本申请涉及半导体制造的，尤其涉及一种刻蚀损伤修复方法。
背景技术：
1、micro-led(micro light emitting diode，微米量级发光二极管)，其具备亮度高、色域覆盖广和对比度高等优点，受到了各家厂商的追捧，被称为次世代显示技术。
2、目前，在micro-led的制造过程中，需对片源上的透明胶层进行刻蚀，以为电极的成型做准备。透明胶层设于电流扩展层之上，在刻蚀的过程中，不可避免地会存在电流扩展层被刻蚀损伤的情况，使电流扩展层的表面产生大量的空位缺陷，影响了电流扩展层的导电性能，降低了最终制作的发光芯片产品的光电性能。
3、因此，如何修复电流扩展层的刻蚀损伤是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种刻蚀损伤修复方法，旨在解决电流扩展层刻蚀损伤的问题。
2、一种刻蚀损伤修复方法，包括：
3、提供片源，所述片源包括外延层、电流扩展层以及透明胶层，所述电流扩展层设于所述外延层上，所述透明胶层覆盖所述外延层及所述电流扩展层；
4、刻蚀所述透明胶层使所述电流扩展层远离所述外延层的一面部分外露；
5、对所述片源进行退火处理，使所述电流扩展层中的氧原子扩散至所述电流扩展层外露的表面。
6、上述刻蚀损伤修复方法中，在刻蚀透明胶层后，对片源进行退火处理，退火处理时所述电流扩展层中富含的氧原子会向电流扩展层外露的表面扩散。在刻蚀过程中电流扩展层外露的表面处会有刻蚀损伤，具有大量的空位缺陷。通过退火使氧原子向电流扩展层外露的表面扩散，扩散至表面的氧原子会填补电流扩展层表面的空位缺陷形成修复，使得电流扩展层表面的形貌更加平滑，更有利于电流扩展层与电极之间的电接触，电流扩展层的导电性能更好，提高了发光芯片的光电性能。
7、可选地，所述对所述片源进行退火处理之前包括：刻蚀所述透明胶层之后，去除所述电流扩展层远离所述外延层的一面上的残胶。去胶可防止刻蚀后电流扩展层上胶体的残留，电流扩展层与电极之间的电接触更好。
8、可选地，所述去除所述电流扩展层远离所述外延层的一面上的残胶包括：对所述电流扩展层远离所述外延层的一面上外露的表面进行氧气等离子处理。氧气等离子处理可以去除电流扩展层表面的残胶，而且若刻蚀透明胶层采用的是气体刻蚀，等离子处理时的氧气还可与刻蚀气体之间发生化学反应，以防止刻蚀气体在透明胶层的刻蚀孔中的残留，可避免刻蚀气体持续损伤电流扩展层的情况。
1.一种刻蚀损伤修复方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的刻蚀损伤修复方法，其特征在于，所述对所述片源进行退火处理之前包括：
3.如权利要求2所述的刻蚀损伤修复方法，其特征在于，所述去除所述电流扩展层远离所述外延层的一面上的残胶包括：
4.如权利要求3所述的刻蚀损伤修复方法，其特征在于，所述氧气等离子处理的源功率为150w-250w，偏置功率为0w，氧气的流量为80sccm-150sccm，时间为5min-10min。
5.如权利要求3所述的刻蚀损伤修复方法，其特征在于，所述氧气等离子处理与刻蚀所述透明胶层在同一设备中进行。
6.如权利要求3所述的刻蚀损伤修复方法，其特征在于，所述氧气等离子处理采用等离子刻蚀机进行。
7.如权利要求1-6任一项所述的刻蚀损伤修复方法，其特征在于，所述退火处理的温度为600℃-800℃。
8.如权利要求1-6任一项所述的刻蚀损伤修复方法，其特征在于，所述刻蚀所述透明胶层之前包括：
9.如权利要求8所述的刻蚀损伤修复方法，其特征在于，所述第二次退火处理的温度高于所述第一次退火处理的温度。
10.如权利要求1-6任一项所述的刻蚀损伤修复方法，其特征在于，所述刻蚀所述透明胶层包括：
