本技术涉及半导体封装，具体涉及一种大功率三相整流器件框架结构。
背景技术：
1、三相桥目前使用量在逐渐增多，目前行业中的整流桥不能满足大型工业设备使用，为满足大功率工业生产、电力系统，开发可封装大规格芯片尺寸的三相桥框架，可封装160mil和180mil规格芯片，使用厚度0.8mm框架提升产品承载电流能力，同时增加材料的散热。
2、如中国专利，授权公告号为cn205645801u，其公开了一种整流桥跳线框架，其相邻两个横连筋之间设置有若干间隔并排的纵连筋，相邻两个纵连筋之间的间隔处设置有两个纵向并排的跳线。但该方案采用的是z形弯折的线体，芯片焊接面与跳线的连接不够稳定；且纵连筋之间的结构散热效果差，无法满足大型工业设备的使用要求。
技术实现思路
1、本实用新型要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种大功率三相整流器件框架结构。
2、本实用新型的技术方案为：
3、一种大功率三相整流器件框架结构，包括框架、间隔设置于框架上的芯片、安装于芯片末端的横筋，以及横向跨接于芯片上的跳线，其中：
4、框架，为矩形架体，采用凸点结构间隔放置有正向及反向的芯片；
5、芯片，由并排设置的子芯片构成，子芯片以六组为单元扩展；芯片上开设有与跳线相配合的安装凸台，以及增加稳定性的锁胶孔；
6、横筋，位于芯片外侧，分别与子芯片相连，用于塑封过程中支撑框架并避免芯片变形；
7、跳线，包括片状本体、间隔设置于片状本体下表面的凸点、加工于凸点上的溢胶孔，以及间隔设置于溢胶孔之间的锁胶孔ⅱ；其中，片状本体通过凸点安装于芯片的安装凸台内进行固定。
8、本技术方案通过改进框架与芯片的结构，扩展了框架的应用范围，提升产品承载电流能力；并增加横筋和跳线，避免的框架变形导致的材料失效及本体翘曲，更利于跳线和塑封料结合。其中：框架采用凸点结构，降低装配难度，同时还综合考虑结构强度和散热问题，提供了芯片安装的稳定环境。芯片以六组子芯片为单元扩展，有助于提高整流效率和降低热负荷；芯片上开设的安装凸台和锁胶孔不仅用于固定跳线，还增加了稳定性，确保了整流过程的顺利进行。横筋通过与子芯片相连，支撑框架并确保芯片在塑封过程中的稳定性，防止芯片变形，确保产品的一致性和可靠性。跳线通过凸点安装于芯片的安装凸台上，跳线上的溢胶孔和锁胶孔ⅱ有助于增强其机械强度和与框架的结合力。本技术方案通过采用凸点结构间隔放置正向及反向的芯片，以及可焊接160mil、180mil规格芯片，扩展了框架的应用范围，并提升了产品承载电流能力。适用于更大功率的三相整流器件，提高了其应用的广泛性和可靠性。由于采用改进后的框架，散热性能良好，三相整流器件在长时间工作或高负载条件下仍能保持稳定的性能，既可以当作三相整流桥使用，也可以当作整流桥使用，增加了其应用的灵活性，提高了其应用范围和市场竞争力。
9、在其中一些实施例中，所述框架和横筋分别设置于芯片两侧，用于固定芯片并防止芯片的翘曲。
10、本技术方案中，采用铜制成的芯片在注塑和塑封过程中容易受到热膨胀的影响，导致翘曲。为了确保最终产品的外观一致性，采用框架和横筋来固定芯片两侧，从而避免翘曲的问题。当塑封过程完成后，只需拆除框架和横筋，保留芯片和跳线，即可得到高品质的最终产品。
11、在其中一些实施例中，所述子芯片之间设置有散热缝隙，且子芯片采用宽体架构设置，增大散热面积。
12、本技术方案中，子芯片之间的散热缝隙使得热量能够更加顺畅地散发出去，从而降低芯片的工作温度。此外，宽体架构的设定进一步扩大了散热面积，有助于更快速、更高效地散发热量。上述散热结构确保子芯片在长时间或高负载的工作条件下，仍能保持稳定的性能，从而使得整流器的可靠性得到了显著提升。
13、在其中一些实施例中，所述凸点与安装凸台装配后，凸点上的溢胶孔用于焊料均匀分布。
14、本技术方案中，溢胶孔使得焊料在涂覆过程中均匀分布，均匀分布的焊料有助于减少因不均匀加热或冷却而产生的应力；通过凸点与安装凸台的装配方式，确保整个结构的电气性能，从而增强连接的稳定性，提高产品的可靠性和寿命。
15、在其中一些实施例中，所述芯片的子芯片上共设置有十三个锁胶孔ⅰ，跳线上设置有三个锁胶孔ⅱ；锁胶孔ⅰ和锁胶孔ⅱ均用于跳线和塑封料结合。
16、本技术方案中，为了提高芯片的塑封粘合强度，除了在芯片上打孔设置锁胶孔ⅰ之外，还可以在跳线上进一步增加锁胶孔ⅱ，使跳线能够更牢固地固定在塑封料中，减少了在操作或使用过程中脱落的风险。
17、在其中一些实施例中，所述芯片上至少跨接有一条跳线；跨接后的跳线上的锁胶孔ⅱ至少覆盖芯片部分铜箔。
18、本技术方案中，通常芯片的上部和下部分别设置有一根跳线，即通过两根跳线实现芯片的连接固定。为了进一步提高固定效果，除了采用凸点与安装凸台的固定方式之外，还在跳线上增加锁胶孔ⅱ，进一步提高了产品的可靠性。
19、本实用新型与现有技术相比，具有以下有益效果：
20、(1)可容纳更大尺寸芯片，可焊接160mil、180mil规格芯片，扩展了框架的应用范围，提升产品承载电流能力；
21、(2)散热性好，芯片采用宽体架构，厚度达到0.8mm比常规0.6mm厚30％，增大框架散热体的面积，平衡各子芯片间散热，避免了过热引起的芯片失效问题；
22、(3)增加框架外侧的横筋，避免的框架变形导致的材料失效及芯片翘曲；
23、(4)增加锁胶孔ⅰ和锁胶孔ⅱ，增加框架结构和塑封料的结合；
24、(5)框架结构既可以当作三相整流桥使用，也可以当作整流桥使用。
1.一种大功率三相整流器件框架结构，其特征在于，包括框架(1)、间隔设置于框架(1)上的芯片(2)、安装于芯片(2)末端的横筋(3)，以及横向跨接于芯片(2)上的跳线(4)，其中：
2.如权利要求1所述的大功率三相整流器件框架结构，其特征在于，所述框架(1)和横筋(3)分别设置于芯片(2)两侧，用于固定芯片(2)并防止芯片(2)的翘曲。
3.如权利要求1所述的大功率三相整流器件框架结构，其特征在于，所述子芯片之间设置有散热缝隙，且子芯片采用宽体架构设置，增大散热面积。
4.如权利要求1所述的大功率三相整流器件框架结构，其特征在于，所述凸点(42)与安装凸台(21)装配后，凸点(42)上的溢胶孔(43)用于焊料均匀分布。
5.如权利要求1或4所述的大功率三相整流器件框架结构，其特征在于，所述芯片(2)的子芯片上共设置有十三个锁胶孔ⅰ(22)，跳线(4)上设置有三个锁胶孔ⅱ(44)；锁胶孔ⅰ(22)和锁胶孔ⅱ(44)均用于跳线(4)和塑封料结合。
6.如权利要求5所述的大功率三相整流器件框架结构，其特征在于，所述芯片(2)上至少跨接有一条跳线(4)；跨接后的跳线(4)上的锁胶孔ⅱ(44)至少覆盖芯片(2)部分铜箔。
