本发明是关于一种抑制电串扰的半导体结构。
背景技术：
1、半导体结构可用于光子集成电路(pic)中以执行各种功能。用于pic之半导体结构可包含用于控制光之传播之被动组件及有源组件。亦期望控制一pic中之电之流动。
技术实现思路
1、揭示一种用于一光子集成电路之半导体结构。该半导体结构包括：一波导；该光子集成电路之一有源组件；及该波导与该有源组件之间之一电阻材料，其沿着该波导与该有源组件之间之一光传播轴，其中该电阻材料具有高于该波导之一电阻率。
1.一种用于一光子集成电路的半导体结构，其包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中：
3.如权利要求2所述的半导体结构，其中：
4.如任何前述权利要求所述的半导体结构，其中
5.如任何前述权利要求所述的半导体结构，其包括：
6.如权利要求5所述的半导体结构，其中：
7.如权利要求5所述的半导体结构，其中：
8.如任何前述权利要求所述的半导体结构，其包括：
9.如任何前述权利要求所述的半导体结构，其中：
10.如前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其中：
11.如前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其中：
12.如前述权利要求中任一项所述的半导体结构，其中：
13.如权利要求12所述的半导体结构，其中该锥形部分在最接近该电阻材料的一位置处的该宽度小于400纳米。
14.如任何先前权利要求所述的半导体结构，其中该波导及该有源组件的至少一者包括至少部分与该电阻材料接触的一小面。
15.如权利要求14所述的半导体结构，其中该小面以一非垂直角与该光传播轴相交。
16.如权利要求14或15所述的半导体结构，其中该小面是凸起的。
17.如权利要求14或15所述的半导体结构，其中该小面是凹入的。
18.如权利要求14至17中任一项所述的半导体结构，其中该波导是一第一波导，且该有源组件与一第二波导接触，该第二波导安置于该电阻材料与该有源组件之间，且包括该小面。
19.如权利要求18所述的半导体结构，其中该第二波导包括一第二锥形部分，该第二锥形部分在垂直于该光传播轴的一方向上的一宽度在进一步远离该有源组件的位置处逐渐变大。
20.如权利要求19所述的半导体结构，其中该第二波导在垂直于该光传播轴的一方向上具有一宽度，该宽度大于该第一波导在垂直于该光传播轴的该方向上的一宽度。
21.如权利要求14至20中任一项所述的半导体结构，其中该小面包括经配置为一抗反射光栅的一周期性结构。
22.如权利要求21所述的半导体结构，其中该周期性结构具有小于500 nm的一节距。
23.如权利要求14至22中任一项所述的半导体结构，其进一步包括经配置以吸收从该小面反射的光的一吸收器元件。
24.如任何先前权利要求所述的半导体结构，其中该电阻材料是空气。
25.一种制造用于一光子集成电路的一半导体结构的方法，该方法包括：
26.如权利要求25所述的方法，其包括：
27.如权利要求26所述的方法，其包括：
28.如权利要求25至27中任一项所述的方法，其包括：
29.如权利要求25至28中任一项所述的方法，其包括：
30.如权利要求25至29中任一项所述的方法，其包括：
31.一种如权利要求1至24中任一项所述的半导体结构，其中：
32.如权利要求1至24或31中任一项所述的半导体结构，其中：
33.一种光子集成电路，其包括如权利要求1至24或31或32中任一项所述的半导体结构。
