本发明涉及半导体发光，具体涉及一种micro-led显示面板及其形成方法。
背景技术：
1、micro-led显示面板是一种由微米级半导体发光单元阵列组成的电致发光器件。它通过将电能转化为光能，实现了图像的显示。micro-led显示面板的发光单元尺寸通常在50微米以下，且高密度地集成在芯片上，形成二维micro led阵列。每个像素都能够寻址控制和独立驱动发光，这是micro-led技术的核心特点之一。micro-led显示面板具有高像素密度与超高解析度、自发光特性、高效率与低功耗、高亮度与色彩饱和度、长寿命与稳定性、灵活性等技术优势，进而在高端电视、商业广告牌、ar/vr设备、车载显示以及可穿戴设备等多个领域具有广泛的应用前景。
技术实现思路
1、本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种micro-led显示面板及其形成方法。
2、为实现上述目的，本发明提出的一种micro-led显示面板的形成方法，所述micro-led显示面板的形成方法包括以下步骤：
3、提供一生长衬底，在所述生长衬底上外延生长第一半导体层、量子阱层以及第二半导体层。
4、在所述第二半导体层上形成第一透明导电层，并对所述第一透明导电层进行图案化处理，以形成多个平行排列的条形透明导电凸块。
5、接着形成第二透明导电层，所述第二透明导电层的材质与所述第一透明导电层的材质不同。
6、在所述第二透明导电层上形成多个金属电极，以形成发光二极管晶圆。
7、接着对所述发光二极管晶圆进行切割处理以形成多个micro-led单元，每个所述micro-led单元包括一个金属电极。
8、接着将多个所述micro-led单元转移至载板上。
9、接着在每个所述micro-led单元的侧面和顶面形成层叠的第一保护层、第二保护层以及第三保护层，且所述第二保护层中临近所述第一保护层的一侧的密度小于所述第二保护层的另一侧的密度，且两侧密度差为0.6-1.5g/cm3，且所述第三保护层中临近所述第二保护层的一侧密度小于所述第三保护层的另一侧的密度，且两侧密度差为0.3-1.2g/cm3。
10、接着提供一驱动基板，利用转印装置将所述micro-led单元转移至所述驱动基板，使得所述micro-led单元的所述金属电极与所述驱动基板的布线电连接。
11、接着形成封装层，然后对封装层以及每个所述micro-led单元的所述生长衬底进行研磨处理，以暴露每个所述micro-led单元的所述第一半导体层。
12、接着形成第三透明导电层，所述第三透明导电层为公共电极，以形成micro-led显示面板。
13、作为优选的技术方案，所述第一透明导电层为镁和氟共掺杂的氧化锡，所述第二透明导电层为氧化铟锡。
14、作为优选的技术方案，所述金属电极的材质包括铜、铝、钛、钯、银中的一种或多种，所述金属电极通过磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸发、电镀或化学镀形成。
15、作为优选的技术方案，将多个所述micro-led单元转移至载板上之前，在所述载板上设置一缓冲层，进而使得每个所述micro-led单元的所述金属电极嵌入到所述缓冲层中。
16、作为优选的技术方案，所述第二保护层的密度大于所述第一保护层的密度，所述第三保护层的密度大于所述第二保护层的密度。
17、作为优选的技术方案，所述第一保护层包括氧化硅或氮氧化硅，所述第二保护层的材质包括氮化硅、氧化铝、碳化硅、氮化钛、氧化铌、氧化钛中的一种或多种，所述第三保护层的材质包括氧化铪和/或氧化锆。
18、作为优选的技术方案，所述封装层包括树脂材料。
19、作为优选的技术方案，所述第三透明导电层为锂和氟共掺杂的氧化锡。
20、本发明还提出一种micro-led显示面板，其采用上述micro-led显示面板的形成方法制造形成的。
21、本发明的有益效果在于：
22、在本发明的micro-led显示面板的形成方法中，通过在第二半导体层上形成第一透明导电层，并对所述第一透明导电层进行图案化处理，以形成多个平行排列的条形透明导电凸块，接着形成第二透明导电层，且设置第一透明导电层为镁和氟共掺杂的氧化锡，第二透明导电层为氧化铟锡，通过上述设置，可以大大提高电流的扩散性能，进而可以提高micro-led单元的发光性能；且通过在每个micro-led单元的侧面和顶面形成层叠的第一保护层、第二保护层以及第三保护层，且所述第二保护层中临近所述第一保护层的一侧的密度小于所述第二保护层的另一侧的密度，且两侧密度差为0.6-1.5g/cm3，且所述第三保护层中临近所述第二保护层的一侧密度小于所述第三保护层的另一侧的密度，且两侧密度差为0.3-1.2g/cm3，使得第二保护层和第三保护层的刚性逐渐增加，进而在后续转移工序以及使用过程中，有效保护micro-led单元。
1.一种micro-led显示面板的形成方法，其特征在于：所述micro-led显示面板的形成方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的micro-led显示面板的形成方法，其特征在于：所述第一透明导电层为镁和氟共掺杂的氧化锡，所述第二透明导电层为氧化铟锡。
3.根据权利要求1所述的micro-led显示面板的形成方法，其特征在于：所述金属电极的材质包括铜、铝、钛、钯、银中的一种或多种，所述金属电极通过磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸发、电镀或化学镀形成。
4.根据权利要求1所述的micro-led显示面板的形成方法，其特征在于：将多个所述micro-led单元转移至载板上之前，在所述载板上设置一缓冲层，进而使得每个所述micro-led单元的所述金属电极嵌入到所述缓冲层中。
5.根据权利要求1所述的micro-led显示面板的形成方法，其特征在于：所述第二保护层的密度大于所述第一保护层的密度，所述第三保护层的密度大于所述第二保护层的密度。
6.根据权利要求1所述的micro-led显示面板的形成方法，其特征在于：所述第一保护层包括氧化硅或氮氧化硅，所述第二保护层的材质包括氮化硅、氧化铝、碳化硅、氮化钛、氧化铌、氧化钛中的一种或多种，所述第三保护层的材质包括氧化铪和/或氧化锆。
7.根据权利要求1所述的micro-led显示面板的形成方法，其特征在于：所述封装层包括树脂材料。
8.根据权利要求1所述的micro-led显示面板的形成方法，其特征在于：所述第三透明导电层为锂和氟共掺杂的氧化锡。
9.一种micro-led显示面板，其特征在于，采用权利要求1-8中任一项所述的micro-led显示面板的形成方法制造形成的。
