本揭示内容是关于一种半导体元件。
背景技术：
1、半导体元件被用于各种电子应用(例如，个人计算机、手机、数字相机和其他电子设备)中。通常通过在半导体基材上沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并使用微影来图案化各种材料层以在其上形成电路组件与部件而制造半导体元件。
2、半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来继续提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多组件整合到给定区域中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了应该解决的其他问题。
技术实现思路
1、本揭示内容提供一种半导体元件，包含栅极结构、多个源极/漏极区域、介电层以及栅极接触。多个源极/漏极区域于栅极结构的相对侧上。介电层于栅极结构上方。栅极接触于介电层中，其中栅极接触于栅极结构上方并电性耦合至栅极结构，其中远离栅极结构的栅极接触的上部具有第一宽度，靠近栅极结构的栅极接触的下部具有第二宽度，且介于上部与下部中间的栅极接触的中间部分具有第三宽度，其中第一宽度与第二宽度大于第三宽度。
2、本揭示内容提供一种半导体元件，包含栅极结构、多个源极/漏极区域、介电层、栅极接触、第一保护层以及第二保护层。多个源极/漏极区域于栅极结构的相对侧上。介电层于栅极结构上方。栅极接触于介电层中，其中栅极接触于栅极结构上方并电性耦合至栅极结构，其中远离栅极结构的栅极接触的上部具有第一宽度，靠近栅极结构的栅极接触的下部具有第二宽度，且介于上部与下部中间的栅极接触的中间部分具有第三宽度，其中第一宽度与第二宽度大于第三宽度。第一保护层介于栅极接触与介电层之间。第二保护层介于第一保护层与介电层之间，其中第二保护层沿着介电层的多个侧壁的第一区段接触并延伸，其中第一保护层沿着介电层的多个侧壁的第二区段与第三区段接触并延伸，其中第一区段介于第二区段与第三区段之间，其中第二保护层的端部具有第一倾斜面。
3、本揭示内容提供一种半导体元件，包含栅极结构、多个源极/漏极区域、介电层、栅极接触、第一保护层以及第二保护层。多个源极/漏极区域于栅极结构的相对侧上。介电层于栅极结构上方。栅极接触于介电层中，其中栅极接触于栅极结构上方并电性耦合至栅极结构，其中远离栅极结构的栅极接触的上部具有第一宽度，靠近栅极结构的栅极接触的下部具有第二宽度，且介于上部与下部中间的栅极接触的中间部分具有第三宽度，其中第一宽度与第二宽度大于第三宽度。第一保护层介于栅极接触与介电层之间。第二保护层介于第一保护层与介电层之间，其中第二保护层沿着介电层的多个侧壁的第一区段接触并延伸，其中第一保护层沿着介电层的多个侧壁的第二区段与第三区段接触并延伸，其中第一区段介于第二区段与第三区段之间。第一保护层包含第一子层、第二子层以及第三子层，其中第一子层沿着第二区段与第三区段接触并延伸，第二子层沿着第一子层与第二保护层接触并延伸，且第三子层沿着第二子层接触并延伸。
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包含：
3.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，其中该栅极接触沿着该介电层的所述多个侧壁的一第四区段接触并延伸。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，其中该栅极接触于该第四区段具有一第四宽度，且该第四宽度大于该第三宽度。
5.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，其中该栅极接触自该第二区段往该第一区段具有渐缩的宽度。
6.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，其中该栅极接触自该第一区段往该第三区段具有渐宽的宽度。
7.一种半导体元件，其特征在于，包含：
8.如权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，其中该第一保护层于该第一倾斜面上方具有一第二斜面。
9.一种半导体元件，其特征在于，包含：
10.如权利要求9所述的半导体元件，其特征在于，其中该栅极接触沿着该介电层的所述多个侧壁的一第四区段接触并延伸。
