本技术涉及一种纵向碳化硅器件。
背景技术：
1、碳化硅功率器件应用已经较为广泛，但是为了实现电力电子系统的高性能、高功率密度、低成本。
2、现有的碳化硅功率mosfet存在栅控能力相对较弱的问题，因此，需要较高的栅极电压才能实现器件的完全导通；并且在碳化硅功率器件中的体二极管的续流能力弱，关断时浪涌电流可能会损坏器件。
技术实现思路
1、本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种纵向碳化硅器件，使得器件具备结构简单、制备工艺简单，栅控能力强、栅极驱动损耗小、关态损耗低以及体二极管续流能力强。
2、本实用新型是这样实现的：一种纵向碳化硅器件，包括：
3、一碳化硅衬底，
4、一漂移层，所述漂移层连接至所述碳化硅衬底的上侧面，所述漂移层中部设有源区；
5、一第一栅极绝缘区，所述第一栅极绝缘区底部连接至漂移层，所述第一栅极绝缘区右侧连接至源区左侧；
6、一第二栅极绝缘区，所述第二栅极绝缘区底部连接至漂移层，所述第二栅极绝缘区左侧连接至所述源区右侧；
7、第一栅极金属层，所述第一栅极金属层设于所述第一栅极绝缘区内；
8、第二栅极金属层，所述第二栅极金属层设于所述第二栅极绝缘区内；
9、源极金属层，所述源极金属层连接至所述源区；
10、以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。
11、进一步地，所述碳化硅衬底的厚度为10-100nm。
12、进一步地，所述漂移层的厚度为1000-5000nm。
13、进一步地，所述源区的厚度为100-300nm。
14、进一步地，所述第一栅极绝缘区的厚度为100-500nm，所述第一栅极绝缘区的厚度为100-500nm，所述第一栅极绝缘区和第二栅极绝缘区的厚度均大于或等于所述源区的厚度。
15、本实用新型具有如下优点：该器件具备结构简单、制备工艺简单，栅控能力强、栅极驱动损耗小、关态损耗低以及体二极管续流能力强。
1.一种纵向碳化硅器件，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的一种纵向碳化硅器件，其特征在于：所述碳化硅衬底的厚度为10-100nm。
3.根据权利要求1所述的一种纵向碳化硅器件，其特征在于：所述漂移层的厚度为1000-5000nm。
4.根据权利要求1所述的一种纵向碳化硅器件，其特征在于：所述源区的厚度为100-300nm。
5.根据权利要求1所述的一种纵向碳化硅器件，其特征在于：所述第一栅极绝缘区的厚度为100-500nm，所述第一栅极绝缘区的厚度为100-500nm，所述第一栅极绝缘区和第二栅极绝缘区的厚度均大于或等于所述源区的厚度。
