本发明属于硬脆晶体超精密加工领域，具体是一种光催化辅助化学机械抛光液及其制备方法。
背景技术：
1、在微电子器件制造过程中，需要制备高质量且平坦的材料表面，一般使用化学机械抛光(cmp)表面处理技术。cmp广泛应用于半导体、集成电路、光电子器件、光纤通信等领域的材料加工，通过化学反应和机械磨削的共同作用，从而实现更好的表面平整度和光洁度。
2、申请号为202010521251.x的文献公开了一种硅片边抛补液系统、补液方法及硅片边抛方法，其从抛光过程入手，对抛光液ph进行控制，并在边缘抛光过程中及时补加液体维持抛光性能的稳定。但此抛光方法存在表面质量不均匀、材料去除难以控制、工艺复杂性和环境影响等缺点，因此需要一种能够提高抛光效率和表面质量的抛光技术，从而实现更好的抛光材料表面平整度、光洁度以及抛光效率。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本发明拟解决的技术问题是，提供一种光催化辅助化学机械抛光液及其制备方法和应用。
2、本发明解决所述抛光液技术问题的技术方案是，提供一种光催化辅助化学机械抛光液，其特征在于，该化学机械抛光液由磨料、氧化剂、表面活性剂、ph调节剂和去离子水组成。
3、本发明解决所述制备方法技术问题的技术方案是，提供一种所述光催化辅助化学机械抛光液的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：
4、s1、在搅拌的条件下，将磨料、氧化剂和表面活性剂加入到去离子水中，搅拌均匀后，制得混合液；
5、s2、在搅拌的条件下，将ph调节剂加入到混合液中，搅拌均匀后，得到ph为8～11.5的化学机械抛光液。
6、本发明解决所述应用技术问题的技术方案是，提供一种所述光催化辅助化学机械抛光液的应用，其特征在于，将该化学机械抛光液与光源配合，用于化学机械抛光的精抛过程。
7、与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
8、(1)本发明研制的化学机械抛光液呈碱性，对设备腐蚀性小，制备工艺简单且绿色环保，便于清洗，相较于传统化学机械抛光方法，抛光效率提升了3～4倍左右，极大地提高了化学机械抛光效率，能够获得高效低损伤、良好的表面质量和粗糙度、光滑平坦化的抛光材料表面。
9、(2)本发明采用二氧化铈作为化学机械抛光的磨料。二氧化铈的硬度适中，能够有效地去除表面的凸起物和微小缺陷，同时不会过度损伤基材；颗粒尺寸均匀，使用二氧化铈磨料进行抛光能够获得较为均匀的表面光洁度和质量；二氧化铈在使用和处理过程中对环境的影响较小，符合环保要求。
10、(3)本发明基于光催化抛光加工原理，将化学机械抛光液与光源配合，用于化学机械抛光的精抛过程。光源使得化学机械抛光液生成具有强氧化性的自由基，增强化学机械抛光液对抛光材料的氧化作用，提高化学作用去除的效率。
1.一种光催化辅助化学机械抛光液，其特征在于，该化学机械抛光液由磨料、氧化剂、表面活性剂、ph调节剂和去离子水组成。
2.根据权利要求1所述的光催化辅助化学机械抛光液，其特征在于，化学机械抛光液中，磨料的质量分数为0.1～5wt.％，氧化剂的质量分数为0.1～10wt.％，表面活性剂的质量分数为0.1～10wt.％，ph调节剂用于将化学机械抛光液的ph调节为8～11.5，其余为去离子水，各组分质量之和为100％。
3.根据权利要求1所述的光催化辅助化学机械抛光液，其特征在于，磨料为二氧化铈；氧化剂为过氧化氢；表面活性剂为聚乙烯吡咯烷酮；ph调节剂为碱。
4.根据权利要求3所述的光催化辅助化学机械抛光液，其特征在于，二氧化铈的粒径为30～200nm；碱采用无机碱。
5.一种权利要求1-4任一所述光催化辅助化学机械抛光液的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的光催化辅助化学机械抛光液的制备方法，其特征在于，步骤s1和s2中，搅拌的转速为100～1000rpm，时间为30～900s，温度为室温。
7.一种权利要求1-4任一所述光催化辅助化学机械抛光液的应用，其特征在于，将该化学机械抛光液与光源(6)配合，用于化学机械抛光的精抛过程。
8.根据权利要求7所述的光催化辅助化学机械抛光液的应用，其特征在于，光源(6)采用紫外光。
9.根据权利要求7所述的光催化辅助化学机械抛光液的应用，其特征在于，应用的具体步骤如下：
10.根据权利要求9所述的光催化辅助化学机械抛光液的应用，其特征在于，步骤(1)中，光源(6)悬挂在抛光垫(4)上方15～50cm位置处；
