本公开涉及陶瓷。
背景技术：
1、近年来，作为冷却元件，利用热电效应的新的固体冷却元件以及冷却系统备受瞩目，其研究开发在广泛地进行。与使用了作为温室效应气体的制冷剂的现有的冷却系统相比较，具有不需要制冷剂且高效以及低功耗这样的优点，此外，因为不使用压缩机，所以还具有安静这样的优点。为了得到优异的热电效应，要求如下的材料，即，转变温度处于所希望的温度区域，且能够施加大的电场。作为这样的材料，pbsc0.5ta0.5o3(以下，也将包含pb、sc以及ta的陶瓷称为“pst”)(专利文献1、非专利文献1～2)、以及pbmg0.5w0.5o3(以下，也将包含pb、mg以及w的陶瓷称为“pmw”)作为有希望的材料而为人所知。在非专利文献3中，提到pbmg0.5w0.5o3示出大的正和负的热电效应。
2、在先技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：国际公开第2021/131142号
5、非专利文献
6、非专利文献1：nature volume 575,第468-472页(2019)
7、非专利文献2：ferroelectrics,184,239(1996)
8、非专利文献3：adv.funct.mater.31,2101176(2021).
技术实现思路
1、发明要解决的问题
2、pmw为反铁电体，具有如下特征，即，通过施加阈值电压以上的电压，从而转变为铁电体。在该阈值电压以下，pmw的热电效应非常小，若超过阈值电压，则根据所施加的电压的大小而示出热电效应。也就是说，在将pmw用作固体冷却元件的情况下，需要施加超过pmw的阈值电压的大的电压，示出热电效应所需的电场强度也变高。
3、本公开的目的在于，提供一种在比以往低的电场下示出大的热电效应的陶瓷。更具体地，其目的在于，提供一种与以往的pmw相比在低电场下示出大的热电效应的陶瓷。
4、用于解决问题的技术方案
5、本公开涉及一种陶瓷，由式(1)表示，
6、(1-m)pbsc0.5-xta0.5+xo3-mpbmg0.5-yw0.5+yo3(1)
7、[在式(1)中，
8、m满足0.60≤m≤0.95，
9、在0≤x、0≤y的情况下，满足x≤0.1、y≤0.1且0≤x+y≤0.13，
10、在0>x、0≤y的情况下，满足-0.1≤x<0且0≤y≤0.1，
11、在0≥x、0>y的情况下，满足-0.1≤x、-0.1≤y且-0.13≤x+y<0，
12、在0<x、0>y的情况下，满足0<x≤0.1且-0.1≤y<0。]。
13、本公开包含以下的方式。
14、[1]一种陶瓷，由式(1)表示，
15、(1-m)pbsc0.5-xta0.5+xo3-mpbmg0.5-yw0.5+yo3(1)
16、[在式(1)中，
17、m满足0.60≤m≤0.95，
18、在0≤x、0≤y的情况下，满足x≤0.1、y≤0.1且0≤x+y≤0.13，
19、在0>x、0≤y的情况下，满足-0.1≤x<0且0≤y≤0.1，
20、在0≥x、0>y的情况下，满足-0.1≤x、-0.1≤y且-0.13≤x+y<0，
21、在0<x、0>y的情况下，满足0<x≤0.1且-0.1≤y<0。]。
22、[2]根据上述[1]所述的陶瓷，其中，
23、在所述式中，
24、在0≤x、0≤y的情况下，满足0≤x+y≤0.1，
25、在0≥x、0>y的情况下，满足-0.1≤x+y<0。
26、[3]根据上述[1]或[2]所述的陶瓷，其中，
27、在所述式中，x为0，y为0。
28、[4]根据上述[1]～[3]中的任一项所述的陶瓷，其中，
29、在所述式中，m满足0.6≤m≤0.9。
30、[5]根据上述[1]～[4]中的任一项所述的陶瓷，其中，
31、所述陶瓷的晶体构造具有钙钛矿构造。
32、[6]一种热电效应元件，交替地层叠有贵金属电极和上述[1]～[5]中的任一项所述的陶瓷。
33、[7]根据上述[6]所述的热电效应元件，其中，
34、所述贵金属电极由pt形成。
35、[8]一种电子部件，构成为具有上述[6]或[7]所述的热电效应元件。
36、[9]一种电子设备，构成为具有上述[6]或[7]所述的热电效应元件或者上述[8]所述的电子部件。
37、发明效果
38、根据本公开，能够提供一种在低电场下示出大的热电效应的陶瓷。更具体地，能够提供一种与以往的pmw相比在低电场下示出大的热电效应的陶瓷。
1.一种陶瓷，由式(1)表示，
2.根据权利要求1所述的陶瓷，其中，
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷，其中，
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的陶瓷，其中，
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的陶瓷，其中，
6.一种热电效应元件，交替地层叠有贵金属电极和权利要求1～5中的任一项所述的陶瓷。
7.根据权利要求6所述的热电效应元件，其中，
8.一种电子部件，构成为具有权利要求6或7所述的热电效应元件。
9.一种电子设备，构成为具有权利要求6或7所述的热电效应元件或者权利要求8所述的电子部件。
