本公开一般而言涉及晶体管领域，并且更具体地涉及也称为hemt的高电子迁移率晶体管领域。
背景技术：
1、hemt晶体管依赖于异质结，该异质结具有在其表面形成的二维电子气(也称为2deg)。
2、存在改进hemt晶体管及其制造方法的需要。
技术实现思路
1、为了实现这一点，实施例提供了一种hemt晶体管，包括：
2、-第一半导体层；
3、-布置在第一半导体层的第一表面上的栅极；
4、-在栅极的侧面上由第一材料制成的第一钝化层，第一钝化层进一步在第一半导体层的所述表面的第一部分上方延伸；
5、-在第一半导体层的所述表面的与第一钝化层相邻的第二部分上由与第一材料不同的第二材料制成的第二钝化层。
6、根据实施例，第一半导体层基于氮化镓。
7、根据实施例，第一半导体层由氮化铝镓制成。
8、根据实施例，第一钝化层由氧化铝制成。
9、根据实施例，第二钝化层由氮化铝制成。
10、根据实施例，hemt晶体管包括与第一半导体层的与第一表面相对的第二表面接触的第二半导体层。
11、根据实施例，第二半导体层由氮化镓制成。
12、根据实施例，hemt晶体管包括分别布置在栅极的任意侧的源极接触金属化部和漏极接触金属化部。
13、根据实施例，钝化层仅在栅极与漏极接触金属化部之间的表面的一部分上方从栅极朝漏极接触金属化部横向延伸。
14、根据实施例，钝化层从栅极横向延伸至源极接触金属化部。
15、根据实施例，第二钝化层从位于栅极和漏极接触金属化部之间的第一钝化层的边缘横向延伸至漏极接触金属化部。
16、根据实施例，第一钝化层覆盖有绝缘层。
17、根据实施例，第二钝化层覆盖位于栅极和漏极接触金属化部之间的绝缘层的侧面，并且在绝缘层的一部分上方朝栅极延伸。
18、另一个实施例提供了一种形成hemt晶体管的方法，包括以下连续步骤：
19、a)形成第一半导体层；
20、b)在第一半导体层的第一表面上形成栅极；
21、c)在栅极的侧面上形成由第一材料制成的第一钝化层，第一钝化层进一步在第一半导体层的所述表面的第一部分上方延伸；以及
22、d)在第一半导体层的所述表面的与第一钝化层相邻的第二部分上形成由与第一材料不同的第二材料制成的第二钝化层。
1.一种hemt晶体管，其特征在于，所述hemt晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的hemt晶体管，其特征在于，第一半导体层基于氮化镓。
3.根据权利要求2所述的hemt晶体管，其特征在于，第一半导体层由氮化铝镓制成。
4.根据权利要求1所述的hemt晶体管，其特征在于，第一钝化层由氧化铝制成。
5.根据权利要求1所述的hemt晶体管，其特征在于，第二钝化层由氮化铝制成。
6.根据权利要求1所述的hemt晶体管，其特征在于，所述hemt晶体管包括与第一半导体层的与第一表面相对的第二表面接触的第二半导体层。
7.根据权利要求6所述的hemt晶体管，其特征在于，第二半导体层由氮化镓制成。
8.根据权利要求1所述的hemt晶体管，其特征在于，所述hemt晶体管包括分别布置在栅极两侧的源极接触金属化部和漏极接触金属化部。
9.根据权利要求8所述的hemt晶体管，其特征在于，第一钝化层仅在栅极与漏极接触金属化部之间的第一表面的一部分上方从栅极朝漏极接触金属化部横向延伸。
10.根据权利要求8所述的hemt晶体管，其特征在于，第一钝化层从栅极横向延伸至源极接触金属化部。
11.根据权利要求8所述的hemt晶体管，其特征在于，第二钝化层从位于栅极和漏极接触金属化部之间的第一钝化层的边缘横向延伸至漏极接触金属化部。
12.根据权利要求1所述的hemt晶体管，其特征在于，第一钝化层覆盖有绝缘层。
13.根据权利要求12所述的hemt晶体管，其特征在于，第二钝化层覆盖所述绝缘层的位于栅极和漏极接触金属化部之间的侧面，并且在绝缘层的一部分上方朝栅极延伸。
