本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质。
背景技术：
1、在半导体装置的制造工序中的基板处理中，例如使用专利文献1所记载那样的基板处理装置。在这种基板处理装置中，在处理基板的处理空间配置基板，向处理空间内供给处理气体来处理基板。另外，设置进行处理空间内的排气的排气部，进行处理空间内的排气。
2、现有技术文献
3、专利文献1：日本特开2020-49575号公报
技术实现思路
1、发明要解决的课题
2、在上述专利文献1所记载的技术中，在向处理容器供给处理气体的处理气体供给配管的内部残留处理气体，该处理气体可能影响到基板处理。
3、本公开提供一种在使用处理气体对基板进行处理的基板处理装置中能够降低残留在处理气体供给配管的内部的处理气体的影响的技术。
4、用于解决课题的手段
5、根据本公开的一方式，提供一种技术，具有：处理容器，其对基板进行处理；处理气体供给部，其供给对所述基板进行处理的处理气体；处理气体供给配管，其与所述处理气体供给部和所述处理容器连接，向所述处理容器供给所述处理气体；排气部，其设置于所述处理气体供给配管；控制部，其能够以从所述排气部排出所述处理气体供给配管内的残留气体的方式进行控制。
6、发明效果
7、根据本公开，在使用处理气体对基板进行处理的基板处理装置中，能够降低残留在处理气体供给配管的内部的处理气体的影响。
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
11.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
14.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：
15.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
16.一种记录有程序的计算机可读取的记录介质，其特征在于，
17.根据权利要求16所述的记录介质，其特征在于，
