本技术涉及集成电路测试，特别是涉及一种栅极多晶硅短接测试结构及其生成方法、装置和存储介质。
背景技术：
1、随着集成电路工艺节点的不断缩减到14nm或以下，栅极多晶硅之间的距离越来越短，由于光刻过程中的光学临近效应，导致实际光刻后的栅极多晶硅之间有短接的风险。因此有必要搭建测试结构来测试标准单元区域中的晶体管的相关属性，来量化上述风险。
2、传统的测试结构搭建方式是在eda软件中手动完成，比较适合小版图的测试结构搭建。如果版图面积过大，手动处理的方式就比较耗时且繁琐了。而且手动绘图比较容易出现人工失误导致结构错误，达不到测试所要求的功能。
3、因此，通过现有的手动绘图的方法生成栅极多晶硅短接测试结构，效率和功能都无法满足需求。
技术实现思路
1、在本实施例中提供了一种栅极多晶硅短接测试结构及其生成方法、装置和存储介质，以解决相关技术中测试结构生成效率和功能需求的问题。
2、第一方面，在本实施例中提供了一种栅极多晶硅短接测试结构的生成方法，所述方法包括：
3、获取版图，在所述版图的标准单元区域中确定测试区域，并将所述测试区域划分成至少一个目标区域；
4、在所述目标区域中，基于在不同掺杂有源区的电源线区域设置辅助线，对所述辅助线进行移动延伸处理，得到第一辅助图形和第二辅助图形；基于所述第一辅助图形和所述第二辅助图形分别生成第一金属线和第二金属线；
5、从所述目标区域的栅极多晶硅中筛选出有效栅极多晶硅后，将位于第一位置的有效栅极多晶硅作为第一目标栅极多晶硅，将位于第二位置的有效栅极多晶硅作为第二目标栅极多晶硅；
6、在所述第一金属线与所述第一目标栅极多晶硅重合的区域设置栅极通孔，在所述第二金属线与所述第二目标栅极多晶硅重合的区域设置栅极通孔；所述第一金属线通过所述栅极通孔连接所述第一目标栅极多晶硅，所述第二金属线通过所述栅极通孔连接所述第二目标栅极多晶硅，完成所述栅极多晶硅短接测试结构的生成。
7、在其中的一些实施例中，将所述测试区域划分成至少一个目标区域，包括：
8、获取所述测试区域中的体极区域，基于所述体极区域将所述测试区域划分得到至少一个子区域；
9、将所述子区域分别内缩第一预设尺寸后，得到目标区域。
10、在其中的一些实施例中，在所述目标区域中，基于在不同掺杂有源区的电源线区域设置辅助线，对所述辅助线进行移动延伸处理，得到第一辅助图形和第二辅助图形，包括：
11、获取所述目标区域中的电源线区域，基于在不同掺杂有源区中的所述电源线区域设置辅助线；所述掺杂有源区包括n型掺杂有源区和p型掺杂有源区；
12、分别对所述辅助线进行第一移动处理和第二移动处理；所述第一移动处理包括：沿着第一方向平移第三预设距离；所述第二移动处理包括：沿着第二方向平移第三预设距离；所述第一方向和所述第二方向相反；
13、将进行第一移动处理的多根所述辅助线进行延伸，并将多根所述辅助线的一端连接到一起后合并作为第一辅助图形；
14、将进行第二移动处理的多根所述辅助线进行延伸，并将多根所述辅助线的一端连接到一起后合并作为第二辅助图形。
15、在其中的一些实施例中，所述基于在不同掺杂有源区中的所述电源线区域设置辅助线，还包括：
16、基于第二预设尺寸，调整所述辅助线的宽度。
17、在其中的一些实施例中，将进行第一移动处理的多根所述辅助线进行延伸，并将多根所述辅助线的一端连接到一起后合并作为第一辅助图形；将进行第二移动处理的多根所述辅助线进行延伸，并将多根所述辅助线的一端连接到一起后合并作为第一辅助图形，包括：
18、将进行第一移动处理的多根所述辅助线，向第三方向延伸后通过第一纵向连线将多根所述辅助线的一端连接到一起后合并作为第一辅助图形；
19、将进行第二移动处理的多根所述辅助线，将向第四方向延伸后通过第二纵向连线将多根所述辅助线的一端连接到一起后合并作为第二辅助图形；
20、其中，所述第三方向与所述第四方向相反。
21、在其中的一些实施例中，当所述目标区域至少有两个时，所述第一辅助图形还包括第一并联线，以将各个所述目标区域中的所述第一纵向连线的一端连接到所述第一并联线；
22、所述第二辅助图形还包括第二并联线，以将各个所述目标区域中的所述第二纵向连线的一端连接到所述第二并联线。
23、在其中的一些实施例中，从所述目标区域的栅极多晶硅中筛选出有效栅极多晶硅后，将位于第一位置的有效栅极多晶硅作为第一目标栅极多晶硅，将位于第二位置的有效栅极多晶硅作为第二目标栅极多晶硅，之前还包括：
24、获取所述目标区域中的栅极多晶硅，并将相邻的两个所述栅极多晶硅的位置沿源漏方向定义为第一位置和第二位置。
25、在其中的一些实施例中，从所述目标区域的栅极多晶硅中筛选出有效栅极多晶硅，包括：
26、从所述目标区域的栅极多晶硅中筛选出初始有效栅极多晶硅；所述初始有效栅极多晶硅，是指在不与单扩散中断隔离接触的所述栅极多晶硅中，排除掉与栅极切断层的栅极切断图形重合的区域后，剩余的所述栅极多晶硅区域；
27、在所述初始有效栅极多晶硅中，排除掉预设的无效区域后，剩余的所述初始有效栅极多晶硅即作为有效栅极多晶硅；
28、其中，所述预设的无效区域包括：第一无效栅极多晶硅、第二无效栅极多晶硅以及第三无效栅极多晶硅；
29、所述第一无效栅极多晶硅接触了横跨多个所述栅极多晶硅的栅极互连线；
30、所述第二无效栅极多晶硅的相邻两个所述栅极多晶硅都接触了单扩散中断隔离；
31、所述第三无效栅极多晶硅接触了切断了至少两个所述栅极多晶硅的浮动栅极切断图形；所述浮动栅极切断图形是栅极切断层上不与电源线区域接触的栅极切断图形。
32、第二方面，本技术实施例还提供了一种栅极多晶硅短接测试结构的生成装置，所述装置包括：
33、目标区域确定模块，用于获取版图，在所述版图的标准单元区域中确定测试区域，并将所述测试区域划分成至少一个目标区域；
34、辅助图形生成模块，用于在所述目标区域中，基于在不同掺杂有源区的电源线区域设置辅助线，对所述辅助线进行移动延伸处理，得到第一辅助图形和第二辅助图形；基于所述第一辅助图形和所述第二辅助图形分别生成第一金属线和第二金属线；
35、目标栅极多晶硅筛选模块，用于从所述目标区域的栅极多晶硅中筛选出有效栅极多晶硅后，将位于第一位置的有效栅极多晶硅作为第一目标栅极多晶硅，将位于第二位置的有效栅极多晶硅作为第二目标栅极多晶硅；
36、测试结构生成模块，用于在所述第一金属线与所述第一目标栅极多晶硅重合的区域设置栅极通孔，在所述第二金属线与所述第二目标栅极多晶硅重合的区域设置栅极通孔；所述第一金属线通过所述栅极通孔连接所述第一目标栅极多晶硅，所述第二金属线通过所述栅极通孔连接所述第二目标栅极多晶硅，完成所述栅极多晶硅短接测试结构的生成。
37、第三方面，本技术实施例还提供了一种栅极多晶硅短接测试结构，所述测试结构包括：所述测试结构基于上述第一方面中任一项所述的方法生成；
38、所述测试结构包括：第一目标栅极多晶硅、第二目标栅极多晶硅、第一金属线、第二金属线和栅极通孔；所述第一金属线通过所述栅极通孔连接所述第一目标栅极多晶硅，所述第二金属线通过所述栅极通孔连接所述第二目标栅极多晶硅；所述第一金属线和所述第二金属线作为所述栅极多晶硅短接测试结构的测试引脚。所述测试结构利用第一金属线和第二金属线分别连接到测试焊盘，以通过测试焊盘连接外部测试机进行栅极多晶硅短接测试。
39、第四方面，本技术还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现第一方面所述的栅极多晶硅短接测试结构的生成方法。
40、第五方面，本技术还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现第一方面所述的栅极多晶硅短接测试结构的生成方法。
41、与相关技术相比，在本实施例中提供的栅极多晶硅短接测试结构及其生成方法、装置和存储介质，通过获取版图，在所述版图的标准单元区域中确定测试区域，并将所述测试区域划分成至少一个目标区域；在所述目标区域中，基于在不同掺杂有源区的电源线区域设置辅助线，对所述辅助线进行移动延伸处理，得到第一辅助图形和第二辅助图形；基于所述第一辅助图形和所述第二辅助图形分别生成第一金属线和第二金属线；从所述目标区域的栅极多晶硅中筛选出有效栅极多晶硅后，将位于第一位置的有效栅极多晶硅作为第一目标栅极多晶硅，将位于第二位置的有效栅极多晶硅作为第二目标栅极多晶硅；在所述第一金属线与所述第一目标栅极多晶硅重合的区域设置栅极通孔，在所述第二金属线与所述第二目标栅极多晶硅重合的区域设置栅极通孔；所述第一金属线/第二金属线分别通过所述栅极通孔连接所述第一目标栅极多晶硅/第二目标栅极多晶硅，得到栅极多晶硅短接测试结构，解决了测试结构生成效率低和出错率高的问题，实现测试结果自动生成，提高效率和精度。本技术在标准单元区域内，通过区分左右相邻的栅极多晶硅（区分第一位置和第二位置，实施例中利用提前给所有栅极加mask的方式来区分），再去掉对测试无效的栅极多晶硅，这样可以让相邻的栅极多晶硅上gatevia（栅极通孔）在不同的引脚上，达到测试对象所要求的情景。本技术通过获取原始版图中的层的信息来生成测试结构所需要的区域，自动完成目标栅极多晶硅的筛选和金属布线，实现测试结构的自动生成。
42、本技术的一个或多个实施例的细节在以下附图和描述中提出，以使本技术的其他特征、目的和优点更加简明易懂。
1.一种栅极多晶硅短接测试结构的生成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的栅极多晶硅短接测试结构的生成方法，其特征在于，将所述测试区域划分成至少一个目标区域，包括：
3.根据权利要求1所述的栅极多晶硅短接测试结构的生成方法，其特征在于，在所述目标区域中，基于在不同掺杂有源区的电源线区域设置辅助线，对所述辅助线进行移动延伸处理，得到第一辅助图形和第二辅助图形，包括：
4.根据权利要求3所述的栅极多晶硅短接测试结构的生成方法，其特征在于，将进行第一移动处理的多根所述辅助线进行延伸，并将多根所述辅助线的一端连接到一起后合并作为第一辅助图形；将进行第二移动处理的多根所述辅助线进行延伸，并将多根所述辅助线的一端连接到一起后合并作为第一辅助图形，包括：
5.根据权利要求4所述的栅极多晶硅短接测试结构的生成方法，其特征在于，当所述目标区域至少有两个时，所述第一辅助图形还包括第一并联线，以将各个所述目标区域中的所述第一纵向连线的一端连接到所述第一并联线；
6.根据权利要求1所述的栅极多晶硅短接测试结构的生成方法，其特征在于，从所述目标区域的栅极多晶硅中筛选出有效栅极多晶硅后，将位于第一位置的有效栅极多晶硅作为第一目标栅极多晶硅，将位于第二位置的有效栅极多晶硅作为第二目标栅极多晶硅，之前还包括：
7.根据权利要求1所述的栅极多晶硅短接测试结构的生成方法，其特征在于，从所述目标区域的栅极多晶硅中筛选出有效栅极多晶硅，包括：
8.一种栅极多晶硅短接测试结构的生成装置，其特征在于，所述装置包括：
9.一种栅极多晶硅短接测试结构，其特征在于，所述测试结构包括：所述测试结构基于权利要求1至权利要求7中任一项所述的栅极多晶硅短接测试结构的生成方法得到；
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至权利要求7中任一项所述的栅极多晶硅断路测试结构的生成方法的步骤。
