本技术属于继电器领域，涉及一种继电器的引弧和防尘结构。
背景技术：
1、现有的大功率继电器缺少密封结构，在使用环境下灰尘会进入触点导致接触不良，接触不良会产生高温损坏结构部件、高温也会加速触点的消耗，对寿命影响较大。
2、现有继电器当电流通过触点产生电弧时，电弧不能迅速地向外扩散，电弧会对触点产生烧蚀，提高继电器触点的工作温升，会影响继电器的电寿命和机械寿命。
技术实现思路
1、本实用新型为了克服至少一个现有技术的不足，提供一种继电器的引弧和防尘结构。
2、为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：一种继电器的引弧和防尘结构,包括引弧结构和防尘结构，防尘结构设置在继电器的外壳，通过防尘结构将外壳密封，继电器包括静触头机构，静触头机构包括上静触头和下静触头，引弧结构设置在上静触头和下静触头。
3、进一步的，所述外壳包括第一壳体、转移壁和第三壳体，转移壁和第三壳体分别固设在第一壳体，静触头机构设置在外壳内部。
4、进一步的，所述防尘结构设置在第一壳体和第三壳体的安装间隙。
5、进一步的，所述防尘结构包括横杆和竖杆，横杆还设有固定板，竖杆还设有侧板，固定板和侧板设置在转移壁和第三壳体的间隙。
6、进一步的，所述第三壳体与竖杆相对的端面设为倾斜面，竖杆与第三壳体相对的端面设为倾斜面，第三壳体与竖杆的倾斜面贴合设置。
7、进一步的，所述转移壁设有第二安装腔，第二安装腔设有隔块和引弧结构，引弧结构位于隔块和第二安装腔腔壁之间，通过引弧结构和隔块将第二安装腔的内外两侧隔离。
8、进一步的，所述第三壳体固设有若干限制板，防尘结构两端面分别与第三壳体和限制板贴合设置。
9、进一步的，所述防尘结构还设有限位组件，通过限位组件将防尘结构与外壳限位安装。
10、进一步的，所述限位组件包括扣块、限位块和侧限制块，扣块设置在一组横杆，第一壳体设有扣孔，扣块扣入扣孔，限位块设置在另一组横杆，第一壳体设置在限位块，侧限制块设置在竖杆，侧限制块位于第一壳体的外侧且与第一壳体贴合设置。
11、进一步的，所述引弧结构设有开口槽，上静触头和下静触头位于开口槽内，引弧结构两侧分别设有第一侧板和第二侧板，第一侧板高度小于第二侧板，第一侧板与引弧结构之间的间距大于上静触头和下静触头与引弧结构之间的间距。
12、综上所述，本实用新型的有益之处在于：
13、1)本实用新型通过防尘结构将继电器的外壳密封，防止灰尘进入继电器内部，保证触点不会因为灰尘造成接触不良，从而提高继电器使用寿命。
14、2)本实用新型通过引弧结构实现当电流通过触点产生电弧时，能及时地在引弧结构的作用下将电弧向转移壁转移，电弧迅速地向外扩散，减低了电弧对触点的烧蚀，降低了继电器触点的工作温升，达到了延长继电器电寿命和机械寿命的目的。
1.一种继电器的引弧和防尘结构,其特征在于：包括引弧结构和防尘结构，防尘结构设置在继电器的外壳，通过防尘结构将外壳密封，继电器包括静触头机构，静触头机构包括上静触头和下静触头，引弧结构设置在上静触头和下静触头。
2.根据权利要求1所述的一种继电器的引弧和防尘结构，其特征在于：所述外壳包括第一壳体、转移壁和第三壳体，转移壁和第三壳体分别固设在第一壳体，静触头机构设置在外壳内部。
3.根据权利要求2所述的一种继电器的引弧和防尘结构，其特征在于：所述防尘结构设置在第一壳体和第三壳体的安装间隙。
4.根据权利要求2所述的一种继电器的引弧和防尘结构，其特征在于：所述防尘结构包括横杆和竖杆，横杆还设有固定板，竖杆还设有侧板，固定板和侧板设置在转移壁和第三壳体的间隙。
5.根据权利要求4所述的一种继电器的引弧和防尘结构，其特征在于：所述第三壳体与竖杆相对的端面设为倾斜面，竖杆与第三壳体相对的端面设为倾斜面，第三壳体与竖杆的倾斜面贴合设置。
6.根据权利要求2所述的一种继电器的引弧和防尘结构，其特征在于：所述转移壁设有第二安装腔，第二安装腔设有隔块和引弧结构，引弧结构位于隔块和第二安装腔腔壁之间，通过引弧结构和隔块将第二安装腔的内外两侧隔离。
7.根据权利要求2所述的一种继电器的引弧和防尘结构，其特征在于：所述第三壳体固设有若干限制板，防尘结构两端面分别与第三壳体和限制板贴合设置。
8.根据权利要求4所述的一种继电器的引弧和防尘结构，其特征在于：所述防尘结构还设有限位组件，通过限位组件将防尘结构与外壳限位安装。
9.根据权利要求8所述的一种继电器的引弧和防尘结构，其特征在于：所述限位组件包括扣块、限位块和侧限制块，扣块设置在一组横杆，第一壳体设有扣孔，扣块扣入扣孔，限位块设置在另一组横杆，第一壳体设置在限位块，侧限制块设置在竖杆，侧限制块位于第一壳体的外侧且与第一壳体贴合设置。
10.根据权利要求1所述的一种继电器的引弧和防尘结构，其特征在于：所述引弧结构设有开口槽，上静触头和下静触头位于开口槽内，引弧结构两侧分别设有第一侧板和第二侧板，第一侧板高度小于第二侧板，第一侧板与引弧结构之间的间距大于上静触头和下静触头与引弧结构之间的间距。
