本公开中描述的实施方案涉及用于中央频率调谐的系统和方法。
背景技术：
1、本文提供的背景描述是为了一般性地呈现本公开的背景。目前命名的发明人的工作(就其在背景部分中描述的范围而言)以及在提交时可能不属于现有技术的说明书的方面，均未明确或暗示地被承认为针对本公开的现有技术。
2、一个或多个射频(rf)发生器耦合到等离子体室。在等离子体室内放置半导体晶片。一个或多个rf发生器向等离子体室提供一个或多个rf信号以处理半导体晶片。希望以准确的方式处理半导体晶片。否则，处理半导体晶片的效率会降低。
3、正是在这种背景下，出现了本公开中描述的实施方案。
技术实现思路
1、本公开的实施方案提供了用于中央频率调谐的系统和方法。应该理解，本实施方案可以以多种方式实现，例如，处理、装置、系统、硬件或计算机可读介质上的方法。下面描述了几个实施方案。
2、在一种实施方案中，描述了一种以独立于区间的方式减少朝向高频(hf)rf发生器反射的射频(rf)功率的方法。该方法包括从耦合到低频(lf)rf发生器和hf rf发生器的匹配器的输出接收电压信号。该方法还包括针对由lf rf发生器产生的lf rf信号的每个周期将电压信号分成多个区间。该方法还包括从多个区间中识别发生过零点的第一区间，访问针对预定数量的多个区间的出现的参数测量值，并基于参数测量值计算第一区间的hf rf发生器的操作频率。该方法包括控制hf rf发生器在第一区间的出现期间以操作频率操作。
3、在一种实施方案中，描述了一种以独立于区间的方式减少反射向hf rf发生器的rf功率的控制器。控制器包括处理器。处理器从耦合到lf rf发生器和hf rf发生器的匹配器的输出接收电压信号。处理器进一步将电压信号划分为由lf rf发生器产生的lf rf信号的每个周期的多个区间，从多个区间中识别发生过零点的第一区间，并访问针对预定数量的多个区间的出现的参数测量值。处理器基于参数测量值计算第一区间的hf rf发生器的操作频率，并控制hf rf发生器在第一区间的出现期间以操作频率操作。控制器包括耦合到处理器的存储器设备。
4、在一种实施方案中，描述了一种等离子体系统。等离子体系统包括产生lf rf信号的lf rf发生器。等离子体系统还包括产生hf rf信号的hf rf发生器。等离子体系统包括耦合到lf rf发生器和hf rf发生器的匹配器。匹配器接收lf rf和hf rf信号以输出修改后的rf信号。等离子体系统还包括耦合到lf rf发生器、hf rf发生器和匹配器的控制器。控制器从匹配器的输出接收电压信号，将电压信号分成lf rf信号的每个周期的多个区间，并从多个区间中识别出发生过零点的第一区间。控制器进一步访问针对预定数量的多个区间的出现的参数测量值，并基于参数测量值计算第一区间的hf rf发生器的操作频率。处理器控制hf rf发生器在第一区间的出现期间以操作频率操作。
5、本文描述的用于中央频率调谐的系统和方法的一些优点包括在lf rf发生器的操作周期内考虑预定数量的区间或所有区间的参数。通过在lf rf发生器的操作周期内考虑预定数量的区间或所有区间，与考虑单个区间的参数相比，在lf rf发生器的整个操作周期内，反射的hf rf功率以更准确的方式减少。针对lf rf发生器的操作周期的预定数量的区间或所有区间确定该参数。根据预定数量的区间或所有区间的参数值，确定该参数的统计值。基于该统计值，确定区间0的参考高频值。然后根据参考高频值确定用于在lf rf发生器操作周期内预定数量的区间中的剩余区间的hf偏移值。
6、当考虑lf rf发生器操作周期内预定数量的区间或所有区间时，反射功率以与独立于区间的方式减少。例如，除了考虑区间0的反射hf功率之外，还考虑lf rf发生器操作周期内其他区间的反射hf功率。因此，反射hf rf功率独立于区间0而减少。
7、本文描述的用于中心频率调谐的系统和方法的进一步优点包括使用lf rf信号操作周期内预定数量的区间或所有区间的反射功率的统计值(例如平均值)来确定中心频率。有时，很难仅基于区间0来识别区间0并降低反射功率。当错误地识别区间0时，会导致失调。通过使用统计值，由于区间错误识别而导致失调的可能性大大降低。
8、结合附图，从以下详细描述中将显而易见一些其他方面。
1.一种以独立于区间的方式减少朝向高频(hf)射频(rf)发生器反射的rf功率的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基于所述参数的所述测量值计算所述hf rf发生器的所述操作频率包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述测量值包括在与由所述lf rf发生器产生的所述lf rf信号的功率相关的转换状态期间接收的值。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述参数是反射系数或电压驻波比。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述电压信号在所述过零点处具有负斜率。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定数量包括每个周期的所有所述多个区间。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定数量包括少于每个周期的所有所述多个区间。
8.一种用于以独立于区间的方式减少朝向高频(hf)rf发生器反射的射频(rf)功率的控制器，其包括:
9.根据权利要求8所述的控制器，其中，为了基于所述参数的所述测量值计算所述hfrf发生器的所述操作频率，所述处理器被配置为：
10.根据权利要求8所述的控制器，其中所述测量值包括在与由所述lf rf发生器产生的所述lf rf信号的功率相关的转换状态期间接收的值。
11.根据权利要求8所述的控制器，其中所述参数是反射系数或电压驻波比。
12.根据权利要求8所述的控制器，其中所述电压信号在所述过零点处具有负斜率。
13.根据权利要求8所述的控制器，其中所述预定数量包括每个周期的所有所述多个区间。
14.根据权利要求8所述的控制器，其中所述预定数量包括少于每个周期的所有所述多个区间。
15.一种等离子体系统，其包括：
16.根据权利要求15所述的等离子体系统，其中，为了基于所述参数的所述测量值计算所述hf rf发生器的所述操作频率，所述控制器被配置为：
17.根据权利要求15所述的等离子体系统，其中所述测量值包括在与由所述lf rf发生器产生的所述lf rf信号的功率相关的转换状态期间接收的值。
18.根据权利要求15所述的等离子体系统，其中所述参数是反射系数或电压驻波比。
19.根据权利要求15所述的等离子体系统，其中所述电压信号在所述过零点处具有负斜率。
20.根据权利要求15所述的等离子体系统，其中所述预定数量包括少于每个周期的所有所述多个区间。
