高耐用性的AR膜及其制备工艺的制作方法

allin2026-05-16  8


本发明属于光学膜,具体涉及高耐用性的ar膜及其制备工艺。


背景技术:

1、ar膜,又称为减反射膜、增透膜,是目前应用最广、产量最大的一种光学薄膜,多作为屏幕保护使用,如车载显示屏、电视、电脑、手机、平板等电子产品上,在电子产品屏幕贴上ar膜后,可以有效减少强光反射对人眼的刺激,使屏幕内容更加清晰可见,同时可以保持较高的透过率和色彩还原度。

2、为了提高ar膜的使用寿命和重复使用次数,ar膜需要具有较高的硬度、抗摩擦性和耐高温性,同时还需要确保具有较优的光学性能,因此,如何使ar膜兼顾优良的光学性能、硬度、抗摩擦性和耐高温性是需要进一步解决的问题。

3、公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。


技术实现思路

1、本发明的目的在于提供高耐用性的ar膜及其制备工艺,ar膜能够同时兼顾光学性能、硬度、耐磨性和耐高温性能。

2、为了实现上述目的,本发明一具体实施例提供的技术方案如下:

3、一种高耐用性的ar膜,包括基材层,所述基材层上依次层叠设有上涂布层、打底层、第一氧化铌层、二氧化硅层、第二氧化铌层、硅铝混合层和防护层;

4、其中,第一氧化铌层和二氧化硅层之间设有氧化锡层或第二氧化铌层和硅铝混合层之间设有氧化锡层;

5、所述氧化锡层厚度为1~20nm。

6、在本发明的一个或多个实施例中,所述硅铝混合层厚度为50~310nm;和/或,

7、所述硅铝混合层中硅铝摩尔比,以硅铝原子计:(85~98):(15~2)。

8、在本发明的一个或多个实施例中,所述第二氧化铌层厚度为5~280nm。

9、在本发明的一个或多个实施例中,所述二氧化硅层厚度为10~260nm。

10、在本发明的一个或多个实施例中,所述第一氧化铌层厚度为5~200nm。

11、在本发明的一个或多个实施例中,所述打底层材质选自sio2、ti、si、al、mgf2、sio、sn和y;和/或,

12、所述打底层厚度为0.1~10nm。

13、在本发明的一个或多个实施例中,所述基材层厚度为5.7~250μm;和/或,

14、所述基材层选自pet层、pi层、srf层、tac层、cop层和pc层。

15、本发明另一具体实施例提供的技术方案如下:

16、高耐用性的ar膜的制备工艺,包括如下步骤:

17、在基材层的双面分别涂布上涂布层和下涂布层,在下涂布层上设置高温保护膜;

18、在上涂布层上依次镀设打底层、第一氧化铌层、氧化锡层、二氧化硅层、第二氧化铌层和硅铝混合层;或,在上涂布层上依次镀设打底层、第一氧化铌层、二氧化硅层、第二氧化铌层、氧化锡层和硅铝混合层;

19、在硅铝混合层上设置防护层,在防护层上设置正保护膜。

20、在本发明的一个或多个实施例中,所述上涂布层厚度为50~500nm,所述下涂布层厚度为0.2~4.1μm,所述上涂布层和下涂布层均由涂布丙烯酸树脂涂布液形成。

21、在本发明的一个或多个实施例中,所述防护层由涂布af涂布液形成,厚度为2~190nm。

22、与现有技术相比,本发明的ar膜通过设置氧化锡层有效提高了硬度、耐磨性和耐高温性能,同时结合其他层结构的配合,也具备了优良的光学性能。



技术特征:

1.一种高耐用性的ar膜,其特征在于,包括基材层,所述基材层上依次层叠设有上涂布层、打底层、第一氧化铌层、二氧化硅层、第二氧化铌层、硅铝混合层和防护层;

2.根据权利要求1所述的高耐用性的ar膜,其特征在于,所述硅铝混合层厚度为50~310nm;和/或,

3.根据权利要求1所述的高耐用性的ar膜,其特征在于,所述第二氧化铌层厚度为5~280nm。

4.根据权利要求1所述的高耐用性的ar膜,其特征在于,所述二氧化硅层厚度为10~260nm。

5.根据权利要求1所述的高耐用性的ar膜,其特征在于,所述第一氧化铌层厚度为5~200nm。

6.根据权利要求1所述的高耐用性的ar膜,其特征在于,所述打底层材质选自sio2、ti、si、al、mgf2、sio、sn和y;和/或,

7.根据权利要求1所述的高耐用性的ar膜,其特征在于,所述基材层厚度为5.7~250μm;和/或,

8.权利要求1-7任一项所述的一种高耐用性的ar膜的制备工艺,其特征在于,包括如下步骤:

9.根据权利要求8所述的高耐用性的ar膜的制备工艺,其特征在于,所述上涂布层厚度为50~500nm,所述下涂布层厚度为0.2~4.1μm,所述上涂布层和下涂布层均由涂布丙烯酸树脂涂布液形成。

10.根据权利要求8所述的高耐用性的ar膜的制备工艺,其特征在于,所述防护层由涂布af涂布液形成,厚度为2~190nm。


技术总结
本发明公开了高耐用性的AR膜,包括基材层,所述基材层上依次层叠设有上涂布层、打底层、第一氧化铌层、二氧化硅层、第二氧化铌层、硅铝混合层和防护层;其中,第一氧化铌层和二氧化硅层之间设有氧化锡层或第二氧化铌层和硅铝混合层之间设有氧化锡层;所述氧化锡层厚度为1~20nm。本发明中的AR膜在保持较优的光学性能的同时,又具有较高的耐磨性和耐高温性,整体的使用性能表现优良。

技术研发人员:高毓康,陈超,王志坚,陈涛,赵飞
受保护的技术使用者:浙江日久新材料科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/10/31
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