本发明涉及半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种光阻层缺陷检测方法。
背景技术：
1、在现有技术中，光刻工艺需要先在晶圆表面形成pr(光阻)层。而因为种种原因，形成pr层的某些位置会出现缺陷，例如，pr剥落等等。这些缺陷会对后面的工艺造成影响。为了消除pr层的缺陷，首先要找出造成缺陷的原因。因此，如何快速准确地找出造成pr层出现缺陷的原因，就成为了业界亟需解决的问题。
技术实现思路
1、本发明旨在提供一种能够快速准确地找出造成pr层出现缺陷的原因的pr层缺陷检测方法。
2、本发明的检测方法包括：
3、产品晶圆缺陷检测步骤：通过光刻机台在产品晶圆表面形成第一光阻层，并通过检测机台对所述第一光阻层进行检测，确认是否存在缺陷；
4、测机参数确认步骤：如果存在所述缺陷，则对之前的测机参数进行确认，确认测机晶圆的表面的第二光阻层的测机参数是否正常；
5、测机晶圆缺陷检测步骤：如果所述第二光阻层的测机参数正常，则通过所述光刻机台在所述测机晶圆的表面再形成第三光阻层，并通过所述检测机台对所述第三光阻层进行检测，确认是否存在缺陷；
6、大缺陷检测步骤：如果所述第三光阻层不存在缺陷，则使用强光手电照射所述产品晶圆的表面，确认是否存在大缺陷；
7、空跑步骤：如果所述产品晶圆的表面不存在大缺陷，则将所述测机晶圆放入所述光刻机台的各个腔室中，进行除涂光阻外的其它处理，并通过所述检测机台对所述测机晶圆进行大颗粒检测，确认是否存在大颗粒；
8、再次检测步骤：如果不存在大颗粒，则去除所述产品晶圆表面的第一光阻层，然后通过所述光刻机台在所述产品晶圆的表面形成第四光阻层，并通过检测机台对所述第四光阻层进行检测，确认是否存在缺陷；
9、判断步骤：判断造成所述缺陷的原因。
10、本发明的pr层缺陷检测方法能够快速准确地找出造成pr层出现缺陷的原因，从而保障后续工艺顺利进行。
1.一种光阻层缺陷检测方法，包括：
