本揭露的实施例一般关于半导体装置，更具体地，关于场效晶体管(field effecttransistor，fet)装置。
背景技术：
1、由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度的持续进步，半导体产业经历了快速增长。在大多数的情况下，整合密度的提高是由于最小特征尺寸的不断地减小而导致的，这使得更多的组件可以被整合到给定的区域中。因此，需要不断地提高半导体装置的性能。
技术实现思路
1、根据本揭露的一些实施例，一种半导体装置包括基板、形成在基板上方并沿着第一方向延伸的第一电路区及第二电路区、位于第一电路区中的第一晶体管。第一晶体管包括沿着第二方向延伸的第一栅极电极，且第二方向基本上垂直于第一方向。半导体装置还包括位于第二电路区中的第二晶体管。第二晶体管包括在第二方向上延伸的第二栅极电极，且第二栅极电极在第二方向上与第一栅极电极对齐。半导体装置还包括低电阻部分，该低电阻部分在第二方向上延伸，并使第一栅极电极及第二栅极电极互连。低电阻部分在第二方向上基本上与第一栅极电极及第二栅极电极对齐。第一栅极电极及第二栅极电极沿着第一方向具有第一宽度w0，低电阻部分具有沿着第一方向的第二宽度w，且w与w0的比值(w/w0)至少为1.1.。
2、根据本揭露的一些实施例，半导体装置包括基板、形成在基板上方并沿着第一方向延伸的第一电路区及第二电路区，以及沿着第二方向延伸的栅极结构，且第二方向基本上垂直于第一方向。栅极结构包括分别位于第一及第二电路区中的两个栅极电极部分，以及位于两个栅极电极部分之间并使两个栅极电极部分互连的低电阻部分。两栅极电极部分配置以分别做为第一电路区及第二电路区的两个晶体管的栅极电极，且两个晶体管分别位于第一电路区及第二电路区中。两个栅极电极部分包括第一材料，且第一材料具有第一电阻率，低电阻部分包括第二材料，且第二材料具有第二电阻率，且第二电阻率小于第一电阻率。
3、根据本揭露的一些实施例，半导体装置包括基板、形成在基板上方并沿第一方向延伸的第一电路区及第二电路区，以及沿着第二方向延伸的多个栅极结构，且第二方向基本上垂直于第一方向。多个栅极结构包括彼此相邻的第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构包括：分别位于第一电路区及第二电路区中的第一栅极电极部分及第二栅极电极部分，以及位于第一栅极电极部分和第二栅极电极部分之间并使第一栅极电极部分及第二栅极电极部分互连的第一低电阻部分。第一栅极电极部分及第二栅极电极部分被配置为分别位于第一电路区及第二电路区中，且第一栅极电极部分配置以做为第一电路区中的第一晶体管的栅极电极，而第二栅极电极部分配置以做为第二电路区中的第二晶体管的栅极电极。第二栅极结构包括分别位于第一电路区及第二电路区中的第三栅极电极部分及第四栅极电极部分，以及位于第三栅极电极部分和第四栅极电极部分之间并使第三栅极电极部分和第四栅极电极部分互连的第二低电阻部分。第三栅极电极部分配置以做为第一电路区中的第三晶体管的栅极电极，而第四栅极电极部分配置以做为第二电路区中的第四晶体管的栅极电极。第一栅极结构的第一栅极电极部分和第二栅极电极部分及第二栅极结构的第三栅极电极部分和第四栅极电极部分分别具有沿着第一方向的第一宽度w0，第一低电阻部分及第二低电阻部分分别具有沿着第一方向的第二宽度w，且w与w0的比值(w/w0)至少为1.1。
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该低电阻部分具有沿着该第二方向的一长度l，且l与w0的比值(l/w0)至少为10。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该低电阻部分在从该第一晶体管到该第二晶体管的方向上自一第一端延伸至一第二端，该第一晶体管包括两源极/漏极区两源极/漏极区，且该两源极/漏极区两源极/漏极区位于该第一栅极电极的相对二侧，该低电阻部分在该第二方向上具有从该第一端至该两源极/漏极区两源极/漏极区的一距离d1，且d1与w0的比值(d1/w0)至少为3。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一栅极电极及该第二栅极电极包括一第一材料，且该第一材料具有一第一电阻率，该低电阻部分包括一第二材料，且该第二材料具有一第二电阻率，且该第二电阻率小于该第一电阻率。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：
6.一种半导体装置，其特征在于，包括：
7.一种半导体装置，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一低电阻部分及该第二低电阻部分基本上在该第一方向上对齐。
9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一栅极结构及该第二栅极结构以一第一距离s0及一第二距离s彼此分离，且该第一距离s0是在第一方向上的相应的该第一栅极电极部分、该第二栅极电极部分、该第三栅极电极部分及该第四栅极电极部分之间的距离，而该第二距离s是在该第一方向上的该第一低电阻部分及该第二低电阻部分之间的距离，其中s与s0的比值(s/s0)不大于0.9。
10.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，其中该些栅极结构包括：
