本发明涉及集成电路制造，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
背景技术：
1、提升半导体产品的面积，能够提升半导体产品的性能，例如使半导体产品能够承受更高的工作电压。而半导体产品可承载的工作电压越高，则在同等功率和同等电压的情况下，半导体产品也越不容易发生击穿现象。
2、而提升半导体产品的面积，随之而来的还有产品的良率难以提升、产品的成本难以控制、产品的封装散热等技术难以保证等一系列问题。并且半导体产品面积的提升是不符合电子设备轻、薄、小、高性能的发展趋势的，因此提升半导体产品的面积也难以适应配套电子设备的升级。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，能够在不提升半导体器件占用面积的基础上，提升半导体产品的耐压能力。
2、为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：
3、本发明提供了一种半导体器件，包括：
4、衬底；
5、多个浅槽隔离结构，设置在所述衬底中，其中多个所述浅槽隔离结构在所述衬底中划分出多个有源区；
6、凸部结构，设置在所述衬底中，且所述凸部结构位于相邻的所述浅槽隔离结构之间，其中所述凸部结构的高度小于所述浅槽隔离结构的高度；
7、掺杂区，设置在所述衬底中，所述掺杂区和所述凸部结构分布在相邻的所述有源区中；
8、栅氧化层，设置在所述浅槽隔离结构上和所述凸部结构上，以及所述衬底上；以及
9、多晶硅层，设置在所述栅氧化层上，所述多晶硅层覆盖所述凸部结构和部分所述掺杂区。
10、在本发明一实施例中，所述凸部结构有多个，且多个所述凸部结构阵列分布在所述有源区中。
11、在本发明一实施例中，所述半导体器件包括第一类有源区和第二类有源区，所述第一类有源区设置在相邻的所述第二类有源区之间，其中所述第一类有源区为所述凸部结构所在的有源区，所述第二类有源区为所述掺杂区所在的有源区。
12、在本发明一实施例中，所述半导体器件包括沟道，所述沟道位于所述多晶硅层的覆盖范围，且所述沟道的两端连通不同的所述掺杂区。
13、在本发明一实施例中，所述凸部结构的高度为所述浅槽隔离结构高度的1/2~1/3。
14、本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
15、提供一衬底；
16、形成浅槽隔离结构与凸部结构于所述衬底中，其中所述浅槽隔离结构在所述衬底中划分出多个有源区，所述凸部结构位于相邻的所述浅槽隔离结构之间，且所述凸部结构的高度小于所述浅槽隔离结构的高度；
17、形成掺杂区于所述衬底中，其中所述掺杂区和所述凸部结构分布在相邻的所述有源区中；
18、形成栅氧化层于所述浅槽隔离结构上、所述凸部结构上和所述衬底上；以及
19、形成多晶硅层于所述栅氧化层上，其中所述多晶硅层覆盖所述凸部结构和部分所述掺杂区。
20、在本发明一实施例中，在形成所述凸部结构前，形成所述浅槽隔离结构于所述衬底中。
21、在本发明一实施例中，形成所述凸部结构或形成所述浅槽隔离结构的步骤包括：
22、提供一掩膜层，并形成蚀刻窗口于掩膜层中，其中形成所述凸部结构的蚀刻窗口宽度与形成所述浅槽隔离结构的蚀刻窗口宽度的比例为1:200~1:1；
23、从所述蚀刻窗口蚀刻所述衬底，形成浅沟槽或凹槽；以及
24、填充所述浅沟槽或所述凹槽，形成所述浅槽隔离结构或所述凸部结构。
25、在本发明一实施例中，所述凸部结构和所述浅槽隔离结构同时形成于所述衬底中。
26、在本发明一实施例中，形成所述凸部结构和所述浅槽隔离结构的步骤包括：
27、提供一掩膜层，并形成第一蚀刻窗口和第二蚀刻窗口于所述掩膜层中，其中所述第二蚀刻窗口的宽度小于所述第一蚀刻窗口的宽度的一半；
28、从所述第一蚀刻窗口和所述第二蚀刻窗口蚀刻所述衬底，同时形成浅沟槽和凹槽；以及
29、同步填充所述浅沟槽和所述凹槽，分别形成所述浅槽隔离结构和所述凸部结构。
30、如上所述，本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，其意想不到的技术效果在于：本发明用于形成高压半导体器件，并在不提升器件占用面积的情况下，能够提升器件的耐压性，且能够保障制程良率。根据不同的制程需求或是成本要求，能够灵活调整提升的耐压程度，以平衡器件耐压性的提升和制程工艺效率。
31、当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于，所述凸部结构有多个，且多个所述凸部结构阵列分布在所述有源区中。
3.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括第一类有源区和第二类有源区，所述第一类有源区设置在相邻的所述第二类有源区之间，其中所述第一类有源区为所述凸部结构所在的有源区，所述第二类有源区为所述掺杂区所在的有源区。
4.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括沟道，所述沟道位于所述多晶硅层的覆盖范围，且所述沟道的两端连通不同的所述掺杂区。
5.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于，所述凸部结构的高度为所述浅槽隔离结构高度的1/2~1/3。
6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述凸部结构前，形成所述浅槽隔离结构于所述衬底中。
8.根据权利要求7所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述凸部结构或形成所述浅槽隔离结构的步骤包括：
9.根据权利要求6所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述凸部结构和所述浅槽隔离结构同时形成于所述衬底中。
10.根据权利要求9所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述凸部结构和所述浅槽隔离结构的步骤包括：
