本公开涉及半导体，特别涉及一种发光二极管芯片及其制备方法、显示器件。
背景技术：
1、发光二极管(light emitting diode，led)因具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，目前已经被广泛应用于显示器件中。
2、相关技术中，led芯片的制备方法包括：在蓝宝石晶圆上形成多个发光单元，蓝宝石晶圆具有相连的平边和圆弧边，发光单元在蓝宝石晶圆上的正投影为矩形投影，多个发光单元间隔分布，相邻的发光单元之间形成有切割道；在各个发光单元上分别形成连接电极层，连接电极层包括第一连接电极和第二连接电极，同一发光单元上的第一连接电极和第二连接电极沿第一方向排列，该第一方向与平边平行或垂直，且该第一方向为矩形投影的长度方向；沿切割道划裂蓝宝石晶圆，得到多个led芯片。
3、然而，受蓝宝石晶格影响，沿切割道划裂蓝宝石晶圆会在蓝宝石衬底的侧壁产生斜裂，即蓝宝石衬底的侧壁与蓝宝石衬底的底面不完全垂直，第一方向与平边平行或垂直，会使得划裂得到的多个led芯片中蓝宝石衬底的侧壁的斜裂角度(即侧壁偏离底面的垂直面的角度)较大，并且相对于从第一连接电极到第二连接电极的方向，斜裂方向均相同，这样会导致led芯片的光型不对称或者应用led芯片的显示器件的光型不对称。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制备方法、显示器件，能使led芯片的发光光型或应用led芯片的显示器件的光型更加对称。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种发光二极管芯片的制备方法，包括：在蓝宝石晶圆上形成多个发光单元，所述蓝宝石晶圆具有相连的平边和圆弧边，所述发光单元在所述蓝宝石晶圆上的正投影为矩形投影，所述多个发光单元间隔分布，相邻的所述发光单元之间形成有切割道；在各个所述发光单元上分别形成连接电极层，所述连接电极层包括第一连接电极和第二连接电极，每个所述发光单元上的所述第一连接电极均沿第一方向指向所述第二连接电极，所述第一方向与所述平边之间的夹角为30°至60°，所述第一方向为所述矩形投影的长度方向；或者，一部分所述发光单元上的所述第一连接电极沿第二方向指向所述第二连接电极，所述第二方向为所述矩形投影的长度方向，另一部分所述发光单元上的所述第一连接电极沿第三方向指向所述第二连接电极，所述第三方向与所述第二方向相反；沿所述切割道划裂所述蓝宝石晶圆，得到多个发光二极管芯片。
3、可选地，每个所述发光单元上的所述第一连接电极均沿所述第一方向指向所述第二连接电极；所述在各个所述发光单元上分别形成连接电极层，包括：在所述蓝宝石晶圆上和所述发光单元上涂覆一层光刻胶材料；在第一光刻板的遮挡下对所述光刻胶材料进行曝光，所述第一光刻板具有阵列布置的多个第一光刻图形，所述第一光刻图形包括第一连接电极图形和第二连接电极图形，所述第一光刻图形中所述第一连接电极图形沿所述第一方向指向所述第二连接电极图形；对所述光刻胶材料进行显影，得到第一光刻胶层；在所述发光单元上和所述第一光刻胶层上形成电极材料层；去除所述第一光刻胶层以及所述第一光刻胶层上的电极材料层，得到所述连接电极层。
4、可选地，一部分所述发光单元上的所述第一连接电极沿所述第二方向指向所述第二连接电极，另一部分所述发光单元上的所述第一连接电极沿所述第三方向指向所述第二连接电极，两部分所述发光单元分别位于所述平边的中垂线的两侧。
5、可选地，所述在各个所述发光单元上分别形成连接电极层，包括：在所述蓝宝石晶圆上和所述发光单元上涂覆一层光刻胶材料；在第二光刻板的遮挡下对所述光刻胶材料进行曝光，所述第二光刻板具有阵列布置的多个第二光刻图形和阵列布置的多个第三光刻图形，所述多个第二光刻图形和所述多个第三光刻图形分别位于所述第二光刻板的中心线的两侧，所述第二光刻图形包括第一连接电极图形和第二连接电极图形，所述第二光刻图形中所述第一连接电极图形沿所述第二方向指向所述第二连接电极图形，所述第三光刻图形包括所述第一连接电极图形和所述第二连接电极图形，所述第三光刻图形中所述第一连接电极图形沿所述第三方向指向所述第二连接电极图形；对所述光刻胶材料进行显影，得到第二光刻胶层；在所述发光单元上和所述第二光刻胶层上形成电极材料层；去除所述第二光刻胶层以及所述第二光刻胶层上的电极材料层，得到所述连接电极层。
6、另一方面，提供了一种发光二极管芯片的制备方法，包括：在第一蓝宝石晶圆上和第二蓝宝石晶圆上分别形成多个发光单元，所述第一蓝宝石晶圆具有相连的平边和圆弧边，所述第二蓝宝石晶圆具有相连的所述平边和所述圆弧边，所述第一蓝宝石晶圆上的发光单元在所述第一蓝宝石晶圆上的正投影和所述第二蓝宝石晶圆上的发光单元在所述第二蓝宝石晶圆上的正投影均为矩形投影，所述多个发光单元间隔分布，相邻的所述发光单元之间形成有切割道；在各个所述发光单元上分别形成连接电极层，所述连接电极层包括第一连接电极和第二连接电极，所述第一蓝宝石晶圆上的每个发光单元上的所述第一连接电极均沿第二方向指向所述第二连接电极，所述第二方向为所述矩形投影的长度方向，所述第二蓝宝石晶圆上的每个发光单元上的所述第一连接电极均沿第三方向指向所述第二连接电极，所述第三方向与所述第二方向相反；沿所述切割道划裂所述第一蓝宝石晶圆和所述第二蓝宝石晶圆，得到多个发光二极管芯片。
7、可选地，所述在各个所述发光单元上分别形成连接电极层，包括：在所述第一蓝宝石晶圆上、所述第一蓝宝石晶圆上的发光单元上、所述第二蓝宝石晶圆上和所述第二蓝宝石晶圆上的发光单元上分别涂覆一层光刻胶材料；在第三光刻板的遮挡下对所述第一蓝宝石晶圆上和所述第一蓝宝石晶圆上的发光单元上的光刻胶材料进行曝光，并且在第四光刻板的遮挡下对所述第二蓝宝石晶圆上和所述第二蓝宝石晶圆上的发光单元上的光刻胶材料进行曝光，所述第三光刻板具有阵列布置的多个第二光刻图形，所述第二光刻图形包括第一连接电极图形和第二连接电极图形，所述第二光刻图形中所述第一连接电极图形沿所述第二方向指向所述第二连接电极图形，所述第四光刻板具有阵列布置的多个第三光刻图形，所述第三光刻图形包括所述第一连接电极图形和所述第二连接电极图形，所述第三光刻图形中所述第一连接电极图形沿所述第三方向指向所述第二连接电极图形；对所述光刻胶材料进行显影，分别得到第三光刻胶层和第四光刻胶层；在所述第三光刻胶层和所述第四光刻胶层上形成电极材料层；去除所述第三光刻胶层上以及所述第三光刻胶层上的电极材料层和所述第四光刻胶层以及所述第四光刻胶层上的电极材料层，得到所述连接电极层。
8、可选地，所述第二方向与所述平边平行或垂直。
9、可选地，所述发光单元包括依次叠层的发光结构和透明导电层，所述发光结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述发光结构具有从所述第二半导体层的远离所述发光层的表面向所述第一半导体层延伸的台面；所述透明导电层位于所述第二半导体层上且与所述第二半导体层连接；所述第一连接电极位于所述台面上且与所述第一半导体层连接；所述第二连接电极位于所述透明导电层的远离所述第二半导体层的一侧且与所述透明导电层连接；在形成所述连接电极层之后，所述方法还包括：在所述连接电极层上形成钝化层，所述钝化层包覆所述连接电极层，所述钝化层具有露出所述第一半导体层的第一通孔和露出所述透明导电层的第二通孔；在所述钝化层上形成焊盘电极层，所述焊盘电极层包括第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极通过所述第一通孔与所述第一连接电极连接，所述第二焊盘电极通过所述第二通孔与所述第二连接电极连接。
10、又一方面，提供了一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片采用前述任一种制备方法制备。
11、又一方面，提供了一种显示器件，包括基板和多个发光二极管芯片，所述多个发光二极管芯片阵列布置在所述基板上，且所述多个发光二极管芯片中的至少一个发光二极管芯片采用前述任一种制备方法制备。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
13、本公开实施例中，第一连接电极沿第一方向指向第二连接电极，第一方向与平边之间的夹角为30°至60°，第一方向为矩形投影的长度方向，由于蓝宝石衬底的斜裂角度受蓝宝石晶格和划裂方向影响，这样沿切割道划裂得到的led芯片中蓝宝石衬底的侧壁的斜裂角度较小，led芯片的发光光型更加对称，应用led芯片的显示器件的光型更加对称。或者，一部分发光单元上的第一连接电极沿第二方向指向第二连接电极，另一部分发光单元上的第一连接电极沿第三方向指向第二连接电极；或者，第一蓝宝石晶圆上的每个发光单元上的第一连接电极均沿第二方向指向第二连接电极，第二蓝宝石晶圆上的每个发光单元上的第一连接电极均沿第三方向指向第二连接电极，第二方向为矩形投影的长度方向，第三方向与第二方向相反，这样沿切割道划裂得到的多个led芯片中，相对于从第一连接电极到第二连接电极的方向，存在两种蓝宝石衬底的侧壁的斜裂方向相反的led芯片，将两种斜裂方向相反的led芯片应用到同一显示器件中，可以使显示器件的光型更加对称。
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，每个所述发光单元(20)上的所述第一连接电极(41)均沿所述第一方向指向所述第二连接电极(42)；
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，一部分所述发光单元(20)上的所述第一连接电极(41)沿所述第二方向指向所述第二连接电极(42)，另一部分所述发光单元(20)上的所述第一连接电极(41)沿所述第三方向指向所述第二连接电极(42)，两部分所述发光单元(20)分别位于所述平边(11)的中垂线的两侧。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述在各个所述发光单元(20)上分别形成连接电极层(40)，包括：
5.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在各个所述发光单元(20)上分别形成连接电极层(40)，包括：
7.根据权利要求1至6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二方向与所述平边(11)平行或垂直。
8.根据权利要求1至6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述发光单元(20)包括依次叠层的发光结构(21)和透明导电层(23)，
9.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片采用如权利要求1至8任一项所述的制备方法制备。
10.一种显示器件，其特征在于，包括基板和多个发光二极管芯片，所述多个发光二极管芯片阵列布置在所述基板上，且所述多个发光二极管芯片中的至少一个发光二极管芯片采用如权利要求1至8任一项所述的制备方法制备。
