本发明关于一种用于对使用于晶片、圆形基板、角形基板、面板等半导体器件的基板进行处理的基板处理装置，特别是关于具备多个研磨组件的基板处理装置。
背景技术：
1、制造半导体器件时，在晶片上膜状反复地形成许多种类的材料，而形成层叠构造。为了形成该层叠构造，将晶片表面形成平坦的技术很重要。这种将晶片表面平坦化的一种手段，使用进行化学机械研磨(cmp)的研磨装置。
2、研磨装置一般而言具备：安装有研磨垫的研磨台；将晶片按压于研磨台上的研磨垫的研磨头；及向研磨垫供给研磨液的喷嘴。从喷嘴将研磨液供给至研磨垫上，同时通过研磨头将晶片按压于研磨垫，进一步通过使研磨头与研磨垫相对移动来研磨晶片。
3、基板处理装置是如下装置，该装置具有：进行上述的化学机械研磨(cmp)的研磨组件；清洗研磨后的晶片的清洗组件；及使清洗后的晶片干燥的干燥组件。通过研磨组件研磨后的晶片通过搬送机器人搬送至清洗组件及干燥组件，而通过清洗组件及干燥组件进行清洗及干燥。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2010-50436号公报
7、发明要解决的问题
8、基于以多阶段研磨晶片的目的、及同时研磨多个晶片的目的，需要具备多个研磨组件。但是，设置许多研磨组件时，因为某个研磨组件会比其他研磨组件远离清洗组件而配置，虽然将研磨后的晶片搬送至清洗组件却会花费更长的时间。结果，可能导致露出于研磨后的晶片表面的金属被研磨液腐蚀。
技术实现思路
1、因此，本发明提供一种可迅速将研磨后的基板(例如晶片)搬送至清洗组件的基板处理装置。
2、一个方式提供一种基板处理装置，具备用于处理基板的第一处理单元及第二处理单元，所述第一处理单元和所述第二处理单元分别具备：研磨组件，该研磨组件研磨基板；清洗组件，该研磨组件清洗所述基板；干燥组件，该干燥组件使清洗后的所述基板干燥；基板搬送装置，该基板搬送装置从各处理单元的一方侧延伸至相反侧；升降搬送装置，该升降搬送装置将所述基板从所述基板搬送装置搬送至所述研磨组件，并从所述研磨组件搬送至所述清洗组件；及中继搬送装置，该中继搬送装置搬送所述基板，所述第一处理单元的所述中继搬送装置构成为在所述第一处理单元与所述第二处理单元之间搬送所述基板。
3、在一方式中，所述研磨组件和所述清洗组件被升降搬送区域而隔开，在该升降搬送区域的内部具有所述升降搬送装置。
4、在一方式中，所述第一处理单元的所述中继搬送装置配置于所述第一处理单元与所述第二处理单元之间。
5、在一方式中，所述基板搬送装置具备能够在第一位置、第二位置及第三位置停止的基板载台，所述第三位置位于所述第一位置与所述第二位置之间，所述升降搬送装置构成为能够访问位于所述第三位置的所述基板载台。
6、在一方式中，所述第一处理单元的所述基板搬送装置的所述第二位置邻接于所述第二处理单元的所述基板搬送装置的所述第一位置，所述第一处理单元的所述中继搬送装置构成为，能够访问所述第一处理单元的所述基板搬送装置的所述第二位置、以及所述第二处理单元的所述基板搬送装置的所述第一位置双方。
7、在一方式中，所述第一处理单元的所述升降搬送装置和所述中继搬送装置、以及所述第二处理单元的所述升降搬送装置和所述中继搬送装置等间隔地交替排列。
8、在一方式中，所述第一处理单元和所述第二处理单元分别具备多个研磨组件，所述第一处理单元的所述多个研磨组件和所述第二处理单元的所述多个研磨组件等间隔地排列。
9、在一方式中，所述第一处理单元的所述升降搬送装置和所述中继搬送装置与所述第二处理单元的所述升降搬送装置和所述中继搬送装置的排列间隔，与所述第一处理单元的所述多个研磨组件与所述第二处理单元的所述多个研磨组件的排列间隔相同。
10、在一方式中，所述升降搬送装置构成为在将所述基板搬送至所述研磨组件之前搬送至所述清洗组件。
11、在一方式中，所述中继搬送装置构成为将所述基板从所述清洗组件搬送至所述干燥组件。
12、在一方式中，所述第一处理单元的所述中继搬送装置构成为能够访问所述第一处理单元的所述研磨组件和所述第二处理单元的所述研磨组件双方。
13、在一方式中，从所述第一处理单元的所述中继搬送装置到所述第一处理单元的所述研磨组件为止的距离与从所述第一处理单元的所述中继搬送装置到所述第二处理单元的所述研磨组件为止的距离相同。
14、在一方式中，所述第一处理单元的所述中继搬送装置构成为能够访问所述第一处理单元的所述清洗组件和所述第二处理单元的所述清洗组件双方。
15、在一方式中，从所述第一处理单元的所述中继搬送装置到所述第一处理单元的所述清洗组件为止的距离与从所述第一处理单元的所述中继搬送装置到所述第二处理单元的所述清洗组件为止的距离相同。
16、在一方式中，所述基板处理装置还具备动作控制部，该动作控制部控制所述第一处理单元和所述第二处理单元的动作，所述动作控制部计算关于所述第一处理单元内的消耗部件的维护的第一维护指标值与关于所述第二处理单元内的消耗部件的维护的第二维护指标值，所述动作控制部基于所述第一维护指标值和所述第二维护指标值，预测所述第一处理单元的维护时期和所述第二处理单元的维护时期，当所述第一处理单元的预测维护时期与所述第二处理单元的预测维护时期重叠时，所述动作控制部通过改变所述第一处理单元和所述第二处理单元中的至少一方的运转率，从而使所述第一处理单元的预测维护时期与所述第二处理单元的预测维护时期不重叠。
17、在一方式中，所述基板处理装置构成为，当预计所述第一处理单元的维护时期比所述第二处理单元的维护时期更早到达时，所述动作控制部提升所述第一处理单元的运转率，或降低所述第二处理单元的运转率，或提升所述第一处理单元的运转率且降低所述第二处理单元的运转率。
18、在一方式中，所述基板处理装置构成为，当预计所述第二处理单元的维护时期比所述第一处理单元的维护时期更早到达时，所述动作控制部提升所述第二处理单元的运转率，或降低所述第一处理单元的运转率，或提升所述第二处理单元的运转率且降低所述第一处理单元的运转率。
19、一个方式提供一种基板处理装置，具备用于处理基板的第一处理单元、第二处理单元及第三处理单元，所述第一处理单元、所述第二处理单元及第三处理单元分别具备：多个研磨组件，该多个研磨组件研磨基板；清洗组件，该清洗组件清洗基板；干燥组件，该干燥组件使清洗后的基板干燥；基板搬送装置，该基板搬送装置从各处理单元的一方侧延伸至相反侧；升降搬送装置，该升降搬送装置将基板从所述基板搬送装置搬送至所述研磨组件，并从所述研磨组件搬送至所述清洗组件；及中继搬送装置，该中继搬送装置搬送基板，所述第一处理单元的所述中继搬送装置构成为在所述第一处理单元与所述第二处理单元之间搬送所述基板，所述第二处理单元的所述中继搬送装置构成为在所述第二处理单元与所述第三处理单元之间搬送所述基板。
20、在一方式中，所述第一处理单元的所述多个研磨组件、所述第二处理单元的所述多个研磨组件及所述第三处理单元的所述多个研磨组件构成为同时进行多个基板的三阶段研磨。
21、在一方式中，所述基板处理装置还具备动作控制部，该动作控制部控制所述第一处理单元、所述第二处理单元以及所述第三处理单元的动作，所述动作控制部计算关于所述第一处理单元内的消耗部件的维护的第一维护指标值、关于所述第二处理单元内的消耗部件的维护的第二维护指标值以及关于所述第三处理单元内的消耗部件的维护的第三维护指标值，所述动作控制部基于所述第一维护指标值、所述第二维护指标值及所述第三维护指标值，预测所述第一处理单元的维护时期、所述第二处理单元的维护时期以及所述第三处理单元的维护时期，当所述第一处理单元、所述第二处理单元以及所述第三处理单元中的任两个处理单元的预测维护时期重叠时，通过改变所述两个处理单元中的至少一方的运转率，使所述两个处理单元的预测维护时期不重叠。
22、在一方式中，当预计所述两个处理单元中的一方的维护时期比所述两个处理单元中的另一方的维护时期更早到达时，所述动作控制部构成为提升所述两个处理单元中的所述一方的运转率、或降低所述两个处理单元中的所述另一方的运转率、或提升所述两个处理单元中的所述一方的运转率且降低所述两个处理单元中的所述另一方的运转率。
23、发明效果
24、采用本发明时，由于第一处理单元及第二处理单元分别具备研磨组件、清洗组件、及升降搬送装置，因此可在各处理单元中完成基板的研磨及清洗。
1.一种基板处理装置，具备用于处理基板的第一处理单元和第二处理单元，
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，
6.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其中，
9.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
10.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
11.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
12.如权利要求11所述的基板处理装置，其中，
13.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
14.如权利要求13所述的基板处理装置，其中，
15.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
16.如权利要求15所述的基板处理装置，其中，
17.如权利要求15所述的基板处理装置，其中，
18.一种基板处理装置，其中，
19.如权利要求18所述的基板处理装置，其中，
20.如权利要求18所述的基板处理装置，其中，
21.如权利要求20所述的基板处理装置，其中，
