本技术属于光电探测器领域，具体涉及光电探测器的体相再结晶装置。
背景技术：
1、基于准二维金属卤化物钙钛矿的光电探测器(pd)被认为是下一代pd的有前途的替代品；然而，不可控的膜生长和界面处的低电荷提取直接限制了准2d钙钛矿基pd的响应性；
2、mac l处理可以使钙钛矿薄膜发生再结晶过程，从而使薄膜具有更好的光电性能。
3、然而，在进行mac l处理时需要使用旋涂机与加热器多次旋涂与加热处理，需要工作人员多次取出放置，操作繁琐，工作效率低，并且容易受到外界因素影响，不方便人员使用。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供光电探测器的体相再结晶装置，以解决上述背景技术中提出的问题。
2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
3、光电探测器的体相再结晶装置，包括主体，包括控制座，设置于所述控制座顶部的固定座，设置于所述固定座顶部的旋涂器，设置于所述固定座内的活动座，设置于所述活动座顶部的放置台，以及设置于所述旋涂器上的旋涂组件；加热机构，包括设置于所述旋涂器一侧的加热箱，以及设置于所述固定座内的移动组件；以及，隔热机构，设置于所述旋涂器与加热箱之间。
4、优选的，所述旋涂组件包括设置于所述活动座与放置台之间的旋转驱动件，设置于所述旋涂器顶部的盖板，以及设置于所述盖板上的注射器放置腔。
5、优选的，所述移动组件包括设置于所述固定座上的电机，设置于所述电机输出端的螺纹杆，设置于所述固定座另一端表面的活动腔，以及设置于所述固定座顶部表面的活动槽。
6、优选的，所述控制座的另一端设置有真空泵，所述真空泵与活动座之间设置有管道。
7、优选的，所述活动槽与活动座的运动轨迹相适配，所述活动腔与管道的运动轨迹相适配，所述管道与真空泵之间设置有软管，所述螺纹杆与活动座螺纹连接。
8、优选的，所述隔热机构，包括设置于所述旋涂器与加热箱之间的连接座，活动设置于所述连接座内的隔热板二，以及设置于所述旋转驱动件上的隔热板一。
9、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
10、(1)本实用新型通过移动组件可以在旋涂完成后自动将薄膜移动至加热箱内进行加热处理，完成后会自动将其移动至旋涂箱内再次进行旋涂工作，省时省力，提高工作效率，并且薄膜不会受到外力影响，方便人员使用。
11、(2)本实用新型通过隔热机构可以在移动组件对薄膜位置调整完成后，自动对旋涂器或加热箱进行密封保温工作，从而在旋涂时不会受到外力影响，在加热时降低温度逸散效率，降低能耗。
1.光电探测器的体相再结晶装置，其特征在于，包括，
2.根据权利要求1所述的光电探测器的体相再结晶装置，其特征在于：所述旋涂组件包括设置于所述活动座(105)与放置台(104)之间的旋转驱动件(1010)，设置于所述旋涂器(103)顶部的盖板(106)，以及设置于所述盖板(106)上的注射器放置腔(107)。
3.根据权利要求1所述的光电探测器的体相再结晶装置，其特征在于：所述移动组件包括设置于所述固定座(102)上的电机(204)，设置于所述电机(204)输出端的螺纹杆(206)，设置于所述固定座(102)另一端表面的活动腔(203)，以及设置于所述固定座(102)顶部表面的活动槽(205)。
4.根据权利要求3所述的光电探测器的体相再结晶装置，其特征在于：所述控制座(101)的另一端设置有真空泵(108)，所述真空泵(108)与活动座(105)之间设置有管道(109)。
5.根据权利要求4所述的光电探测器的体相再结晶装置，其特征在于：所述活动槽(205)与活动座(105)的运动轨迹相适配，所述活动腔(203)与管道(109)的运动轨迹相适配，所述管道(109)与真空泵(108)之间设置有软管(201)，所述螺纹杆(206)与活动座(105)螺纹连接。
6.根据权利要求2所述的光电探测器的体相再结晶装置，其特征在于：所述隔热机构(3)，包括设置于所述旋涂器(103)与加热箱(202)之间的连接座(301)，活动设置于所述连接座(301)内的隔热板二(303)，以及设置于所述旋转驱动件(1010)上的隔热板一(302)。
