本技术涉及多路达林顿晶体管，尤其涉及一种多路达林顿晶体管阵列测试工装及平台。
背景技术：
1、达林顿管又称复合管，用于将两个三极管串联，以组成一只等效的新的三极管。这只等效三极管的放大倍数是原二者之积，因此它的特点是放大倍数非常高。达林顿管的作用一般是在高灵敏的放大电路中放大非常微小的信号，如大功率开关电路，而多路达林顿晶体管阵列是由多个达林顿晶体管组成的集成电路，通常用于需要高电流增益的应用中。
2、达林顿晶体管的常规测试方法是使用万用表进行引脚判断和功能检测，由检测人员对达林顿晶体管逐个进行测试，或者如专利公开号为cn109765474a的一种达林顿晶体管参数的测试方法中，利用夹爪等特制夹具进行固定并进行电性连接。而对于引脚较多的达林顿晶体管阵列，由于器件的引脚数量众多且密集，万用表法不利于测试人员的操作，若采用上述方案中的特制夹具也需要对达林顿晶体管阵列的各个引脚进行装夹，影响测试效率。
技术实现思路
1、有鉴于此，本实用新型提出了一种多路达林顿晶体管阵列测试工装及平台，通过设置转接模块，将多路达林顿晶体管阵列进行固定，并转接至达林顿晶体管测试系统上，再由多路开关模块进行多路达林顿晶体管阵列中各个达林顿晶体管的通电测试，以提高多路达林顿晶体管阵列的测试效率。
2、本实用新型的技术方案是这样实现的：
3、一方面，本实用新型提供了一种多路达林顿晶体管阵列测试工装，包括多路开关模块、转接模块、e转接器、b转接器、c转接器与gnd转接器，其中，
4、多路开关模块包括接地开关单元与多个切换开关单元；
5、转接模块用于安装多路达林顿晶体管阵列，所述转接模块包括接地端、发射端、多个第一连接端与多个第二连接端，所述接地端与接地开关单元电性连接，所述接地端用于将多路达林顿晶体管阵列的com端与接地开关单元电性连接，所述发射端与各路达林顿晶体管的发射极电性连接，多个所述第一连接端与多个切换开关单元一一对应的电性连接，各路所述达林顿晶体管的输入端通过各个第一连接端，与各个切换开关单元电性连接，各个所述第二连接端分别与各路达林顿晶体管的输出端电性连接；
6、e转接器与转接模块发射端电性连接；
7、b转接器分别通过多个切换开关单元依次与对应的第一连接端电性连接；
8、c转接器与各个第二连接端电性连接；
9、gnd转接器与接地端通过接地开关单元电性连接，所述e转接器、b转接器、c转接器与gnd转接器均用于连接达林顿晶体管测试系统。
10、在以上技术方案的基础上，优选的，所述多路开关模块为拨码器。
11、在以上技术方案的基础上，优选的，所述转接模块为dip转接座。
12、在以上技术方案的基础上，优选的，所述转接模块为sop烧录座或sop老化座。
13、在以上技术方案的基础上，优选的，所述转接模块的数量为两个，且相互并联，其中一个所述转接模块为dip转接座，另一个所述转接模块为sop烧录座或sop老化座。
14、在以上技术方案的基础上，优选的，还包括电路板，所述多路开关模块与转接模块均固定在电路板上。
15、进一步优选的，所述e转接器、b转接器、c转接器与gnd转接器均焊接在电路板上。
16、另一方面，本实用新型提供了一种多路达林顿晶体管阵列测试平台，包括达林顿晶体管测试系统与上述测试工装，所述e转接器、b转接器、c转接器与gnd转接器均与达林顿晶体管测试系统电性连接。
17、在以上技术方案的基础上，优选的，所述达林顿晶体管测试系统包括e接口、b接口、c接口与gnd接口，所述e接口与e转接器电性连接，所述b接口与b转接器电性连接，所述c接口与c转接器电性连接，所述gnd接口与gnd转接器电性连接。
18、在以上技术方案的基础上，优选的，所述e转接器、b转接器、c转接器与gnd转接器均通过香蕉插头与达林顿晶体管测试系统电性连接。
19、本实用新型的多路达林顿晶体管阵列测试工装相对于现有技术具有以下有益效果：
20、(1)通过设置转接模块，将多路达林顿晶体管阵列进行固定，并转接至达林顿晶体管测试系统上，再由多路开关模块进行多路达林顿晶体管阵列中各个达林顿晶体管的通电测试，以提高多路达林顿晶体管阵列的测试效率；
21、(2)针对两种不同封装的多路达林顿晶体管阵列，设置两个转接模块，并设置为分别针对dip封装与sop封装的多路达林顿晶体管阵列的转接座，以兼容dip封装与sop封装的多路达林顿晶体管阵列进行测试，提高工装的适用性，降低对于不同封装多路达林顿晶体管阵列进行测试的工装成本。
1.一种多路达林顿晶体管阵列测试工装，其特征在于：包括多路开关模块(1)、转接模块(2)、e转接器、b转接器、c转接器与gnd转接器，其中，
2.如权利要求1所述的多路达林顿晶体管阵列测试工装，其特征在于：所述多路开关模块(1)为拨码器。
3.如权利要求1所述的多路达林顿晶体管阵列测试工装，其特征在于：所述转接模块(2)为dip转接座。
4.如权利要求1所述的多路达林顿晶体管阵列测试工装，其特征在于：所述转接模块(2)为sop烧录座或sop老化座。
5.如权利要求1所述的多路达林顿晶体管阵列测试工装，其特征在于：所述转接模块(2)的数量为两个，且相互并联，其中一个所述转接模块(2)为dip转接座，另一个所述转接模块(2)为sop烧录座或sop老化座。
6.如权利要求1所述的多路达林顿晶体管阵列测试工装，其特征在于：还包括电路板(3)，所述多路开关模块(1)与转接模块(2)均固定在电路板(3)上。
7.如权利要求6所述的多路达林顿晶体管阵列测试工装，其特征在于：所述e转接器、b转接器、c转接器与gnd转接器均焊接在电路板(3)上。
8.一种多路达林顿晶体管阵列测试平台，其特征在于：包括达林顿晶体管测试系统与权利要求1-7中任一项所述的测试工装，所述e转接器、b转接器、c转接器与gnd转接器均与达林顿晶体管测试系统电性连接。
9.如权利要求8所述的多路达林顿晶体管阵列测试平台，其特征在于：所述达林顿晶体管测试系统包括e接口、b接口、c接口与gnd接口，所述e接口与e转接器电性连接，所述b接口与b转接器电性连接，所述c接口与c转接器电性连接，所述gnd接口与gnd转接器电性连接。
10.如权利要求8所述的多路达林顿晶体管阵列测试平台，其特征在于：所述e转接器、b转接器、c转接器与gnd转接器均通过香蕉插头与达林顿晶体管测试系统电性连接。
