本申请属于光伏加工，具体涉及一种炉体和晶体生长装置。
背景技术：
1、近年来，光伏发电作为绿色能源以及人类可持续发展的主要能源的一种，日益受到世界各国的重视并得到大力发展。单晶硅片作为光伏发电的一种基础材料，有着广泛的市场需求。单晶硅片通常由单晶硅棒进行切片处理得到，单晶硅棒则可以由硅料生长拉制而成。在具体的应用中，单晶炉内通常设置有加热器，以通过加热器提供热量熔化硅料，为了便于操作人员在单晶炉炉体外进行操作，单晶炉炉体的温度通常需要控制在一定的范围之内。
2、现有的技术中，为了将单晶炉炉体的温度控制到合适的范围，通常需要将单晶炉炉体上设置水冷夹层。在单晶炉工作时，根据工艺需求向水冷夹层内通入冷却介质，以达到冷却降温的目的。然而，尽管冷却介质可以循环利用，在冷却介质循环过程中炉内热量只能通过耗散进入环境，无法被有效利用，极大的提高了单晶炉的功耗，从而，提高了单晶硅棒的生产成本。
技术实现思路
1、本申请旨在提供一种炉体和晶体生长装置，以解决现有的晶体生长装置功耗较大，拉晶生产成本高的问题。
2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
3、第一方面，本申请公开了一种炉体，用于晶体生长装置，所述炉体包括：底座、筒状的侧板以及炉盖；其中，
4、所述侧板的底部连接于所述底座，所述炉盖连接在所述侧板的顶部，所述底座、所述侧板以及所述炉盖围合形成用于进行晶体生长的第一真空腔；
5、所述侧板内设置有至少一第二真空腔。
6、可选地，所述第二真空腔的真空度小于所述第一真空腔的真空度。
7、可选地，所述第二真空腔的真空度小于或者等于100毫托。
8、可选地，所述侧板内上还设有冷却通道，所述冷却通道用于容纳冷却介质；其中，
9、所述冷却通道与所述第二真空腔彼此不连通。
10、可选地，所述第二真空腔和所述冷却通道沿所述炉体的径向设置，且所述第二真空腔靠近所述侧板的内侧。
11、可选地，所述侧板包括沿所述炉体的径向间隔设置的外侧壁和内侧壁，以及设置在所述外侧壁和所述内侧壁之间连接壁；其中，
12、所述内侧壁、所述连接壁、所述炉盖以及所述底座之间围合形成所述第二真空腔；
13、所述外侧壁、所述连接壁、所述炉盖以及所述底座之间围合形成所述冷却通道。
14、第二方面，本申请还公开了一种晶体生长装置，所述晶体生长装置包括：上述任一项所述的炉体以及设置在所述炉体内的坩埚、加热器、保温结构；其中，
15、所述加热器至少部分设置在所述坩埚的侧面，所述保温结构套设在所述加热器外；
16、所述保温结构沿所述炉体径向的厚度满足第一预设范围。
17、可选地，所述保温结构包括保温筒以及保温毡；其中，
18、所述保温筒套设在所述加热器外且与所述加热器间隔设置；
19、所述保温毡套设在所述保温筒外且与所述炉体内侧壁间隔设置，所述保温毡沿所述炉体径向的厚度满足第二预设范围。
20、可选地，所述第一预设范围为240-360毫米，所述第二预设范围为120-180毫米。
21、可选地，所述炉体的侧板在与所述保温结构相邻的一侧设置有反射件，所述反射件的反射率满足第三预设范围
22、可选地，所述第三预设范围大于或者等于0.9。
23、本申请实施例中，由于所述炉体的侧板内设置有第二真空腔。在具体的应用中，所述第二真空腔可以用于隔热，避免所述炉体内的第一真空腔的热量传递至所述侧板外侧，降低所述侧板外侧的温度，便于操作人员在所述炉体外进行操作。这样，通过改善保温条件达到降温的效果，可以避免被冷却介质带走的能量损耗，实现降功耗的目的，降低所述单晶硅棒的拉制成本。
24、本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
1.一种炉体，其特征在于，所述炉体包括：底座、筒状的侧板以及炉盖；其中，
2.根据权利要求1所述的炉体，其特征在于，所述第二真空腔的真空度小于所述第一真空腔的真空度。
3.根据权利要求1所述的炉体，其特征在于，所述第二真空腔的真空度小于或者等于100毫托。
4.根据权利要求1所述的炉体，其特征在于，所述侧板内还设有冷却通道，所述冷却通道用于容纳冷却介质；其中，
5.根据权利要求4所述的炉体，其特征在于，所述第二真空腔和所述冷却通道沿所述炉体的径向设置，且所述第二真空腔靠近所述侧板的内侧。
6.根据权利要求5所述的炉体，其特征在于，所述侧板包括沿所述炉体的径向间隔设置的外侧壁和内侧壁，以及设置在所述外侧壁和所述内侧壁之间连接壁；其中，
7.一种晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置包括：权利要求1至6任一项所述的炉体以及设置在所述炉体内的坩埚、加热器、保温结构；其中，
8.根据权利要求7所述的晶体生长装置，其特征在于，所述保温结构包括保温筒以及保温毡；其中，
9.根据权利要求8所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第一预设范围为240－360毫米，所述第二预设范围为120－180毫米。
10.根据权利要求7所述的晶体生长装置，其特征在于，所述炉体的侧板在与所述保温结构相邻的一侧设置有反射件，所述反射件的反射率满足第三预设范围。
11.根据权利要求10所述的晶体生长装置，其特征在于，所述第三预设范围大于或者等于0.9。
