电引线；
76.ii)第二激光激活线子组，被配置为将第一半导体裸片的选定接合焊盘耦合到第二半导体裸片的选定接合焊盘；以及
77.iii)第三激光激活线子组，被配置为将第二激光激活线子组中的激光激活线中的
每个激光激活线耦合到以下中的一项或多项：第一激光激活线子组中的至少一个激光激活线、以及导电引线组中的至少一个导电引线；
78.将第一金属层沉积在第一激光激活线子组、第二激光激活线子组和第三激光激活线子组上，以提供相应的第一导电线子组、第二导电线子组和第三导电线子组；
79.通过电镀将第二金属层选择性地沉积在第一导电线子组和第二导电线子组上、但不沉积在第三导电线子组上，以提供相应的第一导电轨道子组和第二导电轨道子组；以及
80.选择性地移除所述第三导电线子组。
81.在一个实施例中，第一金属层通过无电镀沉积。
82.在一个实施例中，第二金属层选择性地沉积在第一导电线子组和第二导电线子组上包括：在第三导电线子组中的导电线上提供掩膜材料，以防止在电镀期间第二金属层在第三导电线子组中的导电线上的电流沉积。
83.在一个实施例中，选择性地将第二金属层沉积在第一导电线子组和第二导电线子组上包括：在第三导电线子组中的导电线上提供掩膜材料，以防止在电镀期间所述第二金属层在第三导电线子组的导电线上的电流沉积。
84.在一个实施例中，掩膜材料具有在10μm到60μm的范围内的厚度
85.在一个实施例中，在第三导电线子组中的导电线上提供掩膜材料包括将光刻胶材料光图案化。
86.在一个实施例中，在第三导电线子组中的导电线上提供掩膜材料包括选择性地沉积抗蚀剂材料。
87.在一个实施例中，选择性地沉积抗蚀剂材料包括通过喷墨打印进行沉积。
88.在一个实施例中，沉积在第一激光激活线子组上、第二激光激活线子组和第三激光激活线子组上的第一金属层具有在1μm至10μm范围内的厚度。
89.在一个实施例中，沉积在第一激光激活线子组、第二激光激活线子组和第三激光激活线子组上的第一金属层具有等于5μm的厚度。
90.在一个实施例中，沉积在第一导电线子组和第二导电线子组上的所述第二金属层具有在50μm到60μm的范围内的厚度。
91.在一个实施例中，沉积在第一导电线子组和第二导电线子组上的第二金属层具有等于55μm的厚度。
92.在一个实施例中，选择性地移除在第三导电线子组的导电线包括蚀刻第三导电线子组的所述导电线。
93.在一个实施例中，还包括形成塑料材料的封装层，封装层将第一导电轨道子组和第二导电轨道子组封装。
94.在另一个方面中，本公开提供了一种方法，包括：
95.将第一半导体裸片和第二半导体裸片布置到金属引线框的裸片焊盘上，其中第一半导体裸片和第二半导体裸片在其与裸片焊盘相对的前表面处各自具有接合焊盘组；
96.形成激光可激活材料层到第一半导体裸片、第二半导体裸片和围绕裸片焊盘被布置的金属引线框的导电引线组上；
97.将激光激活线组图案化在激光可激活材料层中，以包括：
98.i)第一激光激活线子组，被配置为将第一半导体裸片的选定接合焊盘耦合到所述
导电引线组中的选定导电引线；
99.ii)第二激光激活线子组，被配置为将第一半导体裸片的选定接合焊盘与第二半导体裸片的选定接合焊盘耦合；以及
100.iii)第三激光激活线子组，被配置为将第二激光激活线子组中的激光激活线中的每条激光激活线耦合到第一激光激活线子组中的至少一个激光激活线；
101.将第一金属层沉积到第一激光激活线子组、第二激光激活线子组和第三激光激活线子组上，以提供相应的第一导电线子组、第二导电线子组和第三导电线子组；
102.选择性地将第二金属层沉积到第一导电线子组和第二导电线子组上，以提供相应的第一导电轨道子组和第二导电轨道子组；以及
103.选择性地移除第三导电线子组中的导电线。
104.在一个实施例中，第一金属层通过无电镀沉积。
105.在一个实施例中，选择性地将所述第二金属层沉积在第一导电线子组和第二导电线子组上包括：在第三导电线子组中的导电线上提供掩膜材料。
106.在一个实施例中，选择性地将第二金属层沉积在第一导电线子组和第二导电线子组上包括：在第三导电线子组中的导电线上提供掩膜材料，以防止第二金属层在第三导电线子组的导电线上的电流沉积。
107.在一个实施例中，掩膜材料通过将光刻胶材料图案化而被提供在第三导电线子组中的导电线上。
108.在一个实施例中，掩膜材料通过选择性地沉积抗蚀剂材料而被提供在第三组导电线中的导电线上。
109.在一个实施例中，抗蚀剂材料通过喷墨打印被选择性地沉积。
110.在不损害基本原则的情况下，在不偏离保护范围的情况下，就仅以举例方式描述的内容而言，细节和实施例可以有所不同，甚至有显著差异。
技术特征：1.一种多裸片半导体器件，其特征在于，包括：金属引线框，包括裸片焊盘和围绕所述裸片焊盘被布置的导电引线组；半导体裸片组，被布置在所述裸片焊盘上，所述半导体裸片组包括第一半导体裸片和第二半导体裸片，其中所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片在所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片相对于所述裸片焊盘的前表面处各自包括接合焊盘组；激光可激活材料层，被模制在所述第一半导体裸片、所述第二半导体裸片和所述导电引线组上，其中所述激光可激活材料包括激光激活线组，所述激光激活线组包括：i)第一激光激活线子组，将所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片中的一个或多个半导体裸片的选定接合焊盘耦合到所述导电引线组中的选定导电引线；以及ii)第二激光激活线子组，将所述第一半导体裸片的选定接合焊盘耦合到所述第二半导体裸片的选定接合焊盘；第一金属层，在所述第一激光激活线子组和所述第二激光激活线子组上；以及第二金属层，被沉积在所述第一金属层上。2.根据权利要求1所述的多裸片半导体器件，其特征在于，所述第一金属层包括无电镀金属材料，并且所述第二金属层包括电镀金属材料。3.根据权利要求1所述的多裸片半导体器件，其特征在于，所述激光激活线组还包括：iii)第三激光激活线子组，将所述第二激光激活线子组组中的激光激活线中的每个激光激活线耦合到以下一项或多项：所述第一激光激活线子组中的至少一个激光激活线、以及所述导电引线组中的至少一个导电引线。
技术总结在一种多裸片半导体器件中，金属引线框包括裸片焊盘和围绕裸片焊盘被布置的导电引线。第一和第二半导体裸片被布置在裸片焊盘上。激光可激活材料被放置在裸片和引线上，并且激光激活线组被图案化，包括将裸片的选定接合焊盘耦合到选定引线的第一子组、将选定的接合焊盘相互耦合的第二子组、以及将第二子组中的线耦合到第一子组中的至少一个线的第三子组。第一金属层被沉积到激光激活线路上，以提供第一导电线子组、第二导电线子组和第三导电线子组。第二金属层通过电镀选择性地沉积到第一子组和第二子组上，以提供第一导电轨道子组和第二导电轨道子组。第三子组中的导电线被选择性地移除。通过该多裸片半导体器件，可以获得改进的裸片到裸片互连。的裸片到裸片互连。的裸片到裸片互连。
技术研发人员：P
受保护的技术使用者：意法半导体股份有限公司
技术研发日：2021.12.16
技术公布日：2022/7/5
